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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT29F8T08EULCHD5-R:C Micron Technology Inc. MT29F8T08EULCHD5-R:c 167.8050
RFQ
ECAD 7904 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F8T08EULCHD5-R:c 1
MT58V1MV18DT-6 Micron Technology Inc. MT58V1MV18DT-6 18.9400
RFQ
ECAD 42 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 2.375V〜2.625V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 易挥发的 18mbit 3.5 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAFAH4-AITES:f -
RFQ
ECAD 9437 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F4G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,620 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 平行线 -
MT35XU512ABA1G12-0SIT Micron Technology Inc. MT35XU512ABA1G12-0SIT 10.4800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA MT35XU512 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 24-T-PBGA(6x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,144 200 MHz 非易失性 512Mbit 6 ns 闪光 64m x 8 spi -octal I/o 2.8ms
MT40A1G8SA-062E:J Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E:j -
RFQ
ECAD 3675 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-fbga(7.5x11) - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,260 1.6 GHz 易挥发的 8Gbit 19 ns 德拉姆 1G x 8 平行线 15ns
MT53E768M32D4DT-046 AUT:E Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-046自动:e 50.2500
RFQ
ECAD 8765 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TC) MT53E768 sdram- lpddr4 1.1V - 到达不受影响 557-MT53E768M32D4DT-046AUT:e 136 2.133 GHz 易挥发的 24Gbit 德拉姆 768m x 32 - -
MT41K128M16JT-125 V:K Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-125 V:k -
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ECAD 9488 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(8x14) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,368 800 MHz 易挥发的 2Gbit 13.75 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 -
MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR -
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ECAD 5708 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -30°C〜105°C(TC) - - MT53B256 sdram- lpddr4 1.1V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 256m x 64 - -
PC28F640P33T85A Micron Technology Inc. PC28F640P33T85A -
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ECAD 1072 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 托盘 过时的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 64-TBGA PC28F640 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 64- Easybga(10x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52 MHz 非易失性 64mbit 85 ns 闪光 4m x 16 平行线 85ns
MT53D512M16D1DS-046 AIT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M16D1DS-046 AIT:D Tr 9.3750
RFQ
ECAD 3810 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53D512 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(10x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT53D512M16D1DS-046AIT:DTR Ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 易挥发的 8Gbit 德拉姆 512m x 16 - -
MT58L64V36PT-5 Micron Technology Inc. MT58L64V36PT-5 4.3200
RFQ
ECAD 944 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 MHz 易挥发的 2Mbit 3.5 ns SRAM 64k x 36 平行线 -
MT29F128G08CBCEBJ4-37ITR:E Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBJ4-37ITR:e -
RFQ
ECAD 6591 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 132-vbga MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 132-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 8542.32.0071 1,120 267 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MTFC16GAPALHT-AIT Micron Technology Inc. mtfc16gapalht-ait -
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ECAD 6498 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) MTFC16 闪存-NAND - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFC16GAPALHT-AIT 3A991B1A 8542.32.0071 980 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 MMC -
MT41K1G8RKB-107:P TR Micron Technology Inc. MT41K1G8RKB-107:p tr 24.1650
RFQ
ECAD 4211 0.00000000 微米技术公司 Twindie™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT41K1G8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA(8x10.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT41K1G8RKB-107:Ptr Ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 1G x 8 平行线 15ns
MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NK-053 WT ES:c -
RFQ
ECAD 3969 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 366-WFBGA MT53B512 sdram- lpddr4 1.1V 366-WFBGA(15x15) - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,190 1.866 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 512m x 64 - -
