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（ICS）（10403）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT62F1G32D4DR-031 wt：b tr	23.5200	RFQ	7985	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	-	-		sdram- lpddr5	1.05V	-	-				557-MT62F1G32D4DR-031WT：BTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
mtfc8gacaens-5m aat	-	RFQ	2349	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-TFBGA	mtfc8	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-TFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,520		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	MMC	-
MT62F2G32D4DS-023 IT：c tr	50.2800	RFQ	1698年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F2G32D4DS-023IT：CTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	2G x 32	平行线	-
MT53E512M32D1Z42MWC1	12.9100	RFQ	8366	微米技术公司	-	盒子	积极的	-	表面安装	死		sdram- lpddr4x	-	晶圆	-				557-MT53E512M32D1Z42MWC1			1		易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	平行线	-
MT49H16M36BM-25：A Tr	-	RFQ	8674	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H16M36	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0032	1,000	400 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	16m x 36	平行线	-
MT40A1G16WBU-075E：b	-	RFQ	1063	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT40A1G16	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,368	1.33 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	1G x 16	平行线	-
MT29F64G08EBAAAWP-Z：a	-	RFQ	4955	微米技术公司	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
MT53E768M64D4HJ-046 AIT：c	58.2150	RFQ	3702	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	556-TFBGA		sdram- lpddr4	1.06V〜1.17V	556-WFBGA （12.4x12.4）	-	rohs3符合条件			557-MT53E768M64D4HJ-046AIT：c			1	2.133 GHz	易挥发的	48Gbit	3.5 ns	德拉姆	768m x 64	平行线	18NS
MT62F4G32D8DV-026 WT ES：B TR	90.4650	RFQ	2945	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	-	-		sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F4G32D8DV-026WTES：BTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	128Gbit		德拉姆	4G x 32	平行线	-
mtfc16galajea-wt tr	-	RFQ	6790	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	-	MTFC16	闪存-NAND	-	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	MMC	-
MT48LC32M8A2P-7E：D TR	-	RFQ	3757	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC32M8A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 8	平行线	14ns
N25Q064A13EW7DFE	-	RFQ	7086	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	N25Q064A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	（8-wpdfn （6x5）（MLP8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	16m x 4	spi	8ms，5ms
MT40A1G16TD-062E AIT：f tr	18.0450	RFQ	2002	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	-	-		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	-	-				557-MT40A1G16TD-062EAIT：ftr			2,000	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	1G x 16	平行线	15ns
MT29F1G08ABADAH4-IT：D TR	-	RFQ	9246	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-
MT29VZZZ7D7HQKWL-062 W ES.G7A	-	RFQ	5471	微米技术公司	-	大部分	过时的				MT29VZZZ7				-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,520
MT53B2DBDS-DC TR	-	RFQ	3045	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4		200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,000		易挥发的			德拉姆
MT29F256G08AUCABK4-10：A TR	-	RFQ	5960	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	-	-	MT29F256G08	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	-	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES：a tr	19.4850	RFQ	9685	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F512G08	Flash -nand（tlc）	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES：ATR		8542.32.0071	2,000	333 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
mtfc64gapalbh-ait es tr	-	RFQ	2664	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-TFBGA	MTFC64	闪存-NAND	-	153-TFBGA（11.5x13）	-		（1 （无限）			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	MMC	-
MT55L256V36PT-7.5	8.2400	RFQ	1	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		SRAM -ZBT	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	8mbit	4.2 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
MT53E1G32D4NQ-053 RS WT：J TR	33.6150	RFQ	8040	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT53E1G32D4NQ-053RSWT：JTR			2,000
EMFA164A2PK-DV-FD	-	RFQ	2358	微米技术公司	-	大部分	过时的				EMFA164				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,680
MT29F2G08ABAGAM79A3WC1L	2.6600	RFQ	6497	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	死	MT29F2G08	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	死	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT29F2G08ABAGAM79A3WC1L		8542.32.0071	1		非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	平行线	-
MT53E2G32D4DE-046 AAT：a	63.1350	RFQ	3530	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	下载				557-MT53E2G32D4DE-046AAT：a			1	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit	3.5 ns	德拉姆	2G x 32	平行线	18NS
MT29F4G16ABBDAH4：D TR	-	RFQ	8384	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G16	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Gbit		闪光	256m x 16	平行线	-
M25P80-VMP6TG TR	-	RFQ	2563	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	M25P80	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	（8-vdfpn（6x5）（MLP8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,000	75 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	spi	15ms，5ms
MT53E128M32D2DS-053 AAT：A TR	-	RFQ	2688	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53E128	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	2,000	1.866 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	128m x 32	-	-
MT29F2G16ABAEAWP-AAT：e	4.7200	RFQ	7411	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	上次购买	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F2G16	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	2Gbit		闪光	128m x 16	平行线	-
MT29F256G08AUEDBJ6-12：D Tr	-	RFQ	8043	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-LBGA	MT29F256G08	Flash -nand（slc）	2.5V〜3.6V	132-LBGA （12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））		MT29F256G08AUEDBJ6-12：DTR	3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	平行线	-
mtfc16gakaecn-2m wt tr	-	RFQ	2349	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	MTFC16	闪存-NAND	1.7V〜1.9V	153-VFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	MMC	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（10403）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²