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（ICS）（10403）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
JS28F640P30TF75A	-	RFQ	9657	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	JS28F640P30	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	96	40 MHz	非易失性	64mbit	75 ns	闪光	4m x 16	平行线	75ns
MT58L64L32DT-10	4.8600	RFQ	21	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	2Mbit	5 ns	SRAM	64k x 32	平行线	-
MT53E1G64D4NZ-046 WT ES：C TR	42.4500	RFQ	7295	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	376-WFBGA		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	376-WFBGA（14x14）	-				557-MT53E1G64D4NZ-046WTES：CTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit	3.5 ns	德拉姆	1G x 64	平行线	18NS
MT53E4G32D8GS-046 WT ES：c	127.0200	RFQ	8433	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C〜85°C	-	-		sdram- lpddr4	-	-	-				557-MT53E4G32D8GS-046WTES：c			1	2.133 GHz	易挥发的	128Gbit		德拉姆	4G x 32	平行线	-
MT25QU256ABA8ESF-0AAT	-	RFQ	7419	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MT25QU256	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	16-SOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-791-MT25QU256ABA8ESF-0AAT	3A991B1A	8542.32.0071	1,440	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	spi	8ms，2.8ms
MT46H64M32LFCX-5 WT：b	-	RFQ	6267	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT46H64M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-VFBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	200 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
MT29F2T08EMHAFJ4-3T：a	-	RFQ	6292	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F2T08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	333 MHz	非易失性	2Tbit		闪光	256g x 8	平行线	-
MT29F32G08AFACAWP-IT：c	-	RFQ	7730	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F32G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	平行线	-
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G	-	RFQ	7858	微米技术公司	-	盒子	过时的				MT29VZZZBC9				-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,140
MT41K2G4RKB-107：p	24.1650	RFQ	9447	微米技术公司	Twindie™	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K2G4	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（8x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,440	933 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	2G x 4	平行线	15ns
MT40A512M8RH-062E：b	-	RFQ	8774	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A512M8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-FBGA（9x10.5）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,260	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	512m x 8	平行线	-
MT41K256M16TW-107在：p tr	-	RFQ	4116	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K256M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		MT41K256M16TW-107AT：PTR	Ear99	8542.32.0036	2,000	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	-
MT29F2T08GELCEJ4-QJ：c tr	39.0600	RFQ	2729	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F2T08GELCEJ4-QJ：CTR			2,000
EDFA232A2PD-GD-FR	-	RFQ	8293	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	EDFA232	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	-	-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,000	800 MHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	平行线	-
MT48LC16M8A2BB-6A AAT：l	-	RFQ	5895	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	MT48LC16M8A2	Sdram	3v〜3.6V	60-FBGA（8x16）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0002	1,650	167 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 8	平行线	12ns
MT29F2G16ABDHC-ET：D Tr	-	RFQ	8333	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F2G16	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（10.5x13）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	2Gbit		闪光	128m x 16	平行线	-
MT48H8M32LFB5-6 IT：h	-	RFQ	6356	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT48H8M32	sdram- lpsdr	1.7V〜1.95V	90-vfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	15ns
MT29F1T08EELEEJ4-T：e	21.4500	RFQ	4971	微米技术公司	-	盒子	积极的	0°C〜70°C	表面安装	132-vbga		Flash -nand（tlc）	2.6v〜3.6V	132-vbga（12x18）	-				557-MT29F1T08EELEEEEJ4-T：E			1		非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
MT53E2G32D4DE-046 AIT：a tr	57.3900	RFQ	6801	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	下载				557-MT53E2G32D4DE-046AIT：ATR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit	3.5 ns	德拉姆	2G x 32	平行线	18NS
MT29F16G08ABACAM72A3WC1	-	RFQ	2996	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	死	MT29F16G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	死	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	平行线	-
MT53D4DBNW-DC TR	70.3950	RFQ	3931	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				MT53D4				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT53D4DBNW-DCTR		0000.00.0000	1,000
MT29F64G08CFACBWP-12Z：c tr	-	RFQ	6875	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
MT29VZZZBD91SLSM-046 W.17X Tr	40.8150	RFQ	4435	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29VZZZBD91SLSM-046W.17XTR			2,000
MT52L4DBPG-DC	-	RFQ	3139	微米技术公司	-	大部分	过时的				MT52L4				-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,890
MT62F1G128DAWA-031 XT：b	136.0800	RFQ	9343	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT62F1G128DAWA-031XT：b			1
MTC8C1084S1SC56BG1	108.7615	RFQ	8727	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MTC8C1084S1SC56BG1			1
mtfc128gazaqjp-it	52.2300	RFQ	1717年	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	MTFC128	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MTFC128GAZAQJP-IT			1,520	200 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	EMMC	-
mtfc8gamalbh-ait	-	RFQ	5090	微米技术公司	E•MMC™	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-TFBGA	mtfc8	闪存-NAND	-	153-TFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,520		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	MMC	-
MT53D768M64D4SQ-046 WT ES：a	-	RFQ	8195	微米技术公司	-	盒子	过时的	-30°C〜85°C（TC）			MT53D768	sdram- lpddr4	1.1V		-					过时的	0000.00.0000	1,360	2.133 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	768m x 64	-	-
MT29F16G08ADBCAH4-IT：c	-	RFQ	8279	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F16G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（10403）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²