MT53B192M32D1Z9AMWC1 Micron Technology Inc. MT53B192M32D1Z9AMWC1 -
RFQ
ECAD 5206 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜85°C(TC) - - MT53B192 sdram- lpddr4 1.1V - - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1 易挥发的 6Gbit 德拉姆 192m x 32 - -
MT53E4D1BDE-DC TR Micron Technology Inc. MT53E4D1BDE-DC TR 22.5000
RFQ
ECAD 2754 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 MT53E4 - 到达不受影响 557-MT53E4D1BDE-DCTR 2,000
MTFC128GBCAQTC-IT Micron Technology Inc. MTFC128GBCAQTC-IT 52.3700
RFQ
ECAD 4518 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 - rohs3符合条件 3(168)) 557-MTFC128GBCAQTC-IT 1,520
MT29F1G16ABBFAH4-AATES:F Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBFAH4-AATE:f -
RFQ
ECAD 8616 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G16 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 8542.32.0071 1 非易失性 1Gbit 闪光 64m x 16 平行线 -
MT29VZZZCD91SFSM-046 W.18C Micron Technology Inc. MT29VZZCD91SFSM-046 W.18C 32.0400
RFQ
ECAD 3201 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 - rohs3符合条件 557-MT29VZZCD91SFSM-046W.18C 1
MT53D4D1ASQ-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4D1ASQ-DC TR -
RFQ
ECAD 1224 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 MT53D4 - 到达不受影响 0000.00.0000 2,000
MT25QL128ABB8E12-CAUT Micron Technology Inc. MT25QL128ABB8E12-CAUT 4.8849
RFQ
ECAD 3572 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 24-TBGA 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -791-MT25QL128ABB8E12-CAUT 1,122 133 MHz 非易失性 128mbit 5 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O。 1.8ms
MT53D4DBBP-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4DBBP-DC TR -
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ECAD 8427 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 - - MT53D4 sdram- lpddr4 - - 到达不受影响 0000.00.0000 2,000 易挥发的 德拉姆
MT28EW512ABA1HPN-0SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW512ABA1HPN-0SIT TR -
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ECAD 6321 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-VFBGA MT28EW512 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 56-VFBGA(7x9) 下载 rohs3符合条件 3(168)) MT28EW512ABA1HPN-0SITTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 非易失性 512Mbit 95 ns 闪光 64m x 8,32m x 16 平行线 60ns
MT29F1G01ABBFD12-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F1G01ABBFD12-AAT:f tr 2.9665
RFQ
ECAD 3763 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-TBGA MT29F1G01 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 24-T-PBGA(6x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT29F1G01ABBFD12-AAT:ftr 8542.32.0071 2,000 非易失性 1Gbit 闪光 1G x 1 spi -
M29F400BT70M1 Micron Technology Inc. M29F400BT70M1 -
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ECAD 8944 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-Soic(0.496英寸,宽度为12.60mm) M29F400 闪光灯 -也不 4.5V〜5.5V 44-SO - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 16 非易失性 4Mbit 70 ns 闪光 512k x 8,256k x 16 平行线 70NS
MT53E1G32D2FW-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 AAT:a 32.8500
RFQ
ECAD 1545年 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 盒子 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) 下载 557-MT53E1G32D2FW-046AAT:a 1 2.133 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 1G x 32 平行线 18NS
M29W400BT90N1 Micron Technology Inc. M29W400BT90N1 -
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ECAD 9610 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) M29W400 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-TSOP - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 96 非易失性 4Mbit 90 ns 闪光 512k x 8,256k x 16 平行线 90NS
MT48H4M16LFB4-8:H TR Micron Technology Inc. MT48H4M16LFB4-8:h tr -
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ECAD 6716 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-VFBGA MT48H4M16 sdram- lpsdr 1.7V〜1.9V 54-VFBGA(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 易挥发的 64mbit 6 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 15ns
MT53E512M32D1ZW-046 IT:B Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046 IT:b 14.6250
RFQ
ECAD 8386 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-tfbga MT53E512 sdram- lpddr4 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT53E512M32D1ZW-046IT:b 1,360 2.133 GHz 易挥发的 16Gbit 3.5 ns 德拉姆 512m x 32 平行线 18NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库