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MT29F64G08CBCGBWP-B:G | - | ![]() | 1525年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F64G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | 平行线 | - | |||||
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![]() | MT53D4DBNZ-DC | - | ![]() | 7149 | 0.00000000 | 微米技术公司 | * | 盒子 | 积极的 | MT53D4 | - | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1,190 | |||||||||||||||||||
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![]() | M28W320HSU70ZA6F TR | - | ![]() | 9466 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-TFBGA | M28W320 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-TFBGA(10.5x6.39) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 非易失性 | 32Mbit | 70 ns | 闪光 | 2m x 16 | 平行线 | 70NS | |||
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![]() | MT29F1T08EEHBFJ4-R:b tr | - | ![]() | 5266 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 132-vbga | MT29F1T08 | Flash -nand(tlc) | 1.7V〜1.95V | 132-vbga(12x18) | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MT29F1T08EEHBFJ4-R:BTR | 过时的 | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Tbit | 闪光 | 128g x 8 | 平行线 | - | ||||
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![]() | MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D TR | - | ![]() | 7352 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -30°C〜85°C(TC) | - | - | MT53B512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | - | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 512m x 64 | - | - | ||||
![]() | MT42L32M32D1HE-18 IT:d | 5.8128 | ![]() | 1936年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-VFBGA | MT42L32M32 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.3v | 134-vfbga(10x11.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MT42L32M32D1HE-18IT:d | Ear99 | 8542.32.0032 | 1,680 | 533 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 德拉姆 | 32m x 32 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT53E768M32D4DT-053 AIT:e tr | 26.6100 | ![]() | 9876 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TC) | 表面安装 | 200-VFBGA | MT53E768 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-VFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT53E768M32D4DT-053AIT:ETR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 24Gbit | 德拉姆 | 768m x 32 | - | - | ||
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![]() | MT29E2T08CTCCBJ7-6:c | - | ![]() | 5385 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 152-LBGA | MT29E2T08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 152-lbga(14x18) | - | (1 (无限) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | 非易失性 | 2Tbit | 闪光 | 256g x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | MT53D1536M32D4NQ-046 wt:a | - | ![]() | 7693 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 557-MT53D1536M32D4NQ-046WT:a | 过时的 | 1,360 | ||||||||||||||||||
![]() | M25PE40S-VMW6G | - | ![]() | 3463 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | M25PE40 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-SO W | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,800 | 75 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 闪光 | 512k x 8 | spi | 15ms,3ms |
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