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（ICS）（10403）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
MT53E768M32D2FW-046 AAT：c tr	32.0250	RFQ	3941	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT53E768M32D2FW-046AAT：CTR			2,000
MT29F1G08ABBEAHC-IT：e	-	RFQ	5555	微米技术公司	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G08	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（10.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,140		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-
MT29F1T08CUCABH8-6R：a tr	-	RFQ	9053	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-LBGA	MT29F1T08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	152-lbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000	167 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	平行线	-
M29W320ET70N6F TR	-	RFQ	1987	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	M29W320	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TSOP	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,500		非易失性	32Mbit	70 ns	闪光	4m x 8，2m x 16	平行线	70NS
MT40A2G8NEA-062E：J Tr	-	RFQ	1208	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	MT40A2G8	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	-	rohs3符合条件	3（168））		557-MT40A2G8NEA-062E：JTR	过时的		2,000	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	2G x 8	平行线	15ns
MT29C1G12MAACVAML -5 IT	-	RFQ	1318	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	MT29C1G12	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	153-VFBGA	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	1GBIT（NAND），512Mbit（LPDRAM）		闪光，ram	64m x 16（NAND），32m x 16 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT41J256M8JE-187E：a	-	RFQ	2653	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	82-fbga	MT41J256M8	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	82-fbga （12.5x15.5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q4329252	Ear99	8542.32.0036	25	533 MHz	易挥发的	2Gbit	13.125 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	-
MT40A1G8AG-062E AIT：r	-	RFQ	4173	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	-			到达不受影响	557-MT40A1G8AG-062EAIT：r			1	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit	19 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
MT53E512M16D1Z11MWC1	11.2300	RFQ	1086	微米技术公司	-	盒子	积极的	-	表面安装	死		sdram- lpddr4x	1.06V〜1.17V	晶圆	-				557-MT53E512M16D1Z11MWC1			1		易挥发的	8Gbit	3.5 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	18NS
MT29F1G08ABAEAWP：e	2.9000	RFQ	1	微米技术公司	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F1G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	1Gbit		闪光	128m x 8	平行线	-
MT62F1G32D2DS-023 wt：b tr	22.8450	RFQ	2715	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F1G32D2DS-023WT：BTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	1G x 32	平行线	-
MT29F1G16ABCHC-ET：c	-	RFQ	8726	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G16	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（10.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Gbit		闪光	64m x 16	平行线	-
MT29F1T08EBLCEJ4-ES：c tr	-	RFQ	6510	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT29F1T08EBLCEJ4-ES：CTR			2,000
MT35XL512ABA1G12-0AAT	11.5200	RFQ	983	微米技术公司	XCCELA™-MT35X	大部分	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	24-TBGA	MT35XL512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,122	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	XCCELA巴士	-
MT58L256L18F1T-8.5	2.5900	RFQ	55	微米技术公司	Syncburst™	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135v〜3.6V	100-TQFP （14x20.1）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		3A991B2A	8542.32.0041	500	100 MHz	易挥发的	4Mbit	8.5 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-
MT53E512M32D2NP-053 RS WT：G。	-	RFQ	8381	微米技术公司	-	大部分	过时的		表面安装	200-WFBGA				200-WFBGA（10x14.5）	-	rohs3符合条件	3（168））		557-MT53E512M32D2NP-053RSWT：g	过时的		1,360
JR28F064M29EWLB TR	-	RFQ	5728	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	JR28F064M29	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	2,000		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	70NS
MT62F2G64D8EK-023 wt：c	90.4650	RFQ	8962	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	441-TFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	441-TFBGA（14x14）	-				557-MT62F2G64D8EK-023WT：c			1	4.266 GHz	易挥发的	128Gbit		德拉姆	2G x 64	平行线	-
MT53D512M32D2NP-046自动ES：D TR	-	RFQ	5305	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	MT53D512	sdram- lpddr4	1.1V	200-WFBGA（10x14.5）	-		3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	2.133 GHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	512m x 32	-	-
EDB8164B4PT-1DIT-FR TR	-	RFQ	1960年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	216-WFBGA	EDB8164	sdram- lpddr2	1.14v〜1.95v	216-fbga（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	533 MHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	128m x 64	平行线	-
MT62F2G32D4DS-023 WT ES：c	45.6900	RFQ	5861	微米技术公司	-	盒子	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr5	1.05V	200-WFBGA（10x14.5）	-				557-MT62F2G32D4DS-023WTES：c			1	2.133 GHz	易挥发的	64Gbit		德拉姆	2G x 32	平行线	-
mtfc256garatek-wt tr	48.0450	RFQ	9592	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	153-VFBGA		Flash -nand（slc）	-	153-VFBGA（11.5x13）	-				557-MTFC256Garatek-Wttr			2,000		非易失性	2Tbit		闪光	256g x 8	UFS 3.1	-
MT53D512M64D4CR-053 WT ES：d	-	RFQ	6735	微米技术公司	-	托盘	过时的	-30°C〜85°C（TC）	-	-	MT53D512	sdram- lpddr4	1.1V	-	-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,360	1.866 GHz	易挥发的	32Gbit		德拉姆	512m x 64	-	-
MT40A1G8AG-062E AAT：r	-	RFQ	2885	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	-			到达不受影响	557-MT40A1G8AG-062EAAT：r			1	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit	19 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
PC48F4400P0VB0EH	-	RFQ	5082	微米技术公司	Axcell™	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	64-LBGA	PC48F4400	闪光灯 -也不	1.7V〜2V	64- Easybga（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-pc48f4400p0vb0eh	3A991B1A	8542.32.0071	864	52 MHz	非易失性	512Mbit	100 ns	闪光	32m x 16	平行线	100ns
MT62F1536M32D4DS-026 wt：b tr	34.2750	RFQ	5002	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-				557-MT62F1536M32D4DS-026WT：BTR			2,000
MT29F4G08ABADAH4-AITX：d	5.1251	RFQ	7896	微米技术公司	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F4G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	4Gbit		闪光	512m x 8	平行线	-
M29W256GL70ZA6E	-	RFQ	3181	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA	M29W256	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-TBGA（10x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-M29W256GL70ZA6E	3A991B1A	8542.32.0071	816		非易失性	256Mbit	70 ns	闪光	32m x 8，16m x 16	平行线	70NS
MT53E384M32D2FW-046 wt：e	10.4600	RFQ	2225	微米技术公司	-	大部分	积极的	-25°C〜85°C	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4	1.06V〜1.17V	200-tfbga（10x14.5）	-	rohs3符合条件			557-MT53E384M32D2FW-046WT：e			1	2.133 GHz	易挥发的	12Gbit	3.5 ns	德拉姆	384m x 32	平行线	18NS
MT41K512M8V00HWC1	6.8900	RFQ	6320	微米技术公司	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）	-	-	MT41K512M8	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1		易挥发的	4Gbit		德拉姆	512m x 8	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（10403）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²