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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT42L256M64D4LD-18 WT:A TR Micron Technology Inc. MT42L256M64D4LD-18 wt:a tr -
RFQ
ECAD 7524 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 220-VFBGA MT42L256M64 sdram- lpddr2 1.14v〜1.3v 220-fbga(14x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 256m x 64 平行线 -
N25Q256A83ESF40G Micron Technology Inc. N25Q256A83ESF40G -
RFQ
ECAD 4410 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) N25Q256A83 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16-SOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 108 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 64m x 4 spi 8ms,5ms
MT40A1G8WE-075E AIT:B TR Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-075E AIT:b tr -
RFQ
ECAD 2435 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-FBGA(8x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 1G x 8 平行线 -
MT53E1536M32D4DE-046 AAT:C Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DE-046 AAT:c 40.2450
RFQ
ECAD 8072 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) - rohs3符合条件 557-MT53E1536M32D4DE-046AAT:c 1 2.133 GHz 易挥发的 48Gbit 3.5 ns 德拉姆 1.5GX 32 平行线 18NS
MT29F512G08EBHBFJ4-T:B Micron Technology Inc. MT29F512G08EBHBFJ4-T:b -
RFQ
ECAD 6024 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F512G08 Flash -nand(tlc) 2.5V〜3.6V 132-vbga(12x18) - 557-MT29F512G08EBHBFJ4-T:b 过时的 8542.32.0071 1,120 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:a -
RFQ
ECAD 2712 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-vbga MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT29F1G08ABAEAH4-ITX:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAH4-ITX:e -
RFQ
ECAD 9184 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 平行线 -
EDFB232A1MA-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFB232A1MA-JD-FD -
RFQ
ECAD 9854 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TA) - - EDFB232 sdram- lpddr3 1.14v〜1.95v - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,680 933 MHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 1G x 32 平行线 -
MT29F2T08EELCHD4-QJ:C Micron Technology Inc. MT29F2T08EELCHD4-QJ:c 41.9550
RFQ
ECAD 4002 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F2T08EELCHD4-QJ:c 1
MT62F512M64D4BG-031 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F512M64D4BG-031 WT:b tr 23.5200
RFQ
ECAD 7860 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -25°C〜85°C - - sdram- lpddr5 - - - 557-MT62F512M64D4BG-031WT:BTR 2,500 3.2 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 512m x 64 平行线 -
MTFC128GASAQEA-WT Micron Technology Inc. mtfc128gasaqea-wt -
RFQ
ECAD 2735 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 - 557-MTFC128GASAQEA-WT 1
MTFC4GLGDQ-AIT Z TR Micron Technology Inc. mtfc4glgdq-ait z tr -
RFQ
ECAD 6829 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LBGA mtfc4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-LBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 MMC -
MT29F64G08AKABAC5-IT:B Micron Technology Inc. MT29F64G08AKABAC5-IT:b -
RFQ
ECAD 7268 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 52-vlga MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 52-vlga(18x14) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
JS28F640P33BF70A Micron Technology Inc. JS28F640P33BF70A -
RFQ
ECAD 7120 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) JS28F640P33 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 56-tsop - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 96 40 MHz 非易失性 64mbit 70 ns 闪光 4m x 16 平行线 70NS
MT53B128M32D1NP-062 WT:A Micron Technology Inc. MT53B128M32D1NP-062 WT:a -
RFQ
ECAD 4641 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53B128 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 128m x 32 - -
MT42L16M32D1HE-18 IT:E TR Micron Technology Inc. MT42L16M32D1HE-18 IT:e tr 5.5200
RFQ
ECAD 9026 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT42L16M32D1HE-18IT:ETR 2,500
MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAH4-ITX:e -
RFQ
ECAD 4334 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G16 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 非易失性 1Gbit 闪光 64m x 16 平行线 -
MT29F64G08CBABAWP-M:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABAWP-M:b tr -
RFQ
ECAD 9874 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
M25P16S-VMN6P Micron Technology Inc. M25P16S-VMN6P -
RFQ
ECAD 2578 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) M25P16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-so 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0071 2,000 75 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 spi 15ms,5ms
MT29F4G01ABAFDM70A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F4G01ABAFDM70A3WC1 3.5200
RFQ
ECAD 3073 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 MT29F4G01 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 1 非易失性 4Gbit 闪光 4G x 1 spi -
MT29F4G08ABAEAH4-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAH4-IT:e tr -
RFQ
ECAD 3757 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 平行线 -
MT29F4T08EMLCHD4-R:C Micron Technology Inc. MT29F4T08EMLCHD4-R:c 83.9100
RFQ
ECAD 9469 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F4T08EMLCHD4-R:c 1
MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046自动:b 20.3700
RFQ
ECAD 7058 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) - 557-MT53E512M32D1ZW-046AUT:b 1 2.133 GHz 易挥发的 16Gbit 3.5 ns 德拉姆 512m x 32 平行线 18NS
MT47H64M16HW-3 IT:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HW-3 IT:h -
RFQ
ECAD 7517 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(8x12.5) 下载 Rohs不合规 3(168)) Ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 易挥发的 1Gbit 450 ps 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
MT53B256M64D2NL-062 XT:B Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NL-062 XT:b -
RFQ
ECAD 3104 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜105°C(TC) - - MT53B256 sdram- lpddr4 1.1V - - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 960 1.6 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 256m x 64 - -
MT53D2048M32D8QD-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53D2048M32D8QD-062 WT:d -
RFQ
ECAD 4794 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - MT53D2048 sdram- lpddr4 1.1V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,360 1.6 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 2G x 32 - -
MT40A512M16LY-062E AUT:E Micron Technology Inc. MT40A512M16LY-062E AUT:e 11.6400
RFQ
ECAD 4265 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-FBGA(7.5x13.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT40A512M16LY-062EAUT:e Ear99 8542.32.0036 1,080 1.6 GHz 易挥发的 8Gbit 19 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
MT53E384M32D2DS-053 AAT:E TR Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-053 AAT:e tr 11.6700
RFQ
ECAD 1414 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53E384 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT53E384M32D2DS-053AAT:ETR Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 易挥发的 12Gbit 德拉姆 384m x 32 - -
M25P16-VME6TG TR Micron Technology Inc. M25P16-VME6TG TR -
RFQ
ECAD 1603 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 M25P16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-vdfpn(MLP8)(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 4,000 75 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 spi 15ms,5ms
MT53E768M64D4HJ-046 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 WT ES:c 48.1050
RFQ
ECAD 7992 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 -25°C 〜85°C(TC) 表面安装 556-TFBGA sdram- lpddr4 1.06V〜1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E768M64D4HJ-046WTES:c 1 2.133 GHz 易挥发的 48Gbit 3.5 ns 德拉姆 768m x 64 平行线 18NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库