SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
PC48F4400P0VB0EH Micron Technology Inc. PC48F4400P0VB0EH -
RFQ
ECAD 5082 0.00000000 微米技术公司 Axcell™ 托盘 过时的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 64-LBGA PC48F4400 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 64- Easybga(10x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -pc48f4400p0vb0eh 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz 非易失性 512Mbit 100 ns 闪光 32m x 16 平行线 100ns
MT46H8M32LFB5-5 IT:H TR Micron Technology Inc. MT46H8M32LFB5-5 IT:h tr -
RFQ
ECAD 5500 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT46H8M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 易挥发的 256Mbit 5 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 15ns
MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K TR Micron Technology Inc. MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K TR 10.1850
RFQ
ECAD 3918 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 149-WFBGA Flash -nand(slc),DRAM -LPDDR4 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 149-WFBGA(8x9.5) 下载 557-MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87KTR 2,000 非易失性,挥发性 4Gbit 25 ns 闪光,ram 512m x 8 onfi 30ns
MT53E2G32D4DT-046 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DT-046 AIT:a tr 57.3900
RFQ
ECAD 7858 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) MT53E2G32 sdram- lpddr4 1.1V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT53E2G32D4DT-046AIT:ATR 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 2G x 32 - -
N25Q064A13ESEA0F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13ESEA0F TR -
RFQ
ECAD 8405 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) N25Q064A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-SO W - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,500 108 MHz 非易失性 64mbit 闪光 16m x 4 spi 8ms,5ms
MT41K1G8TRF-125:E Micron Technology Inc. MT41K1G8TRF-125:e -
RFQ
ECAD 4778 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT41K1G8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9.5x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 易挥发的 8Gbit 13.5 ns 德拉姆 1G x 8 平行线 -
MT53E768M64D4SQ-046 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4SQ-046 AAT:A TR -
RFQ
ECAD 2036 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TC) MT53E768 sdram- lpddr4 1.1V - rohs3符合条件 3(168)) MT53E768M64D4SQ-046AAT:ATR 过时的 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 易挥发的 48Gbit 德拉姆 768m x 64 - -
MT29F1T08EBLCHD4-QC:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EBLCHD4-QC:c tr 20.9850
RFQ
ECAD 4590 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 557-MT29F1T08EBLCHD4-QC:CTR 2,000
MT47H64M16NF-25E AUT:M TR Micron Technology Inc. MT47H64M16NF-25E自动:M Tr -
RFQ
ECAD 6220 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(8x12.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 2,000 400 MHz 易挥发的 1Gbit 400 ps 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
MT49H16M18CBM-25:B Micron Technology Inc. MT49H16M18CBM-25:b -
RFQ
ECAD 7022 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 144-TFBGA MT49H16M18 德拉姆 1.7V〜1.9V 144-µBGA(18.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 400 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 16m x 18 平行线 -
MT53E2D1AFW-DC Micron Technology Inc. MT53E2D1AFW-DC 22.5000
RFQ
ECAD 7718 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 MT53E2 - 到达不受影响 557-MT53E2D1AFW-DC 1,360
MT62F3G32D8DV-026 WT ES:B Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-026 WT ES:b 122.7600
RFQ
ECAD 7444 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 -25°C〜85°C - - sdram- lpddr5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-026WTES:b 1 3.2 GHz 易挥发的 96Gbit 德拉姆 3G x 32 平行线 -
MT53E2G32D4DE-046 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 AAT:c tr 56.5050
RFQ
ECAD 3009 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) - 557-MT53E2G32D4DE-046AAT:CTR 2,000 2.133 GHz 易挥发的 64Gbit 3.5 ns 德拉姆 2G x 32 平行线 18NS
MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87J TR Micron Technology Inc. MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87J TR 9.0000
RFQ
