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（ICS）（10403）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT28F008B5VG-8 B Tr	-	RFQ	7280	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	40-tfsop（0.724英寸，18.40mm宽度）	MT28F008B5	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	40-tsop i	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,000		非易失性	8mbit	80 ns	闪光	1m x 8	平行线	80ns
MT58L256V36PS-6TR	5.9800	RFQ	32	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	100	166 MHz	易挥发的	8mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
MT41K256M4JP-125：G。	-	RFQ	8838	微米技术公司	-	托盘	在sic中停产	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K256M4	SDRAM -DDR3	1.283V〜1.45V	78-fbga（8x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	800 MHz	易挥发的	1Gbit	13.75 ns	德拉姆	256m x 4	平行线	-
MT62F768M32D2DS-026 wt：b tr	17.6400	RFQ	5455	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT62F768M32D2DS-026WT：BTR			2,000
MT53E2G64D8TN-046 wt：a tr	92.3100	RFQ	8633	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	556-LFBGA		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	556-LFBGA （12.4x12.4）	-				557-MT53E2G64D8TN-046WT：ATR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	128Gbit	3.5 ns	德拉姆	2G x 64	平行线	18NS
MT48LC16M4A2TG-75：G Tr	-	RFQ	1622	微米技术公司	-	（CT）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC16M4A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	133 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 4	平行线	15ns
MT29F128G08AKCABH2-10ITZ：a tr	-	RFQ	2990	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-TBGA	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-TBGA （12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
MT29F8T08GQLCEG8-QB：c	156.3000	RFQ	6470	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F8T08GQLCEG8-QB：c			1
MT29F64G08CBAAAL74A3WC1P-V	-	RFQ	4476	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	死	MT29F64G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	死	-		（1 （无限）			过时的		1		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
MT47H32M16NF-25E AAT：h	5.7800	RFQ	582	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	MT47H32M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,368	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
MT53E4G32D8GS-046 wt：c	127.0200	RFQ	4438	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C〜85°C	-	-		sdram- lpddr4	-	-	-				557-MT53E4G32D8GS-046WT：c			1	2.133 GHz	易挥发的	128Gbit		德拉姆	4G x 32	平行线	-
MT29F16T08GSLCEG4-QB：c	312.5850	RFQ	3687	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F16T08GSLCEG4-QB：c			1
PC28F640J3D75E	-	RFQ	7689	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	PC28F640	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64- Easybga（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	864		非易失性	64mbit	75 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	75ns
MT29F128G08AEEBBH6-12：b	-	RFQ	4049	微米技术公司	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-vbga	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	152-vbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,120	83 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
MT55L256L36PT-10	8.2400	RFQ	82	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT55L256L	sram-同步，ZBT	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	8mbit	5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
MT29F2G01ABAGD12-IT：g tr	-	RFQ	5973	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	MT29F2G01	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	2Gbit		闪光	2G x 1	spi	-
MT29F2G01ABBGDWB-IT：g tr	2.8500	RFQ	27	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-udfn	MT29F2G01	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	8-updfn（8x6）（MLP8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,000		非易失性	2Gbit		闪光	2G x 1	spi	-
PC28F640P30BF65A	-	RFQ	5067	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	PC28F640	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	64- Easybga（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	864	52 MHz	非易失性	64mbit	65 ns	闪光	4m x 16	平行线	65ns
MT53B384M32D2DS-062自动：b tr	-	RFQ	8189	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53B384	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	1.6 GHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	-	-
MT48LC16M16A2FG-75 IT：D Tr	-	RFQ	9090	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48LC16M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-VFBGA（8x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
MT53E768M32D4DT-053 AAT：e	29.2650	RFQ	3286	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	200-VFBGA	MT53E768	sdram- lpddr4	1.1V	200-VFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT53E768M32D4DT-053AAT：e	Ear99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	768m x 32	-	-
MT53E1536M32D4DE-046 WT：b	36.0000	RFQ	4958	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E1536M32D4DE-046WT：b			1	2.133 GHz	易挥发的	48Gbit	3.5 ns	德拉姆	1.5GX 32	平行线	18NS
mtfc4glwdm-4m aat a tr	11.0850	RFQ	8067	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				mtfc4				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	mtfc4glwdm-4maatatr		0000.00.0000	2,000
M29F400BB55N6T TR	-	RFQ	2293	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29F400	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	48-TSOP	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	4Mbit	55 ns	闪光	512k x 8，256k x 16	平行线	55ns
MT53E256M32D1K-046自动：l	14.5800	RFQ	8566	微米技术公司	-	托盘	积极的		表面安装	200-VFBGA				200-VFBGA（10x14.5）	-			到达不受影响	557-MT53E256M32D1K-046AUT：l			1
MT41K256M16RE-15E IT：d	-	RFQ	3674	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K256M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	667 MHz	易挥发的	4Gbit	13.5 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	-
mtfc32gakaedq-aat tr	-	RFQ	9738	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	100-LBGA	mtfc32g	闪存-NAND	-	100-LBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
MT47H256M4HQ-3：e tr	-	RFQ	4767	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	60-FBGA	MT47H256M4	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga （8x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	256m x 4	平行线	15ns
MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR	-	RFQ	8836	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				MT38Q2071				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1,000
NAND512R3A2SZA6E	-	RFQ	2091	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-TFBGA	Nand512	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	290		非易失性	512Mbit	50 ns	闪光	64m x 8	平行线	50ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（10403）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²