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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT53B4DANW-DC Micron Technology Inc. MT53B4DANW-DC -
RFQ
ECAD 3964 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - MT53B4 sdram- lpddr4 - - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 960 易挥发的 德拉姆
MT48LC8M16A2B4-6A:L Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2B4-6A:l -
RFQ
ECAD 6451 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-VFBGA MT48LC8M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-VFBGA(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,560 167 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 12ns
MT47H128M8HQ-3:G TR Micron Technology Inc. MT47H128M8HQ-3:G Tr -
RFQ
ECAD 7401 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 60-FBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga (8x11.5) 下载 rohs3符合条件 6(6) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 易挥发的 1Gbit 450 ps 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
MT29F1G01ABAFD12-AATES:F Micron Technology Inc. MT29F1G01ABAFD12-AATES:f -
RFQ
ECAD 1819年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-TBGA MT29F1G01 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA(6x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1 非易失性 1Gbit 闪光 1G x 1 spi -
MT60B2G8HB-48B:A Micron Technology Inc. MT60B2G8HB-48B:a 16.5750
RFQ
ECAD 4524 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 82-VFBGA SDRAM -DDR5 - 82-vfbga(9x11) - 557-MT60B2G8HB-48B:a 1 2.4 GHz 易挥发的 16Gbit 16 ns 德拉姆 2G x 8 平行线 -
MT25QU512ABB8E12-0AUT TR Micron Technology Inc. MT25QU512ABB8E12-0AUT TR 10.5450
RFQ
ECAD 6418 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 24-TBGA MT25QU512 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 24-T-PBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 spi 8ms,2.8ms
MT53D1G32D4NQ-053 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D1G32D4NQ-053 WT ES:E TR -
RFQ
ECAD 7320 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) MT53D1G32 sdram- lpddr4 1.1V - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 2,000 1.866 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 1G x 32 - -
MT53D768M32D4BD-053 WT:C Micron Technology Inc. MT53D768M32D4BD-053 wt:c -
RFQ
ECAD 2235 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - MT53D768 sdram- lpddr4 1.1V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 易挥发的 24Gbit 德拉姆 768m x 32 - -
MT53E1536M32D4DE-046 AIT:B Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DE-046 AIT:b 44.2350
RFQ
ECAD 8780 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) - 557-MT53E1536M32D4DE-046AIT:b 1 2.133 GHz 易挥发的 48Gbit 3.5 ns 德拉姆 1.5GX 32 平行线 18NS
EDW2032BBBG-60-F-D Micron Technology Inc. EDW2032BBBG-60-FD -
RFQ
ECAD 6094 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 170-TFBGA EDW2032 sgram -gddr5 1.31V〜1.65V 170-FBGA(12x14) - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,440 1.5 GHz 易挥发的 2Gbit 内存 64m x 32 平行线 -
M25P32-VMF6PBA Micron Technology Inc. M25P32-VMF6PBA -
RFQ
ECAD 3726 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) M25p32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16-SOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 75 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 spi 15ms,5ms
MT53E768M64D4HJ-046 AIT:B Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 AIT:b 44.2350
RFQ
ECAD 9484 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 556-TFBGA sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E768M64D4HJ-046AIT:b 1 2.133 GHz 易挥发的 48Gbit 3.5 ns 德拉姆 768m x 64 平行线 18NS
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W.9D8 Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8DQKSM-053 W.9D8 -
RFQ
ECAD 1998 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 MT29VZZZAD8 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,520
RC28F128J3F75B TR Micron Technology Inc. RC28F128J3F75B TR -
RFQ
ECAD 3619 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-TBGA RC28F128 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64- Easybga(10x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 2,000 非易失性 128mbit 75 ns 闪光 16m x 8,8m x 16 平行线 75ns
MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NW-053 wt es:e -
RFQ
ECAD 4500 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 432-VFBGA MT53D512 sdram- lpddr4 1.1V 432-VFBGA(15x15) - 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 512m x 64 - -
MT46H4M32LFB5-6 AT:K Micron Technology Inc. MT46H4M32LFB5-6:k -
RFQ
ECAD 8218 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT46H4M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 易挥发的 128mbit 5 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 15ns
MT41J256M8HX-15E AIT:D Micron Technology Inc. MT41J256M8HX-15E AIT:d -
RFQ
ECAD 8938 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 大部分 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT41J256M8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-fbga(9x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 易挥发的 2Gbit 13.5 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 -
MT53E768M64D4SQ-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E768M64D4SQ-046 AAT: -
RFQ
ECAD 7367 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TC) MT53E768 sdram- lpddr4 1.1V - rohs3符合条件 3(168)) MT53E768M64D4SQ-046AAT:a 过时的 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 易挥发的 48Gbit 德拉姆 768m x 64 - -
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR Micron Technology Inc. MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR -
RFQ
ECAD 9486 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53B128 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 128m x 32 - -
MT25TL512BAA1ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25TL512BAA1ESF-0AAT -
RFQ
ECAD 9864 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 管子 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MT25TL512 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16-SOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 spi 8ms,2.8ms
ECF440AACCN-P4-Y3 Micron Technology Inc. ECF440AACCN-P4-Y3 -
RFQ
ECAD 8222 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 ECF440 - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1
MTFC8GAMALBH-AAT Micron Technology Inc. mtfc8gamalbh-aat 11.1750
RFQ
ECAD 5264 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 153-TFBGA mtfc8 闪存-NAND - 153-TFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 MMC -
MT57W2MH8CF-6 Micron Technology Inc. MT57W2MH8CF-6 28.3700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA MT57W2MH sram-同步 1.7V〜1.9V 165-FBGA(13x15) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 MHz 易挥发的 18mbit SRAM 2m x 8 平行线 -
JS28F064M29EWLB TR Micron Technology Inc. JS28F064M29EWLB TR -
RFQ
ECAD 8700 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) JS28F064M29 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 非易失性 64mbit 70 ns 闪光 8m x 8,4m x 16 平行线 70NS
MT48LC2M32B2TG-6 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2TG-6 IT:G Tr -
RFQ
ECAD 5183 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) MT48LC2M32B2 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 Rohs不合规 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 易挥发的 64mbit 5.5 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 12ns
M29F400FT55M3T2 TR Micron Technology Inc. M29F400FT55M3T2 TR -
RFQ
ECAD 8397 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-Soic(0.496英寸,宽度为12.60mm) M29F400 闪光灯 -也不 4.5V〜5.5V 44-SO 下载 rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 500 非易失性 4Mbit 55 ns 闪光 512k x 8,256k x 16 平行线 55ns
MTFC16GAPALNA-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc16gapalna-ait tr -
RFQ
ECAD 8963 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 MTFC16 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,000
MT29F512G08CMECBH7-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CMECBH7-12:c tr -
RFQ
ECAD 9862 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-TBGA MT29F512G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 152-TBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 平行线 -
MT53E4G32D8CY-046 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E4G32D8CY-046 WT:C TR 90.4650
RFQ
ECAD 6905 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -25°C〜85°C - - sdram- lpddr4 - - - 557-MT53E4G32D8CY-046WT:CTR 2,000 2.133 GHz 易挥发的 128Gbit 德拉姆 4G x 32 平行线 -
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CKCDBJ5-6R:d -
RFQ
ECAD 2991 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 - MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 132-TBGA(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

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    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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