ECAD 3241 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 149-WFBGA Flash -nand(slc),DRAM -LPDDR4 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 149-WFBGA(8x9.5) - 557-MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87JTR 2,000 非易失性,挥发性 4Gbit 25 ns 闪光,ram 512m x 8 onfi 30ns
MT29F128G08CBCEBL05B3WC1-M Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBL05B3WC1-M 7.7000
RFQ
ECAD 7598 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 1 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT42L128M64D2MP-25 WT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D2MP-25 wt:a -
RFQ
ECAD 9603 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 220-WFBGA MT42L128M64 sdram- lpddr2 1.14v〜1.3v 220-fbga(14x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 128m x 64 平行线 -
MT58L512L18DT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L512L18DT-7.5 8.5300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 8mbit 4 ns SRAM 512k x 18 平行线 -
MT40A2G8JC-062E:E Micron Technology Inc. MT40A2G8JC-062E:e -
RFQ
ECAD 8915 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-fbga(9x11) - rohs3符合条件 到达不受影响 557-MT40A2G8JC-062E:e 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 1.6 GHz 易挥发的 16Gbit 19 ns 德拉姆 2G x 8 平行线 15ns
MT40A1G8SA-062E IT:R Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E IT:R -
RFQ
ECAD 1218 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-fbga(7.5x11) 下载 到达不受影响 557-MT40A1G8SA-062EIT:r 1 1.6 GHz 易挥发的 8Gbit 19 ns 德拉姆 1G x 8 平行线 15ns
MT58L128L32P1T-6C Micron Technology Inc. MT58L128L32P1T-6C 4.7500
RFQ
ECAD 33 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 不适用 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 易挥发的 4Mbit 3.5 ns SRAM 128K x 32 平行线 -
MTC20C2085S1TC48BAX Micron Technology Inc. MTC20C2085S1TC48BAX 410.2350
RFQ
ECAD 9990 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MTC20C2085S1TC48BAX 1
MT29F16G08CBACAL72A3WC1L Micron Technology Inc. MT29F16G08CBACAL72A3WC1L 2.9000
RFQ
ECAD 2117 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 MT29F16G08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 晶圆 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT29F16G08CBACAL72A3WC1L 1 非易失性 16Gbit 闪光 2G x 8 onfi 20NS
MTFC16GAPALBH-IT TR Micron Technology Inc. mtfc16gapalbh-it tr -
RFQ
ECAD 8835 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 153-TFBGA MTFC16 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 153-TFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) mtfc16gapalbh-ittr 过时的 8542.32.0071 1,000 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 MMC -
MT29TZZZAD8DKKBT-107 W ES.9F8 Micron Technology Inc. MT29TZZZAD8DKKBT-107 W ES.9F8 -
RFQ
ECAD 2273 0.00000000 微米技术公司 * 盒子 积极的 MT29TZZZAD8 - 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 1,520
MT29F8G01ADBFD12-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F8G01ADBFD12-AAT:f tr 9.2550
RFQ
ECAD 8269 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-TBGA MT29F8G01 Flash -nand(slc) 1.7V〜1.95V 24-T-PBGA(6x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT29F8G01ADBFD12-AAT:ftr 8542.32.0071 2,000 83 MHz 非易失性 8Gbit 闪光 8g x 1 spi -
MT53E4D1BDE-DC Micron Technology Inc. MT53E4D1BDE-DC 22.5000
RFQ
ECAD 8242 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 MT53E4 - 到达不受影响 557-MT53E4D1BDE-DC 1,360
MTFC8GAMALHT-AAT Micron Technology Inc. mtfc8gamalht-aat 11.1750
RFQ
ECAD 1252 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 -40°C〜105°C(TA) mtfc8 闪存-NAND - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFC8GAMALHT-AAT 8542.32.0071 980 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 MMC -
MT29V5D7GVESL-046I.216 Micron Technology Inc. MT29V5D7GVESL-046I.216 31.6800
RFQ
ECAD 1679年 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29V5D7GVESL-046I.216 1
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAH4-AITX:e tr -
RFQ
ECAD 5560 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 平行线 -
MT62F512M32D2DS-031 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F512M32D2DS-031 AIT:b tr 15.5550
RFQ
ECAD 8613 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C 表面安装 200-WFBGA sdram- lpddr5 - 200-WFBGA(10x14.5) - 557-MT62F512M32D2DS-031AIT:BTR 2,000 3.2 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库