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（ICS）（10403）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT41K128M16JT-107：k	-	RFQ	9004	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K128M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,368	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	-
M25P40-VMP6TG TR	-	RFQ	7765	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	M25P40	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	（8-vdfpn（6x5）（MLP8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	4,000	50 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	spi	15ms，5ms
MT46H8M32LFB5-5 IT：h	-	RFQ	4222	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA	MT46H8M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-vfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	200 MHz	易挥发的	256Mbit	5 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	15ns
MT53E768M32D2NP-046 wt：b	14.6700	RFQ	1018	微米技术公司	-	托盘	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT53E768M32D2NP-046WT：b			1,360
MT29F1T08CPCCBH8-6C：c	-	RFQ	5016	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-LBGA	MT29F1T08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	152-lbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	980	167 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
EDB1316BDBH-1DIT-FR TR	-	RFQ	1742年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-VFBGA	EDB1316	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	134-vfbga（10x11.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,000	533 MHz	易挥发的	1Gbit		德拉姆	64m x 16	平行线	-
MT62F512M32D2DR-031 wt：b tr	11.7600	RFQ	1021	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	-	-		sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F512M32D2DR-031WT：BTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	平行线	-
MT29F16G08CBACAL72A3WC1	-	RFQ	8021	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	死	MT29F16G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1		非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	平行线	-
MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT	-	RFQ	2103	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	130-VFBGA	MT29C1G12	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	130-vfbga（8x9）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	1GBIT（NAND），512Mbit（LPDRAM）		闪光，ram	128m x 8（NAND），16m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT49H16M36BM-25：b tr	-	RFQ	1332	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	MT49H16M36	德拉姆	1.7V〜1.9V	144-µBGA（18.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	400 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	16m x 36	平行线	-
MT29F2T08EELCHD4-M：C TR	41.9550	RFQ	1895年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F2T08EELCHD4-M：CTR			2,000
TE28F256P30TFA	-	RFQ	4576	微米技术公司	Strataflash™	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	28F256P30	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	56-tsop	下载	Rohs不合规	2（1年）	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0051	96	40 MHz	非易失性	256Mbit	110 ns	闪光	16m x 16	平行线	110NS
MT53E1G64D4HJ-046自动：C tr	64.9800	RFQ	7826	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	556-TFBGA		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	556-WFBGA （12.4x12.4）	下载				557-MT53E1G64D4HJ-046AUT：CTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit	3.5 ns	德拉姆	1G x 64	平行线	18NS
MT30AZZZZDDB0TPWL-031 WL.19R Tr	108.7200	RFQ	1712	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT30AZZZDDB0TPWL-031WL.19RTR			2,000
MT53E1G32D2NP-053 RS WT：A TR	-	RFQ	4558	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））		557-MT53E1G32D2NP-053RSWT：ATR	过时的		2,000
MT29F2G08ABAGAH4-AITES：G	3.6385	RFQ	3816	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F2G08	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			8542.32.0071	1,260		非易失性	2Gbit		闪光	256m x 8	平行线	-
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES：D TR	-	RFQ	8085	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	376-WFBGA	MT53D512	sdram- lpddr4	1.1V	376-WFBGA（14x14）	-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,000	1.866 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
M29W640GH70NB6E	-	RFQ	4464	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W640	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	56-tsop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	576		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	70NS
MT62F1G32D2DS-023 IT：c	25.1400	RFQ	3152	微米技术公司	-	盒子	积极的	-	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1G32D2DS-023IT：c			1	4.266 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
MT29F128G08AUABAC5-IT：b	-	RFQ	6393	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	52-vlga	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	52-vlga（18x14）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
MT29F1T08EEHAFJ4-3T：a	-	RFQ	5475	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F1T08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-					3A991B1A	8542.32.0071	1,120	333 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
MT62F1536M32D4DS-023 WT：b tr	34.2750	RFQ	7509	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	-	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1536M32D4DS-023WT：BTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	768m x 64	平行线	-
MT29GZ6A6BPIET-046AAT.112 TR	20.2200	RFQ	2577	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	149-VFBGA		Flash -nand（slc），DRAM -LPDDR4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	149-VFBGA（8x9.5）	-				557-MT29GZ6A6BPIET-046AAT.112TR			2,000		非易失性，挥发性	8Gbit	25 ns	闪光，ram	1G x 8	onfi	30ns
MT29F8T08EQLCHL5-QA：c	167.8050	RFQ	4857	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F8T08EQLCHL5-QA：c			1
MT53E4D1BEG-DC TR	-	RFQ	3922	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				MT53E4				-				557-MT53E4D1BEG-DCTR	过时的		2,000
EDF8164A3PK-JD-FR	-	RFQ	9241	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	216-WFBGA	EDF8164	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	216-fbga（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	128m x 64	平行线	-
MT29F4G16ABBFAH4-AAT：f tr	3.8498	RFQ	4284	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G16	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT29F4G16ABBFAH4-AAT：ftr		8542.32.0071	2,000		非易失性	4Gbit		闪光	256m x 16	平行线	-
MT53E1G32D2FW-046 AIT：b	29.9700	RFQ	5624	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	下载				557-MT53E1G32D2FW-046AIT：b			1	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit	3.5 ns	德拉姆	1G x 32	平行线	18NS
MT41J128M16HA-15E：d	-	RFQ	6208	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41J128M16	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-FBGA（9x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	667 MHz	易挥发的	2Gbit	13.5 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	-
MT62F768M64D4EK-026 WT ES：b	51.0300	RFQ	9276	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	441-TFBGA	MT62F768	sdram- lpddr5	-	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F768M64D4EK-026WTES：b			1	3.2 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	768m x 64	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（10403）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²