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（ICS）（10403）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
M29F800FB5AN6F2 TR	-	RFQ	5372	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29F800	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	8mbit	55 ns	闪光	1M x 8，512k x 16	平行线	55ns
M25P16S-VMN6P	-	RFQ	2578	微米技术公司	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M25P16	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-so	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0071	2,000	75 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	spi	15ms，5ms
MT53B256M64D2NL-062 XT：b	-	RFQ	3104	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜105°C（TC）	-	-	MT53B256	sdram- lpddr4	1.1V	-	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	960	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	256m x 64	-	-
MT29F4T08EMLCHD4-R：c	83.9100	RFQ	9469	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F4T08EMLCHD4-R：c			1
MT29F64G08CBABAWP-M：b tr	-	RFQ	9874	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
MT53D2048M32D8QD-062 WT：d	-	RFQ	4794	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53D2048	sdram- lpddr4	1.1V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,360	1.6 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	2G x 32	-	-
MT47H64M16HW-3 IT：h	-	RFQ	7517	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	MT47H64M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	下载	Rohs不合规	3（168））			Ear99	8542.32.0032	1,000	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
MT47H128M16RT-187E：c	-	RFQ	5936	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	MT47H128M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-fbga（9x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	533 MHz	易挥发的	2Gbit	350 PS	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
MT53E512M32D1ZW-046自动：b	20.3700	RFQ	7058	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E512M32D1ZW-046AUT：b			1	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit	3.5 ns	德拉姆	512m x 32	平行线	18NS
MT62F4G32D8DV-023 WT ES：B TR	90.4650	RFQ	2717	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	-	-		sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F4G32D8DV-023WTES：BTR			2,000	4.266 GHz	易挥发的	128Gbit		德拉姆	4G x 32	平行线	-
MT29F8T08GULCEM4-M：c	156.3000	RFQ	1311	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F8T08GULCEM4-M：c			1
MT52L512M64D4PQ-093 WT：b	-	RFQ	4921	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	253-VFBGA	MT52L512	sdram- lpddr3	1.2V	253-VFBGA（11x11.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,890	1067 MHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
MTFC16GJDDQ-4M IT	-	RFQ	9831	微米技术公司	E•MMC™	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	mtfc16g	闪存-NAND	1.65V〜3.6V	100-LBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	980		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	MMC	-
MT62F768M64D4EJ-031 AAT：A TR	102.7800	RFQ	7008	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				MT62F768				-			到达不受影响	557-MT62F768M64D4EJ-031AAT：ATR			1,500
MT42L128M64D2LL-25 wt：a tr	-	RFQ	8891	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	216-WFBGA	MT42L128M64	sdram- lpddr2	1.14v〜1.3v	216-fbga（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	400 MHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	128m x 64	平行线	-
MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT	-	RFQ	6382	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	130-VFBGA	MT29C1G12	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	130-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	166 MHz	非易失性，挥发性	1GBIT（NAND），1Gbit lpdram）		闪光，ram	128m x 8 nand），32m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT48LC64M4A2P-6A：G Tr	-	RFQ	2247	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC64M4A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	64m x 4	平行线	12ns
MT53E1G32D4NQ-053 RS wt：j	33.6150	RFQ	7458	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT53E1G32D4NQ-053RSWT：j			1
MT29F16G08AJADAWP-IT：d	-	RFQ	6518	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F16G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	平行线	-
JS28F512P33EF0	-	RFQ	7439	微米技术公司	Axcell™	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	JS28F512P33	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0051	96	40 MHz	非易失性	512Mbit	105 ns	闪光	32m x 16	平行线	105ns
JS28F640P30TF75A	-	RFQ	9657	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	JS28F640P30	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	96	40 MHz	非易失性	64mbit	75 ns	闪光	4m x 16	平行线	75ns
MT58L64L32DT-10	4.8600	RFQ	21	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	2Mbit	5 ns	SRAM	64k x 32	平行线	-
MT53E1G64D4NZ-046 WT ES：C TR	42.4500	RFQ	7295	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	376-WFBGA		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	376-WFBGA（14x14）	-				557-MT53E1G64D4NZ-046WTES：CTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit	3.5 ns	德拉姆	1G x 64	平行线	18NS
MT53E4G32D8GS-046 WT ES：c	127.0200	RFQ	8433	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C〜85°C	-	-		sdram- lpddr4	-	-	-				557-MT53E4G32D8GS-046WTES：c			1	2.133 GHz	易挥发的	128Gbit		德拉姆	4G x 32	平行线	-
MT25QU256ABA8ESF-0AAT	-	RFQ	7419	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	大部分	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	MT25QU256	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	16-SOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-791-MT25QU256ABA8ESF-0AAT	3A991B1A	8542.32.0071	1,440	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	spi	8ms，2.8ms
MT46H64M32LFCX-5 WT：b	-	RFQ	6267	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT46H64M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-VFBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	200 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
MT29F2T08EMHAFJ4-3T：a	-	RFQ	6292	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F2T08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120	333 MHz	非易失性	2Tbit		闪光	256g x 8	平行线	-
MT29F32G08AFACAWP-IT：c	-	RFQ	7730	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F32G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	平行线	-
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G	-	RFQ	7858	微米技术公司	-	盒子	过时的				MT29VZZZBC9				-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,140
MT41K2G4RKB-107：p	24.1650	RFQ	9447	微米技术公司	Twindie™	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT41K2G4	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（8x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,440	933 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	2G x 4	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（10403）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²