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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT46V32M16CY-5B:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16CY-5B:J TR -
RFQ
ECAD 5438 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA MT46V32M16 sdram -ddr 2.5v〜2.7V 60-fbga(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
MTFC32GJGEF-AIT Z Micron Technology Inc. mtfc32gjgef-ait z -
RFQ
ECAD 4260 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 169-TFBGA mtfc32g 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 169-TFBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) MTFC32GJGEF-AITZ 过时的 0000.00.0000 980 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 MMC -
MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:e -
RFQ
ECAD 9835 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 不适合新设计 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 376-WFBGA MT53D768 sdram- lpddr4 1.1V 376-WFBGA(14x14) - 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 易挥发的 48Gbit 德拉姆 768m x 64 - -
MT62F768M64D4EK-023 AUT:B Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-023 AUT:b 55.0800
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ECAD 1123 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 441-TFBGA MT62F768 sdram- lpddr5 - 441-TFBGA(14x14) - 557-MT62F768M64D4EK-023AUT:b 1 3.2 GHz 易挥发的 48Gbit 德拉姆 768m x 64 平行线 -
MTFC64GAKAEYF-4M IT Micron Technology Inc. mtfc64gakaeyf-4m it -
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ECAD 1500 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 153-LFBGA MTFC64 闪存-NAND - 153-LFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 MMC -
MT48LC8M16A2P-6A XIT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-6A XIT:l tr 6.5600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC8M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 12ns
MT62F512M64D4EK-031 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F512M64D4EK-031 AAT:b tr 32.5650
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ECAD 6681 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C 表面安装 441-TFBGA sdram- lpddr5 - 441-TFBGA(14x14) - 557-MT62F512M64D4EK-031AAT:BTR 1,500 3.2 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 512m x 64 平行线 -
N25Q512A83GSFA0F TR Micron Technology Inc. N25Q512A83GSFA0F TR -
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ECAD 1158 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) N25Q512A83 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16件事 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,000 108 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 128m x 4 spi 8ms,5ms
MT62F1536M64D8EK-023 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-023 AAT:b 94.8300
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ECAD 4589 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 -40°C〜105°C 表面安装 441-TFBGA sdram- lpddr5 - 441-TFBGA(14x14) - 557-MT62F1536M64D8EK-023AAT:b 1 4.266 GHz 易挥发的 96Gbit 德拉姆 1.5GX 64 平行线 -
MT25QL256ABA8ESF-MSIT TR Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8ESF-MSIT TR -
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ECAD 2713 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) MT25QL256 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16-SOP2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT25QL256ABA8ESF-MSITTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 spi 8ms,2.8ms
M25P40-VMN6PBA Micron Technology Inc. M25P40-VMN6PBA -
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ECAD 3464 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) M25P40 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-so 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 75 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 spi 15ms,5ms
MT53E1G32D2FW-046 AAT:C Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 AAT:c -
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ECAD 7346 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) - 557-MT53E1G32D2FW-046AAT:c 1 2.133 GHz 易挥发的 32Gbit 3.5 ns 德拉姆 1G x 32 平行线 18NS
MT29F128G08CBCABH6-6M:A Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCABH6-6M:a -
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ECAD 7034 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-vbga MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 152-vbga(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT53E512M32D2FW-046 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D2FW-046 WT:D TR -
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ECAD 1628年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 557-MT53E512M32D2FW-046WT:DTR 过时的 2,000
MT55V512V32PF-10 Micron Technology Inc. MT55V512V32PF-10 17.3600
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ECAD 97 0.00000000 微米技术公司 ZBT® 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA SRAM -ZBT 2.375V〜2.625V 165-FBGA(13x15) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 18mbit 5 ns SRAM 512K x 32 平行线 -
M50LPW116N5TG TR Micron Technology Inc. M50LPW116N5TG TR -
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ECAD 8163 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -20°C〜85°C(TA) 表面安装 40-tfsop(0.724英寸,18.40mm宽度) M50LPW116 闪光灯 -也不 3v〜3.6V 40-tsop - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 1,500 33 MHz 非易失性 16mbit 250 ns 闪光 2m x 8 平行线 -
MT29F256G08EFEBBWP-M:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08EFEBBWP-M:b tr -
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ECAD 2802 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F256G08 Flash -nand(tlc) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,000 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53B1G64D8NW-062 WT ES:d -
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ECAD 8382 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -30°C〜85°C(TC) MT53B1G64 sdram- lpddr4 1.1V - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,190 1.6 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 1G x 64 - -
MT41K256M8DA-107 AIT:K TR Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-107 AIT:k tr -
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ECAD 3101 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 -
MT41K256M16TW-107:P Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107:p 7.0600
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ECAD 4 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(8x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,224 933 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 -
MT40A512M16JY-083E AAT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M16JY-083E AAT:b tr -
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ECAD 8984 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-FBGA(8x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 512m x 16 平行线 -
MT29F1T08CMCBBJ4-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CMCBBJ4-37ES:b tr -
RFQ
ECAD 1724年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F1T08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 平行线 -
MT48LC8M16A2B4-6A AAT:L Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2B4-6A AAT:l -
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ECAD 1419 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 54-VFBGA MT48LC8M16A2 Sdram 3v〜3.6V 54-VFBGA(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0002 1,560 167 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 12ns
MTFC32GLXDM-WT Micron Technology Inc. mtfc32glxdm-wt -
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ECAD 3599 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 管子 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 - mtfc32g 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 MMC -
MT62F1G64D8CH-031 WT:A Micron Technology Inc. MT62F1G64D8CH-031 wt:a。 -
RFQ
ECAD 1683年 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -25°C 〜85°C(TC) - - MT62F1G64 sdram- lpddr5 1.05V - - rohs3符合条件 3(168)) 557-MT62F1G64D8CH-031WT:a 过时的 1,190 3.2 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 1G x 64 - -
MT58L256L36FT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L256L36FT-7.5 15.6400
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ECAD 11 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP MT58L256L36 sram-同步 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 113 MHz 易挥发的 8mbit 7.5 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
M25P16-VMN3PB Micron Technology Inc. M25P16-VMN3PB -
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ECAD 2734 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) M25P16 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-so 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 75 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 spi 15ms,5ms
N25Q256A13ESFA0F TR Micron Technology Inc. N25Q256A13ESFA0F TR -
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ECAD 1469 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) N25Q256A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16-SOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 64m x 4 spi 8ms,5ms
MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-046 WT ES:d -
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ECAD 5998 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 200-VFBGA MT53D1024 sdram- lpddr4 1.1V 200-VFBGA(10x14.5) - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 1G x 32 - -
MT45W2MW16PABA-70 WT Micron Technology Inc. MT45W2MW16PABA-70 wt -
RFQ
ECAD 4583 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 48-VFBGA MT45W2MW16 PSRAM (伪 SRAM) 1.7V〜1.95V 48-VFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 易挥发的 32Mbit 70 ns PSRAM 2m x 16 平行线 70NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库