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![]() | MT29F128G08CEHGBJ4-3R:g tr | - | ![]() | 1352 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 132-vbga | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.5V〜3.6V | 132-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | ||||
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![]() | MT28F320J3RG-11 GMET TR | - | ![]() | 4918 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT28F320J3 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 32Mbit | 110 ns | 闪光 | 4m x 8,2m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | MT46V32M16BN-75:C TR | - | ![]() | 9422 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | MT46V32M16 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 60-fbga(10x12.5) | - | rohs3符合条件 | 5(48)(48)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 750 PS | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT29RZ1CVCZZHGTN-18 i.85h tr | - | ![]() | 4639 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 121-WFBGA | MT29RZ1CV | flash -nand,dram -lpddr2 | 1.8V | 121-VFBGA (8x7.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 533 MHz | 非易失性,挥发性 | 1Gbit(NAND),512Mbit(LPDDR2) | 闪光,ram | 128m x 8 nand),32m x 16(lpddr2) | 平行线 | - | |||
![]() | MT48LC16M16A2P-7E:G Tr | - | ![]() | 9791 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 14ns | ||||
MT40A2G4SA-062E:r tr | 10.1850 | ![]() | 8947 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT40A2G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 78-fbga(7.5x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MT40A2G4SA-062E:RTR | 2,000 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 19 ns | 德拉姆 | 2G x 4 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | MT53D4DBNW-DC | - | ![]() | 1384 | 0.00000000 | 微米技术公司 | * | 大部分 | 积极的 | MT53D4 | - | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MT46V32M8P-6TL:GTR | - | ![]() | 6431 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | MT46V32M8 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT29F4T08EYCBBG9-37:b tr | - | ![]() | 9520 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | - | - | MT29F4T08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 267 MHz | 非易失性 | 4Tbit | 闪光 | 512g x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MT29F32G08CFACBWP-12:c | - | ![]() | 1301 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F32G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 非易失性 | 32Gbit | 闪光 | 4G x 8 | 平行线 | - |
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