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（ICS）（10403）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
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MT29F1T08EBLCHD4-R：c	20.9850	RFQ	6080	微米技术公司	-	盒子	积极的								-				557-MT29F1T08EBLCHD4-R：c			1
MT41J128M16HA-125：d	-	RFQ	4493	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41J128M16	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-FBGA（9x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	800 MHz	易挥发的	2Gbit	13.75 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	-
MT29VZZZAD9GQFSM-046 W.9S9 Tr	60.2850	RFQ	7138	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29VZZZAD9GQFSM-046W.9S9TR			2,000
MT29F128G08CFEFBWP：f	-	RFQ	7718	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F128G08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	供应商不确定			过时的	0000.00.0000	1		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
M25P128-VME6TGB TR	-	RFQ	6734	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	M25P128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-vdfpn（MLP8）（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	54 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	spi	15ms，5ms
M50FLW080AK5TG TR	-	RFQ	6809	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-20°C〜85°C（TA）	表面安装	32-lcc（j-lead）	M50FLW080	闪光灯 -也不	3v〜3.6V	32-PLCC （11.35x13.89）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	750	33 MHz	非易失性	8mbit	250 ns	闪光	1m x 8	平行线	-
MT41J64M16JT-187E：G Tr	-	RFQ	3164	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41J64M16	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-FBGA（8x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	533 MHz	易挥发的	1Gbit		德拉姆	64m x 16	平行线	-
MT46H128M16LFDD-48 wt：c	-	RFQ	2633	微米技术公司	-	大部分	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	60-vfbga	MT46H128M16	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-vfbga（8x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,782	208 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	14.4ns
MT53E4D1AHJ-DC	22.5000	RFQ	1036	微米技术公司	-	大部分	积极的				MT53E4				-			到达不受影响	557-MT53E4D1AHJ-DC			1,360
MT53E768M64D4HJ-046 AIT：a tr	-	RFQ	4381	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	556-TFBGA		sdram- lpddr4	1.06V〜1.17V	556-WFBGA （12.4x12.4）	-	rohs3符合条件			557-MT53E768M64D4HJ-046AIT：ATR	过时的		1	2.133 GHz	易挥发的	48Gbit	3.5 ns	德拉姆	768m x 64	平行线	18NS
MT47H64M8B6-25E：D Tr	-	RFQ	1783年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	60-FBGA	MT47H64M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-FBGA	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0024	1,000	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
MT29F2T08EMLEEJ4-T：E TR	42.9300	RFQ	5014	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C	表面安装	132-vbga		Flash -nand（tlc）	2.6v〜3.6V	132-vbga（12x18）	-				557-MT29F2T08EMLEEJ4-T：ETR			2,000		非易失性	2Tbit		闪光	256g x 8	平行线	-
MT29C2G24MAAAAAAHAHAML-5 IT	-	RFQ	8586	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	MT29C2G24	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	153-VFBGA	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	2Gbit（NAND），1Gbit lpdram）		闪光，ram	256m x 8 nand），64m x 16 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT29F8G08ABCBBH1-12：b	-	RFQ	1641年	微米技术公司	-	大部分	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-vbga	MT29F8G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	100-vbga（12x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	8Gbit		闪光	1G x 8	平行线	-
MT29F1G16ABBDAH4-ITX：D TR	-	RFQ	7204	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G16	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Gbit		闪光	64m x 16	平行线	-
MT62F768M64D4EJ-031 AAT：	102.7800	RFQ	2604	微米技术公司	-	大部分	积极的				MT62F768				-			到达不受影响	557-MT62F768M64D4EJ-031AAT：a			1,190
MT29C4G96MAYAMCMJ-5 IT	-	RFQ	3488	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	-	MT29C4G96	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	-	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	4Gbit（NAND），4Gbit lpdram）		闪光，ram	512m x 8 nand），256m x 16 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT53B2DANW-DC TR	-	RFQ	4007	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	-		sdram- lpddr4		-	-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,000		易挥发的			德拉姆
MT62F1G64D4EK-023 WT ES：C TR	68.0400	RFQ	1768年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT62F1G64D4EK-023WTES：CTR			2,000
MT58L256L32DS-10	9.7700	RFQ	8	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	MT58L256L32	sram-同步	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	8mbit	5 ns	SRAM	256K x 32	平行线	-
MT48LC8M16A2P-6A IT：l tr	6.7100	RFQ	347	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	MT48LC8M16A2	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,000	167 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	12ns
MT53E2G64D8TN-046 AAT：c tr	120.4350	RFQ	8839	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	556-LFBGA		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	556-LFBGA （12.4x12.4）	下载				557-MT53E2G64D8TN-046AAT：CTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	128Gbit	3.5 ns	德拉姆	2G x 64	平行线	18NS
MT58L128L36F1T-8.5IT	-	RFQ	7244	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	易挥发的	4Mbit	8.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
MT62F1536M64D8CL-031 wt：b tr	71.9300	RFQ	1980	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT62F1536M64D8CL-031WT：BTR			1
MT46H64M32LFMA-5 IT：b	-	RFQ	6116	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	168-WFBGA	MT46H64M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	168-WFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	1,000	200 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
EDFP112A3PB-JD-FR	-	RFQ	6668	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TA）	-	-	EDFP112	sdram- lpddr3	1.14v〜1.95v	-	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1	933 MHz	易挥发的	24Gbit		德拉姆	192m x 128	平行线	-
MT62F512M64D4BG-031 WT：b	23.5200	RFQ	5261	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C〜85°C	-	-		sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F512M64D4BG-031WT：b			1	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	平行线	-
MT60B1G16HC-48B IT：a tr	18.2400	RFQ	9769	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	102-VFBGA		SDRAM -DDR5	-	102-VFBGA（9x14）	-				557-MT60B1G16HC-48BIT：ATR			3,000	2.4 GHz	易挥发的	16Gbit	16 ns	德拉姆	1G x 16	荚	-
MT53E512M32D2FW-046 AAT：D Tr	19.1100	RFQ	5172	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4	-	200-tfbga（10x14.5）	下载				557-MT53E512M32D2FW-046AAT：DTR			2,000	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（10403）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²