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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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![]() | PC48F4400P0VB0EH | - | ![]() | 5082 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Axcell™ | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 64-LBGA | PC48F4400 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 64- Easybga(10x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | -pc48f4400p0vb0eh | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 100 ns | 闪光 | 32m x 16 | 平行线 | 100ns | |
MT46H8M32LFB5-5 IT:h tr | - | ![]() | 5500 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-VFBGA | MT46H8M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-vfbga(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K TR | 10.1850 | ![]() | 3918 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 149-WFBGA | Flash -nand(slc),DRAM -LPDDR4 | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 149-WFBGA(8x9.5) | 下载 | 557-MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87KTR | 2,000 | 非易失性,挥发性 | 4Gbit | 25 ns | 闪光,ram | 512m x 8 | onfi | 30ns | ||||||||
![]() | MT53E2G32D4DT-046 AIT:a tr | 57.3900 | ![]() | 7858 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | MT53E2G32 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT53E2G32D4DT-046AIT:ATR | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 64Gbit | 德拉姆 | 2G x 32 | - | - | ||||||
![]() | N25Q064A13ESEA0F TR | - | ![]() | 8405 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | N25Q064A13 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-SO W | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,500 | 108 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 16m x 4 | spi | 8ms,5ms | ||||
![]() | MT41K1G8TRF-125:e | - | ![]() | 4778 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT41K1G8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (9.5x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 13.5 ns | 德拉姆 | 1G x 8 | 平行线 | - | ||
![]() | MT53E768M64D4SQ-046 AAT:A TR | - | ![]() | 2036 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | MT53E768 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | MT53E768M64D4SQ-046AAT:ATR | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 48Gbit | 德拉姆 | 768m x 64 | - | - | ||||||
![]() | MT29F1T08EBLCHD4-QC:c tr | 20.9850 | ![]() | 4590 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 557-MT29F1T08EBLCHD4-QC:CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT47H64M16NF-25E自动:M Tr | - | ![]() | 6220 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TC) | 表面安装 | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA(8x12.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 400 ps | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT49H16M18CBM-25:b | - | ![]() | 7022 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 144-TFBGA | MT49H16M18 | 德拉姆 | 1.7V〜1.9V | 144-µBGA(18.5x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 16m x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | MT53E2D1AFW-DC | 22.5000 | ![]() | 7718 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | MT53E2 | - | 到达不受影响 | 557-MT53E2D1AFW-DC | 1,360 | |||||||||||||||||||
![]() | MT62F3G32D8DV-026 WT ES:b | 122.7600 | ![]() | 7444 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | -25°C〜85°C | - | - | sdram- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-026WTES:b | 1 | 3.2 GHz | 易挥发的 | 96Gbit | 德拉姆 | 3G x 32 | 平行线 | - | ||||||||
![]() | MT53E2G32D4DE-046 AAT:c tr | 56.5050 | ![]() | 3009 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4x | 1.06V〜1.17V | 200-tfbga(10x14.5) | - | 557-MT53E2G32D4DE-046AAT:CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 64Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 2G x 32 | 平行线 | 18NS | |||||||
![]() | MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87J TR | 9.0000 | ![]() | 3241 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 149-WFBGA | Flash -nand(slc),DRAM -LPDDR4 | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 149-WFBGA(8x9.5) | - | 557-MT29GZ5A5BPGGA-046IT.87JTR | 2,000 | 非易失性,挥发性 | 4Gbit | 25 ns | 闪光,ram | 512m x 8 | onfi | 30ns | ||||||||
![]() | MT29F128G08CBCEBL05B3WC1-M | 7.7000 | ![]() | 7598 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 死 | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 死 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | MT42L128M64D2MP-25 wt:a | - | ![]() | 9603 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 220-WFBGA | MT42L128M64 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.3v | 220-fbga(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 德拉姆 | 128m x 64 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT58L512L18DT-7.5 | 8.5300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-标准 | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 8mbit | 4 ns | SRAM | 512k x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | MT40A2G8JC-062E:e | - | ![]() | 8915 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 78-fbga(9x11) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 557-MT40A2G8JC-062E:e | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 19 ns | 德拉姆 | 2G x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT40A1G8SA-062E IT:R | - | ![]() | 1218 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 78-fbga(7.5x11) | 下载 | 到达不受影响 | 557-MT40A1G8SA-062EIT:r | 1 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 19 ns | 德拉姆 | 1G x 8 | 平行线 | 15ns | ||||||
![]() | MT58L128L32P1T-6C | 4.7500 | ![]() | 33 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-标准 | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 易挥发的 | 4Mbit | 3.5 ns | SRAM | 128K x 32 | 平行线 | - | |||
![]() | MTC20C2085S1TC48BAX | 410.2350 | ![]() | 9990 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | - | 557-MTC20C2085S1TC48BAX | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29F16G08CBACAL72A3WC1L | 2.9000 | ![]() | 2117 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 死 | MT29F16G08 | Flash -nand (MLC) | 2.7V〜3.6V | 晶圆 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MT29F16G08CBACAL72A3WC1L | 1 | 非易失性 | 16Gbit | 闪光 | 2G x 8 | onfi | 20NS | |||||
![]() | mtfc16gapalbh-it tr | - | ![]() | 8835 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-TFBGA | MTFC16 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA(11.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | mtfc16gapalbh-ittr | 过时的 | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT29TZZZAD8DKKBT-107 W ES.9F8 | - | ![]() | 2273 | 0.00000000 | 微米技术公司 | * | 盒子 | 积极的 | MT29TZZZAD8 | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1,520 | ||||||||||||||||||
MT29F8G01ADBFD12-AAT:f tr | 9.2550 | ![]() | 8269 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | MT29F8G01 | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 24-T-PBGA(6x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT29F8G01ADBFD12-AAT:ftr | 8542.32.0071 | 2,000 | 83 MHz | 非易失性 | 8Gbit | 闪光 | 8g x 1 | spi | - | ||||
![]() | MT53E4D1BDE-DC | 22.5000 | ![]() | 8242 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | MT53E4 | - | 到达不受影响 | 557-MT53E4D1BDE-DC | 1,360 | |||||||||||||||||||
![]() | mtfc8gamalht-aat | 11.1750 | ![]() | 1252 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | mtfc8 | 闪存-NAND | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MTFC8GAMALHT-AAT | 8542.32.0071 | 980 | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | MMC | - | |||||||
![]() | MT29V5D7GVESL-046I.216 | 31.6800 | ![]() | 1679年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | - | 557-MT29V5D7GVESL-046I.216 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29F1G08ABAEAH4-AITX:e tr | - | ![]() | 5560 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F1G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-vfbga(9x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT62F512M32D2DS-031 AIT:b tr | 15.5550 | ![]() | 8613 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr5 | - | 200-WFBGA(10x14.5) | - | 557-MT62F512M32D2DS-031AIT:BTR | 2,000 | 3.2 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 512m x 32 | 平行线 | - |
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