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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAFAH4-AITES:f -
RFQ
ECAD 9437 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,620 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 平行线 -
MT35XU512ABA1G12-0SIT Micron Technology Inc. MT35XU512ABA1G12-0SIT 10.4800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA MT35XU512 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 24-T-PBGA(6x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,144 200 MHz 非易失性 512Mbit 6 ns 闪光 64m x 8 spi -octal I/o 2.8ms
MTFC32GAPALNA-AIT Micron Technology Inc. mtfc32gapalna-ait -
RFQ
ECAD 3175 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 上次购买 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-TBGA mtfc32g 闪存-NAND - 100-TBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 980 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 MMC -
MT29F64G08CECCBH1-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CECCBH1-12:c tr -
RFQ
ECAD 8461 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-vbga MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT46H16M32LFB5-6 IT:C TR Micron Technology Inc. MT46H1M32LFB5-6 IT:c tr -
RFQ
ECAD 3010 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 易挥发的 512Mbit 5 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 15ns
JS28F512M29EWHB TR Micron Technology Inc. JS28F512M29EWHB TR -
RFQ
ECAD 3639 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) JS28F512M29 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 非易失性 512Mbit 110 ns 闪光 64m x 8,32m x 16 平行线 110NS
MT40A4G4NEA-062E:R Micron Technology Inc. MT40A4G4NEA-062E:r 21.7650
RFQ
ECAD 7196 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-fbga(7.5x11) - 557-MT40A4G4NEA-062E:r 1 1.6 GHz 易挥发的 16Gbit 19 ns 德拉姆 4G x 4 15ns
MT53D1024M64D8NW-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M64D8NW-062 WT:D Tr -
RFQ
ECAD 9693 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 432-VFBGA MT53D1024 sdram- lpddr4 1.1V 432-VFBGA(15x15) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 1G x 64 - -
MT47H32M16NF-25E AAT:H TR Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E AAT:h tr 4.3402
RFQ
ECAD 2080 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(8x12.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT47H32M16NF-25EAAT:HTR Ear99 8542.32.0028 2,000 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
M25P10-AVMN3TP/Y TR Micron Technology Inc. M25P10-AVMN3TP/Y TR -
RFQ
ECAD 2611 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) M25P10 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-so 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,500 50 MHz 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 spi 15ms,5ms
MT25TU512HBA8E12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25TU512HBA8E12-0SIT TR -
RFQ
ECAD 4853 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,500
MT29F256G08AUAAAC5-Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AUAAAC5-Z:a tr -
RFQ
ECAD 6873 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 52-vlga MT29F256G08 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 52-vlga(18x14) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT44K32M36RB-107E:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M36RB-107E:A TR 64.4550
RFQ
ECAD 5584 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 168-TBGA MT44K32M36 rldram 3 1.28V〜1.42V 168-BGA(13.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 易挥发的 1.125Gbit 8 ns 德拉姆 32m x 36 平行线 -
MT42L128M32D2KL-25 IT:A Micron Technology Inc. MT42L128M32D2KL-25 IT:a -
RFQ
ECAD 3696 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -25°C 〜85°C(TC) 表面安装 168-WFBGA MT42L128M32 sdram- lpddr2 1.14v〜1.3v 168-FBGA(12x12) - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 128m x 32 平行线 -
N25Q064A13ESED0F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13ESED0F TR -
RFQ
ECAD 1534年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) N25Q064A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-SOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 108 MHz 非易失性 64mbit 闪光 16m x 4 spi 8ms,5ms
M36W0R6050T4ZAQE Micron Technology Inc. M36W0R6050T4ZAQE -
RFQ
ECAD 3985 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 M36W0R6050 - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 253
NAND256W3A2BE06 Micron Technology Inc. NAND256WA2BE06 -
RFQ
ECAD 2016 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 - Nand256 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 256Mbit 50 ns 闪光 32m x 8 平行线 50ns
MT53E128M32D2FW-046 IT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2FW-046 IT:a tr 7.2300
RFQ
ECAD 2916 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT53E128M32D2FW-046IT:ATR 2,000
MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-AATX:e 5.6400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F2G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 960 非易失性 2Gbit 闪光 256m x 8 平行线 -
MT29F512G08CMEABH7-12IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CMEABH7-12IT:a tr -
RFQ
ECAD 2083 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 152-TBGA MT29F512G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 152-TBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT28F400B5SG-8 TET TR Micron Technology Inc. MT28F400B5SG-8 TET TR -
RFQ
ECAD 8932 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-Soic(0.496英寸,宽度为12.60mm) MT28F400B5 闪光灯 -也不 4.5V〜5.5V 44-SO 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 500 非易失性 4Mbit 80 ns 闪光 512k x 8,256k x 16 平行线 80ns
MT47H128M8SH-25E IT:M Micron Technology Inc. MT47H128M8SH-25E IT:m -
RFQ
ECAD 2641 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,518 400 MHz 易挥发的 1Gbit 400 ps 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
MTFC4GMWDQ-AIT Micron Technology Inc. MTFC4GMWDQ-AIT -
RFQ
ECAD 9799 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LBGA mtfc4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-LBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 980 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 MMC -
EDFA232A2MA-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFA232A2MA-GD-FD -
RFQ
ECAD 9118 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - EDFA232 sdram- lpddr3 1.14v〜1.95v - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,890 800 MHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 平行线 -
M29W640GSB70ZF6E Micron Technology Inc. M29W640GSB70ZF6E -
RFQ
ECAD 4431 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-TBGA M29W640 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-TBGA(10x13) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 136 非易失性 64mbit 70 ns 闪光 8m x 8,4m x 16 平行线 70NS
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1GZ-062 AIT:b tr -
RFQ
ECAD 4224 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53B256 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(11x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 256m x 32 - -
MT53B256M32D1NP-053 WT:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NP-053 wt:c -
RFQ
ECAD 7341 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53B256 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 256m x 32 - -
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR -
RFQ
ECAD 8715 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 200-VFBGA MT53B1024 sdram- lpddr4 1.1V 200-VFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 1G x 32 - -
MT48LC16M16A2P-6A:G Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A:G -
RFQ
ECAD 7254 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC16M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,080 167 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 12ns
MT29F1G08ABAEAM68M3WC1 Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAM68M3WC1 -
RFQ
ECAD 5627 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 MT29F1G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库