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![]() | M25PE10-VMN6P | - | ![]() | 3952 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | M25PE10 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 75 MHz | 非易失性 | 1Mbit | 闪光 | 128K x 8 | spi | 15ms,3ms | |||
![]() | mtfc64gajaedq-aat | - | ![]() | 6783 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 100-LBGA | MTFC64 | 闪存-NAND | - | 100-LBGA(14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | M28W160CB100N6T TR | - | ![]() | 4747 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | M28W160 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 非易失性 | 16mbit | 100 ns | 闪光 | 1m x 16 | 平行线 | 100ns | |||
![]() | EDF4432ACPE-GD-FD | - | ![]() | 1010 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | - | - | EDF4432 | sdram- lpddr3 | 1.14v〜1.95v | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,520 | 800 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 128m x 32 | 平行线 | - | ||||
![]() | N25Q064A13ESFD0G | - | ![]() | 6884 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | N25Q064A13 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-SOP2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,225 | 108 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 16m x 4 | spi | 8ms,5ms | ||||
![]() | NAND128W3A0BN6E | - | ![]() | 4710 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | Nand128 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 128mbit | 50 ns | 闪光 | 16m x 8 | 平行线 | 50ns | |||
![]() | MTFC128GAJAECE-5M AIT TR | - | ![]() | 1158 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 169-LFBGA | MTFC128 | 闪存-NAND | - | 169-LFBGA(14x18) | - | (1 (无限) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Tbit | 闪光 | 128g x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | M29W800FB70N3E | - | ![]() | 4272 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | M29W800 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 8mbit | 70 ns | 闪光 | 1M x 8,512k x 16 | 平行线 | 70NS | ||||
MT53E1G32D2FW-046 IT:a | 27.1500 | ![]() | 7860 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4x | 1.06V〜1.17V | 200-tfbga(10x14.5) | - | 557-MT53E1G32D2FW-046IT:a | 1 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 1G x 32 | 平行线 | 18NS | |||||||||
![]() | EDFP112A3PF-GDTJ-FD | - | ![]() | 6104 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜105°C(TC) | - | - | EDFP112 | sdram- lpddr3 | 1.14v〜1.95v | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,190 | 800 MHz | 易挥发的 | 24Gbit | 德拉姆 | 192m x 128 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29F1T08CPCBBH8-6C:b | - | ![]() | 4914 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 152-LBGA | MT29F1T08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 152-lbga(14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | 非易失性 | 1Tbit | 闪光 | 128g x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29F64G08AECDBJ4-6IT:d | - | ![]() | 4310 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 132-vbga | MT29F64G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 132-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 166 MHz | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | JS28F512P33BFD | - | ![]() | 2334 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Axcell™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | JS28F512P33 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 105 ns | 闪光 | 32m x 16 | 平行线 | 105ns | ||
![]() | MT29F64G08AJABAWP-IT:b | - | ![]() | 1892年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F64G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | 平行线 | - | |||||
MT29F64G08CBEFBWP:f | - | ![]() | 8075 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F64G08 | Flash -nand (MLC) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 供应商不确定 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | 平行线 | - | ||||||
![]() | MT29F8G08FACWP:c tr | - | ![]() | 2638 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F8G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 8Gbit | 闪光 | 1G x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29F128G08CBCEBRT-37B:e | - | ![]() | 6470 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | - | - | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 267 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MT46V64M8BN-6 L:f | - | ![]() | 7982 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | MT46V64M8 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 60-fbga(10x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 167 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT53D2G32D8QD-053 WT ES:e | - | ![]() | 5666 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | MT53D2G32 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.866 GHz | 易挥发的 | 64Gbit | 德拉姆 | 2G x 32 | - | - | ||||||||
![]() | MT47H256M8THN-3:h tr | - | ![]() | 2900 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 63-TFBGA | MT47H256M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 63-fbga(8x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 333 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 450 ps | 德拉姆 | 256m x 8 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | MT29F4G01ABAFDWB-ITS:f tr | - | ![]() | 1109 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-udfn | MT29F4G01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 8-updfn(8x6)(MLP8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 4G x 1 | spi | - | ||||
![]() | MT42L128M32D1LF-25 wt:a tr | - | ![]() | 8471 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 168-WFBGA | MT42L128M32 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.3v | 168-FBGA(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 128m x 32 | 平行线 | - | |||
![]() | M29W640GT70NA6F TR | - | ![]() | 4233 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | M29W640 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 非易失性 | 64mbit | 70 ns | 闪光 | 8m x 8,4m x 16 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | MT58L256V36PS-6TR | 5.9800 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-标准 | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 100 | 166 MHz | 易挥发的 | 8mbit | 3.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | MT41K256M4JP-125:G。 | - | ![]() | 8838 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 在sic中停产 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT41K256M4 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 78-fbga(8x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 13.75 ns | 德拉姆 | 256m x 4 | 平行线 | - | ||
![]() | MT62F768M32D2DS-026 wt:b tr | 17.6400 | ![]() | 5455 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 557-MT62F768M32D2DS-026WT:BTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT53E2G64D8TN-046 wt:a tr | 92.3100 | ![]() | 8633 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -25°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 556-LFBGA | sdram- lpddr4x | 1.06V〜1.17V | 556-LFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E2G64D8TN-046WT:ATR | 2,000 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 128Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 2G x 64 | 平行线 | 18NS | |||||||
![]() | MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:a tr | - | ![]() | 2990 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-TBGA | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-TBGA (12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MT47H32M16NF-25E AAT:h | 5.7800 | ![]() | 582 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA(8x12.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,368 | 400 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 400 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns |
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