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（ICS）（10403）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	sic可编程
N25Q032A13ESC40G	-	RFQ	5781	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	N25Q032A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-SOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	108 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	8m x 4	spi	8ms，5ms
MT29F8T08EWLKEM5-ITF：k	257.4000	RFQ	1251	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F8T08EWLKEM5-ITF：k			1
MT29F4G08ABADAH4：D TR	5.6000	RFQ	1	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
MT53D1G32D4NQ-062 wt：d	-	RFQ	7499	微米技术公司	-	大部分	过时的	-30°C〜85°C（TC）			MT53D1G32	sdram- lpddr4	1.1V		-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,360	1.6 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	-	-
MT29F512G08CMCEBJ4-37Itres：e	-	RFQ	2624	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29F512G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-		3（168））	到达不受影响			0000.00.0000	1,120	267 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	平行线	-
MT53E768M64D4HJ-046 wt：a	-	RFQ	2881	微米技术公司	-	盒子	过时的								-				557-MT53E768M64D4HJ-046WT：a	过时的		1
mtfc64gajaedq-aat tr	-	RFQ	2295	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	100-LBGA	MTFC64	闪存-NAND	-	100-LBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	MMC	-
NAND512WA2SZA6E	-	RFQ	1559年	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-TFBGA	Nand512	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	290		非易失性	512Mbit	50 ns	闪光	64m x 8	平行线	50ns
MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87J TR	9.9000	RFQ	5247	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				MT29GZ5				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT29GZ5A5BPGGA-53AIT.87JTR		0000.00.0000	2,000
M29F800FB5AN6F2 TR	-	RFQ	5372	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29F800	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500		非易失性	8mbit	55 ns	闪光	1M x 8，512k x 16	平行线	55ns
MT46V32M8P-5B IT：k	-	RFQ	6682	微米技术公司	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V32M8	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	66-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	200 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 8	平行线	15ns	未行业行业经验证
MT53E512M64D2RR-046 wt：b tr	26.1150	RFQ	4229	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				MT53E512				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-MT53E512M64D2RR-046WT：BTR			2,000
MT29F2G16ABBGAH4-AATE：G Tr	5.3168	RFQ	9525	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F2G16	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT29F2G16ABBGAH4-AATE：GTR		0000.00.0000	2,000		非易失性	2Gbit		闪光	128m x 16	平行线	-
MT47H64M8SH-25E：h tr	3.4998	RFQ	7981	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	MT47H64M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x10）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT47H64M8SH-25E：HTR	Ear99	8542.32.0028	2,000	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
MT53E2G32D4DT-046 wt：a	47.4300	RFQ	7844	微米技术公司	-	托盘	积极的	-30°C〜85°C（TC）			MT53E2G32	sdram- lpddr4	1.1V		-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	MT53E2G32D4DT-046WT：a		0000.00.0000	1,360	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	2G x 32	-	-
MT40A4G8BAF-062E：b	-	RFQ	8492	微米技术公司	Twindie™	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A4G8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（10.5x11）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	557-MT40A4G8BAF-062E：b	过时的	8542.32.0071	168	1.6 GHz	非易失性	32Gbit	13.75 ns	德拉姆	4G x 8	平行线	-
MT55V512V36PT-6	17.3600	RFQ	158	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT55V512V	sram-异步，ZBT	2.375V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	易挥发的	18mbit	3.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
MT54W2MH8JF-7.5	25.3300	RFQ	193	微米技术公司	QDR™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	MT54W2MH	sram-四边形端口，同步	1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	16mbit	7.5 ns	SRAM	2m x 8	平行线	-
MT58L256L36FS-7.5Tr	9.2400	RFQ	1	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	500	113 MHz	易挥发的	8mbit	7.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
MT55V512V32PT-10	17.3600	RFQ	20	微米技术公司	ZBT®	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT55V512V	sram-异步，ZBT	2.375V〜3.465V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	18mbit	5 ns	SRAM	512K x 32	平行线	-
MT58L128L32F1T-6.8	7.7500	RFQ	732	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT58L128L32	sram-同步	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	易挥发的	4Mbit	6.8 ns	SRAM	128K x 32	平行线	-
MT53E1G32D4NQ-046 wt：f tr	-	RFQ	9225	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C 〜85°C	表面安装	200-VFBGA		sdram- lpddr4	1.06V〜1.17V	200-VFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件			557-MT53E1G32D4NQ-046WT：ftr	过时的		1	2.133 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32		-
MT29F8T08ESLCEG4-R：c tr	242.1750	RFQ	5784	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F8T08ESLCEG4-R：CTR			1,500
MT62F1536M32D4DS-023 AIT：b tr	43.5300	RFQ	2678	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT62F1536M32D4DS-023AIT：BTR			2,000
MT29F2T08EELCHD4-T：C TR	41.9550	RFQ	5432	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F2T08EELCHD4-T：CTR			2,000
MT29F8T08EWLEEM5-R：e	171.6300	RFQ	7648	微米技术公司	-	盒子	积极的	0°C〜70°C	-	-		Flash -nand（tlc）	-	-	-				557-MT29F8T08EWLEEM5-R：e			1		非易失性	8Tbit		闪光	1t x 8	平行线	-
MT62F1536M32D4DS-023 FAAT：b	47.8950	RFQ	9770	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	盒子	积极的	-	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	-	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1536M32D4DS-023FAAT：b			1	4.266 GHz	易挥发的	48Gbit		德拉姆	1.5GX 32	平行线	-
MT40A2G8JE-062E AAT：e tr	17.1750	RFQ	4228	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（9x11）	下载				557-MT40A2G8JE-062EAAT：ETR			2,000	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	2G x 8	荚	15ns
MT40A8G4NEA-062E：f tr	52.5000	RFQ	7488	微米技术公司	Twindie™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	-				557-MT40A8G4NEA-062E：ftr			2,000	1.6 GHz	易挥发的	32Gbit	13.75 ns	德拉姆	8g x 4	平行线	-
MT29F4T08EQLCEG8-R：c tr	121.0800	RFQ	7256	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F4T08EQLCEG8-R：CTR			2,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（10403）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²