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（ICS）（10403）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT52L1DAPF-DC	-	RFQ	5038	微米技术公司	*	盒子	积极的				MT52L1				-		3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1,134
MT58L256V18P1T-7.5	5.2200	RFQ	282	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4Mbit	4 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
MT29VZZZBDAFQKWL-046 W.G0J	83.2350	RFQ	8344	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	254-BGA		flash -nand，dram -lpddr4x	-	254-MCP	-				557-MT29VZZZBDAFQKWL-046W.G0J			1	2.133 GHz	非易失性，挥发性	2Tbit（nand），48Gbit（LPDDR4X）		闪光，ram	256g x 8 nand），1.5g x 32 lpddr4x）	UFS2.1	-
MT46H32M32LFCM-5：a tr	-	RFQ	2895	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT46H32M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-VFBGA（10x13）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	200 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	32m x 32	平行线	15ns
MT29F4T08EULCEM4-QJ：c	121.0800	RFQ	1863年	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F4T08EULCEM4-QJ：c			1
MT40A2G8JE-062E自动：e tr	24.0300	RFQ	1958年	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（9x11）	下载				557-MT40A2G8JE-062EAUT：ETR			2,000	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	2G x 8	荚	15ns
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W.9D8 TR	-	RFQ	1812年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				MT29VZZZAD8				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,000
PC28F640P33TF60A	-	RFQ	8358	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	64-TBGA	PC28F640	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	64- Easybga（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,800	52 MHz	非易失性	64mbit	60 ns	闪光	4m x 16	平行线	60ns
mtfc128gasaqjp-aat	57.1950	RFQ	3334	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	153-VFBGA		Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	-				557-MTFC128GASAQJP-AAT			1	200 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	EMMC_5.1	-
MT29F2T08GELCEJ4：c	39.0600	RFQ	4612	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F2T08GELCEJ4：c			1
MTEDFBR16SCA-1P2IT	-	RFQ	8301	微米技术公司	-	管子	积极的				MTEDFBR16				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	150
MT62F1G32D2DS-023 AIT：b tr	29.0250	RFQ	5752	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1G32D2DS-023AIT：BTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
mtfc8glwdq-3l aat a tr	-	RFQ	6086	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	100-LBGA	mtfc8	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-LBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））		557-MTFC8GLWDQ-3LAATATR	过时的		1,000	52 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	EMMC	-
MT46H32M32LFCM-5 IT：a tr	-	RFQ	6031	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT46H32M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-VFBGA（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	200 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	32m x 32	平行线	15ns
MT53E768M32D4DE-046 wt：e	25.0400	RFQ	1593年	微米技术公司	-	大部分	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-				557-MT53E768M32D4DE-046WT：e			1	2.133 GHz	易挥发的	24Gbit	3.5 ns	德拉姆	768m x 32	平行线	18NS
MT53E384M32D2FW-046 AIT：e tr	10.7700	RFQ	1894年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								下载				557-MT53E384M32D2FW-046AIT：ETR			2,000
M58LR128KB85ZB5F TR	-	RFQ	6422	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TA）	表面安装	56-VFBGA	M58LR128	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	56-VFBGA（7.7x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	66 MHz	非易失性	128mbit	85 ns	闪光	8m x 16	平行线	85ns
MT29F4G08ABAFAH4-IT：f tr	3.0165	RFQ	1051	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT29F4G08ABAFAH4-IT：ftr		8542.32.0071	2,000		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
MT53E1G32D2FW-046 AUT：A TR	37.7850	RFQ	4063	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	下载				557-MT53E1G32D2FW-046AUT：ATR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	18NS
MT62F768M64D4EK-026 wt：b	34.2750	RFQ	7291	微米技术公司	-	盒子	积极的	-	表面安装	441-TFBGA	MT62F768	sdram- lpddr5	-	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F768M64D4EK-026WT：b			1	3.2 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	768m x 64	平行线	-
MT53E128M32D2DS-053 AUT：A TR	8.7450	RFQ	5628	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53E128	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT53E128M32D2DS-053AUT：ATR	Ear99	8542.32.0036	2,000	1.866 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	128m x 32	-	-
MT53D4DHSB-DC	-	RFQ	9188	微米技术公司	-	盒子	在sic中停产				MT53D4				-			到达不受影响			0000.00.0000	1,190
MT29F4T08GMLCEJ4-M：c tr	78.1500	RFQ	1533年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F4T08GMLCEJ4-M：CTR			2,000
MT48LC32M8A2P-6A IT：G Tr	-	RFQ	9547	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC32M8A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,000	167 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 8	平行线	12ns
MT62F512M64D4EK-031 AUT：b	37.4700	RFQ	8402	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	-	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F512M64D4EK-031AUT：b			1	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	平行线	-
MT53D384M32D2DS-053 AUT：e	-	RFQ	5107	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D384	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,360	1.866 GHz	易挥发的	12Gbit		德拉姆	384m x 32	-	-
MT29F1T08CQCCCBG2-6R：c	-	RFQ	1018	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	272-LFBGA	MT29F1T08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	272-LFBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	980	167 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
MT55V512V32FT-8.8	17.3600	RFQ	206	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT55V512V	sram-同步，ZBT	3.135V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	113 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	512K x 32	平行线	-
MT47H512M8WTR-25E：c	-	RFQ	6981	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	63-TFBGA	MT47H512M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	63-fbga（9x11.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,320	400 MHz	易挥发的	4Gbit	400 ps	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
mtfc8glwdm-ait a	-	RFQ	7180	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-TFBGA	mtfc8	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-TFBGA（11.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））		mtfc8glwdm-aita	过时的	8542.32.0071	1,360		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	MMC	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（10403）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²