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![]() | MT58V1MV18DT-6 | 18.9400 | ![]() | 42 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-标准 | 2.375V〜2.625V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.5 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | MT29F4G08ABAFAH4-AITES:f | - | ![]() | 9437 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F4G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-vfbga(9x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,620 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | - | ||||
MT35XU512ABA1G12-0SIT | 10.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | MT35XU512 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA(6x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,144 | 200 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 6 ns | 闪光 | 64m x 8 | spi -octal I/o | 2.8ms | |||
MT40A1G8SA-062E:j | - | ![]() | 3675 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 78-fbga(7.5x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 19 ns | 德拉姆 | 1G x 8 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | MT53E768M32D4DT-046自动:e | 50.2500 | ![]() | 8765 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TC) | MT53E768 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | 到达不受影响 | 557-MT53E768M32D4DT-046AUT:e | 136 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 24Gbit | 德拉姆 | 768m x 32 | - | - | |||||||||
MT41K128M16JT-125 V:k | - | ![]() | 9488 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | MT41K128M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA(8x14) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,368 | 800 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 13.75 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR | - | ![]() | 5708 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -30°C〜105°C(TC) | - | - | MT53B256 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 256m x 64 | - | - | |||
![]() | PC28F640P33T85A | - | ![]() | 1072 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Strataflash™ | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 64-TBGA | PC28F640 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 64- Easybga(10x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 52 MHz | 非易失性 | 64mbit | 85 ns | 闪光 | 4m x 16 | 平行线 | 85ns | ||
![]() | MT53D512M16D1DS-046 AIT:D Tr | 9.3750 | ![]() | 3810 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53D512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT53D512M16D1DS-046AIT:DTR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 德拉姆 | 512m x 16 | - | - | ||
![]() | MT58L64V36PT-5 | 4.3200 | ![]() | 944 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-标准 | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 易挥发的 | 2Mbit | 3.5 ns | SRAM | 64k x 36 | 平行线 | - | ||||||
![]() | MT29F128G08CBCEBJ4-37ITR:e | - | ![]() | 6591 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 132-vbga | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 132-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 8542.32.0071 | 1,120 | 267 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | mtfc16gapalht-ait | - | ![]() | 6498 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | MTFC16 | 闪存-NAND | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MTFC16GAPALHT-AIT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | MT41K1G8RKB-107:p tr | 24.1650 | ![]() | 4211 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Twindie™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT41K1G8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA(8x10.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT41K1G8RKB-107:Ptr | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 1G x 8 | 平行线 | 15ns | |
![]() | MT53B512M64D4NK-053 WT ES:c | - | ![]() | 3969 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 366-WFBGA | MT53B512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 366-WFBGA(15x15) | - | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 512m x 64 | - | - | |||||
![]() | MT53B192M32D1Z9AMWC1 | - | ![]() | 5206 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜85°C(TC) | - | - | MT53B192 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | - | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 易挥发的 | 6Gbit | 德拉姆 | 192m x 32 | - | - | ||||||
![]() | MT53E4D1BDE-DC TR | 22.5000 | ![]() | 2754 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | MT53E4 | - | 到达不受影响 | 557-MT53E4D1BDE-DCTR | 2,000 | |||||||||||||||||||
![]() | MTFC128GBCAQTC-IT | 52.3700 | ![]() | 4518 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 557-MTFC128GBCAQTC-IT | 1,520 | |||||||||||||||||||
![]() | MT29F1G16ABBFAH4-AATE:f | - | ![]() | 8616 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F1G16 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga(9x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 64m x 16 | 平行线 | - | |||||
![]() | MT29VZZCD91SFSM-046 W.18C | 32.0400 | ![]() | 3201 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 557-MT29VZZCD91SFSM-046W.18C | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | MT53D4D1ASQ-DC TR | - | ![]() | 1224 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | MT53D4 | - | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 2,000 | |||||||||||||||||||
MT25QL128ABB8E12-CAUT | 4.8849 | ![]() | 3572 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | -791-MT25QL128ABB8E12-CAUT | 1,122 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 5 ns | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 1.8ms | |||||
![]() | MT53D4DBBP-DC TR | - | ![]() | 8427 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | - | - | MT53D4 | sdram- lpddr4 | - | - | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 2,000 | 易挥发的 | 德拉姆 | |||||||||||||
![]() | MT28EW512ABA1HPN-0SIT TR | - | ![]() | 6321 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-VFBGA | MT28EW512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-VFBGA(7x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | MT28EW512ABA1HPN-0SITTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 非易失性 | 512Mbit | 95 ns | 闪光 | 64m x 8,32m x 16 | 平行线 | 60ns | |||
MT29F1G01ABBFD12-AAT:f tr | 2.9665 | ![]() | 3763 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | MT29F1G01 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 24-T-PBGA(6x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT29F1G01ABBFD12-AAT:ftr | 8542.32.0071 | 2,000 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 1G x 1 | spi | - | |||||
![]() | M29F400BT70M1 | - | ![]() | 8944 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-Soic(0.496英寸,宽度为12.60mm) | M29F400 | 闪光灯 -也不 | 4.5V〜5.5V | 44-SO | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 16 | 非易失性 | 4Mbit | 70 ns | 闪光 | 512k x 8,256k x 16 | 平行线 | 70NS | |||
MT53E1G32D2FW-046 AAT:a | 32.8500 | ![]() | 1545年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 盒子 | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4x | 1.06V〜1.17V | 200-tfbga(10x14.5) | 下载 | 557-MT53E1G32D2FW-046AAT:a | 1 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 1G x 32 | 平行线 | 18NS | |||||||||
![]() | M29W400BT90N1 | - | ![]() | 9610 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | M29W400 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 4Mbit | 90 ns | 闪光 | 512k x 8,256k x 16 | 平行线 | 90NS | |||
MT48H4M16LFB4-8:h tr | - | ![]() | 6716 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-VFBGA | MT48H4M16 | sdram- lpsdr | 1.7V〜1.9V | 54-VFBGA(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 6 ns | 德拉姆 | 4m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
MT53E512M32D1ZW-046 IT:b | 14.6250 | ![]() | 8386 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | MT53E512 | sdram- lpddr4 | 1.06V〜1.17V | 200-tfbga(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MT53E512M32D1ZW-046IT:b | 1,360 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 512m x 32 | 平行线 | 18NS |
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