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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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MT25TL512BBA8E12-0AAT TR | 13.3950 | ![]() | 5635 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | MT25TL512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | spi | 8ms,2.8ms | ||||
MT61K256M32JE-14:a | - | ![]() | 2113 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 180-TFBGA | MT61K256 | sgram -gddr6 | 1.31v〜1.39v | 180-FBGA(12x14) | 下载 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,260 | 1.75 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 内存 | 256m x 32 | 平行线 | - | |||||||
![]() | MT54W512H36BF-7.5 | 23.6300 | ![]() | 170 | 0.00000000 | 微米技术公司 | QDR® | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | sram-同步 | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 500 ps | SRAM | 512k x 36 | HSTL | - | |||
![]() | MT55V512V32PT-5 | 17.3600 | ![]() | 325 | 0.00000000 | 微米技术公司 | ZBT® | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | SRAM -ZBT | 2.375V〜2.625V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.2 ns | SRAM | 512K x 32 | 平行线 | - | |||
![]() | EDFA232A2PF-GD-FR TR | - | ![]() | 4452 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | - | EDFA232 | sdram- lpddr3 | 1.14v〜1.95v | 168-FBGA(12x12) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 512m x 32 | 平行线 | - | ||||
MT41K2G8KJR-125:a tr | - | ![]() | 4244 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT41K2G8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA(9.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 16Gbit | 13.5 ns | 德拉姆 | 2G x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT55V512V36PT-10 | 17.3600 | ![]() | 285 | 0.00000000 | 微米技术公司 | ZBT® | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | MT55V512V | sram-异步,ZBT | 2.375V〜3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 5 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | M25P40-VMB3TPB TR | - | ![]() | 5118 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | M25P40 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-fufdfpn(2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 75 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 闪光 | 512k x 8 | spi | 15ms,5ms | |||
![]() | EDFP112A3PF-GDTJ-FD | - | ![]() | 6104 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜105°C(TC) | - | - | EDFP112 | sdram- lpddr3 | 1.14v〜1.95v | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,190 | 800 MHz | 易挥发的 | 24Gbit | 德拉姆 | 192m x 128 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT25TL256HBA8ESF-0AAT | - | ![]() | 6096 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | MT25TL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-SOP2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,440 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | spi | 8ms,2.8ms | |||
MT40A512M16TD-062E AUT:R TR | - | ![]() | 9159 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 96-TFBGA | 96-fbga(7.5x13) | - | 到达不受影响 | 557-MT40A512M16TD-062EAUT:RTR | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | M58WR032KB70ZB6Z | - | ![]() | 3540 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-VFBGA | M58WR032 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 56-VFBGA(7.7x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 336 | 66 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 70 ns | 闪光 | 2m x 16 | 平行线 | 70NS | ||
![]() | MT41K512M8RG-093:n | - | ![]() | 6764 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA(7.5x10.6) | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 1.066 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MT55L256L36PT-10 | 8.2400 | ![]() | 82 | 0.00000000 | 微米技术公司 | ZBT® | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | MT55L256L | sram-同步,ZBT | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 8mbit | 5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | MT55L64L36P1T-10 | 5.5100 | ![]() | 281 | 0.00000000 | 微米技术公司 | ZBT® | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | SRAM -ZBT | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 2Mbit | 5 ns | SRAM | 64k x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | MT29C2G24MAAAAAAAHAKC-5 E IT | - | ![]() | 2422 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 过时的 | MT29C2G24M | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | PC28F256P30B85F | - | ![]() | 8229 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Strataflash™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-TBGA | PC28F256 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 64- Easybga(10x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | 52 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 85 ns | 闪光 | 16m x 16 | 平行线 | 85ns | ||
MT48H8M32LFB5-10 IT | - | ![]() | 4576 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-VFBGA | MT48H8M32 | sdram- lpsdr | 1.7V〜1.95V | 90-vfbga(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 100 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 7 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | MT28F640J3RP-115 ET | - | ![]() | 7971 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT28F640J3 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 64mbit | 115 ns | 闪光 | 8m x 8,4m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | MT29F8G08BAAWP:A Tr | - | ![]() | 4311 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT29F8G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 8Gbit | 闪光 | 1G x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | JS28F512M29AWHB TR | - | ![]() | 6045 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | JS28F512M29 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 非易失性 | 512Mbit | 100 ns | 闪光 | 32m x 16 | 平行线 | 100ns | ||||
![]() | MT40A256M16GE-075E AIT:b | - | ![]() | 4198 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | MT40A256M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 96-FBGA(9x14) | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,020 | 1.33 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | - | |||||
![]() | EDFA232A2MA-GD-FR TR | - | ![]() | 7730 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | - | - | EDFA232 | sdram- lpddr3 | 1.14v〜1.95v | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 512m x 32 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT46V64M8FN-75 L:d | - | ![]() | 9758 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | MT46V64M8 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 60-fbga(10x12.5) | - | Rohs不合规 | 5(48)(48)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 750 PS | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | MT41K512M16VRP-107 AAT:p | 18.4350 | ![]() | 3457 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 盒子 | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA(8x14) | 下载 | 557-MT41K512M16VRP-107AAT:p | 1 | 933 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||||
![]() | N25Q016A11ESC40G | - | ![]() | 6902 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | N25Q016A11 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 8-sop | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 108 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 4m x 4 | spi | 8ms,1ms | ||||
![]() | MT40A8G4CLU-075H:e tr | - | ![]() | 3873 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | MT40A8G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 78-fbga(7.5x11) | - | 557-MT40A8G4CLU-075H:ETR | 过时的 | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.33 GHz | 非易失性 | 32Gbit | 27 NS | 德拉姆 | 8g x 4 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29F256G08AMCBBH7-6IT:b tr | - | ![]() | 1649年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 152-TBGA | MT29F256G08 | Flash -nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 152-TBGA(14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 167 MHz | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MT40A256M16GE-083E AUT:b | - | ![]() | 1223 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜125°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | MT40A256M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 96-FBGA(9x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,020 | 1.2 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | MT29F128G08CBCABH6-6:a | - | ![]() | 4066 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 152-vbga | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 152-vbga(14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 166 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - |
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