SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
PF58F0095HVT0B0A Micron Technology Inc. PF58F0095HVT0B0A -
RFQ
ECAD 9842 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,104
M25PX32-VMP6F TR Micron Technology Inc. M25PX32-VMP6F TR -
RFQ
ECAD 3444 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 M25PX32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V (8-vdfpn(6x5)(MLP8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 75 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 spi 15ms,5ms
MT53D768M64D4SQ-046 WT ES:A TR Micron Technology Inc. MT53D768M64D4SQ-046 WT ES:A TR -
RFQ
ECAD 6332 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) MT53D768 sdram- lpddr4 1.1V - 过时的 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 易挥发的 48Gbit 德拉姆 768m x 64 - -
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.8C Micron Technology Inc. MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.8C -
RFQ
ECAD 1234 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 - - MT29RZ4 - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 0000.00.0000 1,190
MT61K512M32KPA-24:U Micron Technology Inc. MT61K512M32KPA-24:u 33.4650
RFQ
ECAD 5279 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 180-TFBGA sgram -gddr6 1.3095V〜1.3905V 180-FBGA(12x14) - 557-MT61K512M32KPA-24:u 1 12 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 POD_135 -
MT41K256M8DA-125:K TR Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125:k tr -
RFQ
ECAD 9938 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 易挥发的 2Gbit 13.75 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 -
MT53E1G32D2FW-046 AUT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 AUT:C TR -
RFQ
ECAD 2169 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) - 557-MT53E1G32D2FW-046AUT:CTR 1 2.133 GHz 易挥发的 32Gbit 3.5 ns 德拉姆 1G x 32 平行线 18NS
MT41K512M16VRN-107 IT:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M16VRN-107 IT:p tr -
RFQ
ECAD 8980 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(8x14) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT41K512M16VRN-107IT:PTR Ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
MT29F4G08ABBDAHC-IT:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAHC-IT:d 5.9300
RFQ
ECAD 769 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G08 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(10.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 平行线 -
M45PE10S-VMP6TG TR Micron Technology Inc. M45PE10S-VMP6TG TR -
RFQ
ECAD 6971 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 M45PE10 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-VFQFPN(6x5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0071 4,000 75 MHz 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 spi 3ms
MT62F512M64D4EK-031 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT62F512M64D4EK-031自动:b tr 37.4700
RFQ
ECAD 7360 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 441-TFBGA sdram- lpddr5 - 441-TFBGA(14x14) - 557-MT62F512M64D4EK-031AUT:BTR 1,500 3.2 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 512m x 64 平行线 -
N25Q064A13ESFD0F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13ESFD0F TR -
RFQ
ECAD 6846 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) N25Q064A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16件事 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,000 108 MHz 非易失性 64mbit 闪光 16m x 4 spi 8ms,5ms
MT53E2D1BCY-DC Micron Technology Inc. MT53E2D1BCY-DC 22.5000
RFQ
ECAD 2385 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 MT53E2 - 到达不受影响 557-MT53E2D1BCY-DC 1,360
MT53E1G64D4NZ-046 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53E1G64D4NZ-046 WT ES:c 42.4500
RFQ
ECAD 9816 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 376-WFBGA sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 376-WFBGA(14x14) - 557-MT53E1G64D4NZ-046WTES:c 1 2.133 GHz 易挥发的 64Gbit 3.5 ns 德拉姆 1G x 64 平行线 18NS
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NK-053 WT ES:c -
RFQ
ECAD 5947 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - MT53B256 sdram- lpddr4 1.1V - - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,190 1.866 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 256m x 64 - -
MTFC4GACAEAM-1M WT Micron Technology Inc. mtfc4gacaeam-1m wt -
RFQ
ECAD 2463 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 大部分 过时的 -25°C〜85°C(TA) mtfc4 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 32Gbit 闪光 4G x 8 MMC -
MT28GU256AAA2EGC-0SIT TR Micron Technology Inc. MT28GU256AAA2EGC-0SIT TR -
RFQ
ECAD 6828 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-TBGA MT28GU256 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 64-TBGA(10x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 96 ns 闪光 32m x 8 平行线 -
PC28F00AM29EWH0 Micron Technology Inc. PC28F00AM29EWH0 -
RFQ
ECAD 8390 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-LBGA PC28F00A 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-FBGA(11x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 184 非易失性 1Gbit 100 ns 闪光 128m x 8,64m x 16 平行线 100ns
MTFC32GASAONS-AAT TR Micron Technology Inc. mtfc32gasaons-aat tr 23.2950
RFQ
ECAD 9183 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q104 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 153-TFBGA Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 153-TFBGA(11.5x13) - 557-MTFC32GASAONS-AATTR 2,000 52 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 UFS2.1 -
MT53E384M32D2DS-046 AAT:E TR Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-046 AAT:e tr -
RFQ
ECAD 5451 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53E384 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT53E384M32D2DS-046AAT:ETR Ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 易挥发的 12Gbit 德拉姆 384m x 32 - -
MT46H128M32L2KQ-48 IT:C Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-48 IT:c -
RFQ
ECAD 9281 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 168-WFBGA MT46H128M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-WFBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,008 208 MHz 易挥发的 4Gbit 5 ns 德拉姆 128m x 32 平行线 14.4ns
MT46H16M32LFCX-5 IT:B Micron Technology Inc. MT46H1M32LFCX-5 IT:b -
RFQ
ECAD 7650 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 易挥发的 512Mbit 5 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 15ns
MT29F512G08EBLGEJ4-ITF:G Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLGEJ4-ITF:g 17.6850
RFQ
ECAD 8474 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F512G08EBLGEJ4-ITF:g 1
MT55L512Y32PT-6 Micron Technology Inc. MT55L512Y32PT-6 18.9400
RFQ
ECAD 692 0.00000000 微米技术公司 ZBT® 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP MT55L512Y sram-异步,ZBT 3.135V〜3.465V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 易挥发的 18mbit 3.5 ns SRAM 512K x 32 平行线 -
MT29F1T08EBLCHD4-T:C Micron Technology Inc. MT29F1T08EBLCHD4-T:c 20.9850
RFQ
ECAD 6622 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F1T08EBLCHD4-T:c 1
MT40A2G8SA-062E:F TR Micron Technology Inc. MT40A2G8SA-062E:f tr 13.5900
RFQ
ECAD 3623 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-fbga(7.5x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -791-MT40A2G8SA-062E:FTRCT 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 1.5 GHz 易挥发的 16Gbit 19 ns 德拉姆 2G x 8 平行线 15ns
N25Q032A13ESC40G Micron Technology Inc. N25Q032A13ESC40G -
RFQ
ECAD 5781 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) N25Q032A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-SOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 108 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 8m x 4 spi 8ms,5ms
MT29F8T08EWLKEM5-ITF:K Micron Technology Inc. MT29F8T08EWLKEM5-ITF:k 257.4000
RFQ
ECAD 1251 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F8T08EWLKEM5-ITF:k 1
MT29F4G08ABADAH4:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAH4:D TR 5.6000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 平行线 -
MT53D1G32D4NQ-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53D1G32D4NQ-062 wt:d -
RFQ
ECAD 7499 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -30°C〜85°C(TC) MT53D1G32 sdram- lpddr4 1.1V - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,360 1.6 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 1G x 32 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库