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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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![]() | MT44K16M36RB-107E IT:b | - | ![]() | 9522 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 168-TBGA | MT44K16M36 | 德拉姆 | 1.28V〜1.42V | 168-BGA(13.5x13.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,190 | 933 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 8 ns | 德拉姆 | 16m x 36 | 平行线 | - | ||
N25Q512A83G1241F TR | - | ![]() | 4734 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | N25Q512A83 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 128m x 4 | spi | 8ms,5ms | ||||
![]() | EDB4064B3PB-8D-FD | - | ![]() | 5984 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 216-WFBGA | EDB4064 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.95v | 216-WFBGA(12x12) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,680 | 400 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 64m x 64 | 平行线 | - | ||||
![]() | MTFC128GAJAECE-AAT TR | - | ![]() | 4091 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 169-LFBGA | MTFC128 | 闪存-NAND | - | 169-LFBGA(14x18) | - | (1 (无限) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Tbit | 闪光 | 128g x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | MT29F4T08EULUEEM4-T:e | 85.8150 | ![]() | 3009 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 132-BGA | Flash -nand(tlc) | 2.6v〜3.6V | 132-LBGA (12x18) | - | 557-MT29F4T08EUULUEEM4-T:e | 1 | 非易失性 | 4Tbit | 闪光 | 512g x 8 | 平行线 | - | |||||||||
![]() | MT29C1G12MAACVAML -5 IT | - | ![]() | 1318 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-VFBGA | MT29C1G12 | flash -nand,移动lpdram | 1.7V〜1.95V | 153-VFBGA | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 非易失性,挥发性 | 1GBIT(NAND),512Mbit(LPDRAM) | 闪光,ram | 64m x 16(NAND),32m x 16 lpdram(LPDRAM) | 平行线 | - | ||||
![]() | MT41J256M8JE-187E:a | - | ![]() | 2653 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 82-fbga | MT41J256M8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 82-fbga (12.5x15.5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Q4329252 | Ear99 | 8542.32.0036 | 25 | 533 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 13.125 ns | 德拉姆 | 256m x 8 | 平行线 | - | |
MT40A1G8AG-062E AIT:r | - | ![]() | 4173 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 78-fbga(7.5x11) | - | 到达不受影响 | 557-MT40A1G8AG-062EAIT:r | 1 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 19 ns | 德拉姆 | 1G x 8 | 平行线 | 15ns | |||||||
![]() | MT53E512M16D1Z11MWC1 | 11.2300 | ![]() | 1086 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | - | 表面安装 | 死 | sdram- lpddr4x | 1.06V〜1.17V | 晶圆 | - | 557-MT53E512M16D1Z11MWC1 | 1 | 易挥发的 | 8Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 18NS | ||||||||
MT29F1G08ABAEAWP:e | 2.9000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F1G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | - | |||||
![]() | MT62F1G32D2DS-023 wt:b tr | 22.8450 | ![]() | 2715 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -25°C〜85°C | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023WT:BTR | 2,000 | 3.2 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 1G x 32 | 平行线 | - | ||||||||
![]() | MT29F1G16ABCHC-ET:c | - | ![]() | 8726 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F1G16 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga(10.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 64m x 16 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29F1T08EBLCEJ4-ES:c tr | - | ![]() | 6510 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 557-MT29F1T08EBLCEJ4-ES:CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
MT35XL512ABA1G12-0AAT | 11.5200 | ![]() | 983 | 0.00000000 | 微米技术公司 | XCCELA™-MT35X | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C | 表面安装 | 24-TBGA | MT35XL512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA(6x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | XCCELA巴士 | - | ||||
![]() | MT58L256L18F1T-8.5 | 2.5900 | ![]() | 55 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-标准 | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 100 MHz | 易挥发的 | 4Mbit | 8.5 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | |||
![]() | MT53E512M32D2NP-053 RS WT:G。 | - | ![]() | 8381 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 200-WFBGA | 200-WFBGA(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 557-MT53E512M32D2NP-053RSWT:g | 过时的 | 1,360 | |||||||||||||||
![]() | JR28F064M29EWLB TR | - | ![]() | 5728 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | JR28F064M29 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 非易失性 | 64mbit | 70 ns | 闪光 | 8m x 8,4m x 16 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | MT62F2G64D8EK-023 wt:c | 90.4650 | ![]() | 8962 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | -25°C〜85°C | 表面安装 | 441-TFBGA | sdram- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA(14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-023WT:c | 1 | 4.266 GHz | 易挥发的 | 128Gbit | 德拉姆 | 2G x 64 | 平行线 | - | ||||||||
![]() | MT53D512M32D2NP-046自动ES:D TR | - | ![]() | 5305 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53D512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 512m x 32 | - | - | ||||
![]() | EDB8164B4PT-1DIT-FR TR | - | ![]() | 1960年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 216-WFBGA | EDB8164 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.95v | 216-fbga(12x12) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 德拉姆 | 128m x 64 | 平行线 | - | |||
![]() | MT62F2G32D4DS-023 WT ES:c | 45.6900 | ![]() | 5861 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | -25°C〜85°C | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-023WTES:c | 1 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 64Gbit | 德拉姆 | 2G x 32 | 平行线 | - | ||||||||
![]() | mtfc256garatek-wt tr | 48.0450 | ![]() | 9592 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -25°C〜85°C | 表面安装 | 153-VFBGA | Flash -nand(slc) | - | 153-VFBGA(11.5x13) | - | 557-MTFC256Garatek-Wttr | 2,000 | 非易失性 | 2Tbit | 闪光 | 256g x 8 | UFS 3.1 | - | |||||||||
![]() | MT53D512M64D4CR-053 WT ES:d | - | ![]() | 6735 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | - | - | MT53D512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | - | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 512m x 64 | - | - | |||||
MT40A1G8AG-062E AAT:r | - | ![]() | 2885 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 78-fbga(7.5x11) | - | 到达不受影响 | 557-MT40A1G8AG-062EAAT:r | 1 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 19 ns | 德拉姆 | 1G x 8 | 平行线 | 15ns | |||||||
![]() | PC48F4400P0VB0EH | - | ![]() | 5082 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Axcell™ | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 64-LBGA | PC48F4400 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 64- Easybga(10x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | -pc48f4400p0vb0eh | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 100 ns | 闪光 | 32m x 16 | 平行线 | 100ns | |
![]() | MT62F1536M32D4DS-026 wt:b tr | 34.2750 | ![]() | 5002 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 557-MT62F1536M32D4DS-026WT:BTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29F4G08ABADAH4-AITX:d | 5.1251 | ![]() | 7896 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F4G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-vfbga(9x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | M29W256GL70ZA6E | - | ![]() | 3181 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-TBGA | M29W256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-TBGA(10x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | -M29W256GL70ZA6E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 816 | 非易失性 | 256Mbit | 70 ns | 闪光 | 32m x 8,16m x 16 | 平行线 | 70NS | ||
MT53E384M32D2FW-046 wt:e | 10.4600 | ![]() | 2225 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | -25°C〜85°C | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4 | 1.06V〜1.17V | 200-tfbga(10x14.5) | - | rohs3符合条件 | 557-MT53E384M32D2FW-046WT:e | 1 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 12Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 384m x 32 | 平行线 | 18NS | |||||||
![]() | MT41K512M8V00HWC1 | 6.8900 | ![]() | 6320 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | - | - | MT41K512M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 512m x 8 | 平行线 | - |
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