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（ICS）（10403）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT29F16G08CBACAL72A3WC1L	2.9000	RFQ	2117	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	死	MT29F16G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	晶圆	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT29F16G08CBACAL72A3WC1L			1		非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	onfi	20NS
MT53E4D1BDE-DC	22.5000	RFQ	8242	微米技术公司	-	大部分	积极的				MT53E4				-			到达不受影响	557-MT53E4D1BDE-DC			1,360
MTC20C2085S1TC48BAX	410.2350	RFQ	9990	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MTC20C2085S1TC48BAX			1
MT49H16M18CBM-25：b	-	RFQ	7022	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H16M18	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	16m x 18	平行线	-
MT47H64M16NF-25E自动：M Tr	-	RFQ	6220	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	MT47H64M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
MT53E2D1AFW-DC	22.5000	RFQ	7718	微米技术公司	-	大部分	积极的				MT53E2				-			到达不受影响	557-MT53E2D1AFW-DC			1,360
MT62F3G32D8DV-026 WT ES：b	122.7600	RFQ	7444	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C〜85°C	-	-		sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F3G32D8DV-026WTES：b			1	3.2 GHz	易挥发的	96Gbit		德拉姆	3G x 32	平行线	-
MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87J TR	9.0000	RFQ	3241	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	149-WFBGA		Flash -nand（slc），DRAM -LPDDR4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	149-WFBGA（8x9.5）	-				557-MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87JTR			2,000		非易失性，挥发性	4Gbit	25 ns	闪光，ram	512m x 8	onfi	30ns
MT53E2G32D4DE-046 AAT：c tr	56.5050	RFQ	3009	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E2G32D4DE-046AAT：CTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit	3.5 ns	德拉姆	2G x 32	平行线	18NS
MT29F128G08CBCEBL05B3WC1-M	7.7000	RFQ	7598	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	死	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	死	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
mtfc8gamalht-aat	11.1750	RFQ	1252	微米技术公司	-	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）			mtfc8	闪存-NAND	-		-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MTFC8GAMALHT-AAT		8542.32.0071	980		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	MMC	-
MT53E2G32D4DT-046 AIT：a tr	57.3900	RFQ	7858	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）			MT53E2G32	sdram- lpddr4	1.1V		-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT53E2G32D4DT-046AIT：ATR		0000.00.0000	2,000	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	2G x 32	-	-
N25Q128A11E1241F TR	-	RFQ	3472	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	N25Q128A11	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	24-T-PBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	2,500	108 MHz	非易失性	128mbit		闪光	32m x 4	spi	8ms，5ms
MT49H32M18BM-25：b	-	RFQ	3952	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H32M18	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	400 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	32m x 18	平行线	-
MT53B384M16D1NK-062 WT ES：B TR	-	RFQ	8273	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53B384	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	1.6 GHz	易挥发的	6Gbit		德拉姆	384m x 16	-	-
MT60B2G8HB-48B IT：a tr	18.2400	RFQ	5805	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	82-VFBGA		SDRAM -DDR5	-	82-vfbga（9x11）	-				557-MT60B2G8HB-48BIT：ATR			3,000	2.4 GHz	易挥发的	16Gbit	16 ns	德拉姆	2G x 8	荚	-
MT58L64L36PT-6	4.2600	RFQ	7	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT58L64L36	SRAM	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	2Mbit	3.5 ns	SRAM	64k x 36	平行线	-
MT48LC4M32B2P-6A IT：l tr	-	RFQ	5319	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	MT48LC4M32B2	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,000	167 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	12ns
MT62F1536M64D8EK-026 WT ES：B TR	102.0600	RFQ	9556	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	-	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F1536M64D8EK-026WTES：BTR			1,500	3.2 GHz	易挥发的	96Gbit		德拉姆	1.5GX 64	-	-
MT52L1G32D4PG-093 wt：b tr	53.9550	RFQ	9168	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	178-VFBGA	MT52L1G32	sdram- lpddr3	1.2V	178-fbga （12x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT52L1G32D4PG-093WT：BTR	Ear99	8542.32.0036	1,000	1.066 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-
MT53E512M32D1ZW-046BAUT：b	-	RFQ	9948	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E512M32D1ZW-046BAUT：b			1	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit	3.5 ns	德拉姆	512m x 32	平行线	18NS
MT58L512L18DT-7.5	8.5300	RFQ	6	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	8mbit	4 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
MT40A2G8JC-062E：e	-	RFQ	8915	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A2G8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（9x11）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	557-MT40A2G8JC-062E：e	3A991B1A	8542.32.0071	1,260	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	2G x 8	平行线	15ns
MT53E1G32D2FW-046 AIT：a	29.8650	RFQ	7762	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	下载				557-MT53E1G32D2FW-046AIT：a			1	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	18NS
MT53B512M16D1Z11MWC1	-	RFQ	6088	微米技术公司	*	大部分	积极的				MT53B512				-		3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1
MT52L256M32D1V01MWC2 MS	-	RFQ	3649	微米技术公司	*	大部分	积极的				MT52L256				-		3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1
MT46H64M16LFCK-5 IT：Tr	-	RFQ	9210	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-vfbga	MT46H64M16	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-vfbga（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	200 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
M58BW32FB4D150	-	RFQ	5174	微米技术公司	-	大部分	过时的	-	-	-	M58BW32	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1		非易失性	32Mbit	45 ns	闪光	4m x 8	平行线	45ns
M29W128GL70ZA6E	-	RFQ	1026	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	M29W128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-TBGA（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	816		非易失性	128mbit	70 ns	闪光	16m x 8，8m x 16	平行线	70NS
MT53E1G64D4SP-046 wt：c	37.2450	RFQ	5572	微米技术公司	-	托盘	积极的				MT53E1				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT53E1G64D4SP-046WT：c			1,360

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（10403）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²