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（ICS）（10403）

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MT53E1G64D4SQ-046 AAT：A TR	-	RFQ	7665	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）			MT53E1G64	sdram- lpddr4	1.1V		-	rohs3符合条件	3（168））		MT53E1G64D4SQ-046AAT：ATR	过时的	0000.00.0000	2,000	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	1G x 64	-	-
N25W128A11EF740F TR	-	RFQ	4635	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	N25W128	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	（8-vdfpn（6x5）（MLP8）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	4,000	108 MHz	非易失性	128mbit		闪光	32m x 4	spi	-
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M50FW080NB5TG TR	-	RFQ	9626	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-20°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.488“，12.40mm宽度）	M50FW080	闪光灯 -也不	3v〜3.6V	32-tsop	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,500	33 MHz	非易失性	8mbit	250 ns	闪光	1m x 8	平行线	-
N25Q128A31EF840F TR	-	RFQ	7390	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	N25Q128A31	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	8-vdfpn（MLP8）（8x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	4,000	108 MHz	非易失性	128mbit		闪光	32m x 4	spi	8ms，5ms
MT46V32M16TG-6T：f tr	-	RFQ	2233	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V32M16	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
MT53B384M16D1NK-062 WT ES：b	-	RFQ	3629	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53B384	sdram- lpddr4	1.1V	-	-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,190	1.6 GHz	易挥发的	6Gbit		德拉姆	384m x 16	-	-
MT28F400B5SG-8 T tr	-	RFQ	3459	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-Soic（0.496英寸，宽度为12.60mm）	MT28F400B5	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	44-SO	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	500		非易失性	4Mbit	80 ns	闪光	512k x 8，256k x 16	平行线	80ns
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MT53B1DATG-DC	-	RFQ	6798	微米技术公司	-	盒子	过时的					sdram- lpddr4			-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	960		易挥发的			德拉姆
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MT29GZ5A5BPGGA-53ITES.87J	-	RFQ	4663	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	149-WFBGA	MT29GZ5A5	flash -nand，dram -lpddr4	1.8V	149-WFBGA（8x9.5）	-		3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260	1866 MHz	非易失性，挥发性	4GBIT（NAND），4Gbit（LPDDR4）		闪光，ram	512m x 8 nand），128m x 32 lpddr4）	平行线	-
MT40A1G8WE-083E自动：b	-	RFQ	3739	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A1G8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-FBGA（8x12）	下载			到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,900	1.2 GHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	1G x 8	平行线	-
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MT25QL128ABB1EW7-CSIT TR	-	RFQ	2737	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	MT25QL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	（8-wpdfn （6x5）（MLP8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	133 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	spi	8ms，2.8ms
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MT41K512M16HA-125：A TR	-	RFQ	3887	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K512M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	2,000	800 MHz	易挥发的	8Gbit	13.5 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	-
MT29TZZZ8D5BKFAH-125 W.95K	-	RFQ	4100	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C〜85°C	-	-	MT29TZZZ8	flash -nand，dram -lpddr3	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	-	-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,520	800 MHz	非易失性，挥发性	64Gbit（NAND），8Gbit（8Gbit）lpddr3）		闪光，ram	68g x 8 nand），256m x 32 lpddr3）	MMC，LPDRAM	-
EDF8132A3PK-GD-FD	-	RFQ	7417	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	EDF8132	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,520	800 MHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	256m x 32	平行线	-
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M29F040B70N6E	-	RFQ	4990	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	M29F040	闪光灯 -也不	4.5V〜5.5V	32-tsop	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	156		非易失性	4Mbit	70 ns	闪光	512k x 8	平行线	70NS
M36W0R6050U4ZSE	-	RFQ	1521年	微米技术公司	-	托盘	过时的				M36W0R6050				-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	2,304

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（10403）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²