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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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![]() | EDFP112A3PB-JD-FD | - | ![]() | 1479年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TA) | - | - | EDFP112 | sdram- lpddr3 | 1.14v〜1.95v | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 933 MHz | 易挥发的 | 24Gbit | 德拉姆 | 192m x 128 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT28F320J3FS-11 MET | - | ![]() | 8071 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-FBGA | MT28F320J3 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(10x13) | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 32Mbit | 110 ns | 闪光 | 4m x 8,2m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | EDF4432ACPE-GD-FD | - | ![]() | 1010 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | - | - | EDF4432 | sdram- lpddr3 | 1.14v〜1.95v | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,520 | 800 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 128m x 32 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT25QL128ABA8E14-0SIT | - | ![]() | 9650 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | MT25QL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA(6x8) | - | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | spi | 8ms,2.8ms | ||||
MT46H64M32LFCM-6 IT:Tr | - | ![]() | 6052 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-VFBGA | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA(10x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 5 ns | 德拉姆 | 64m x 32 | 平行线 | 15ns | |||
MT35XL512ABA2G12-0SIT TR | - | ![]() | 4539 | 0.00000000 | 微米技术公司 | XCCELA™-MT35X | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 24-TBGA | MT35XL512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA(6x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | MT35XL512ABA2G12-0SITTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | XCCELA巴士 | - | |||
![]() | mtfc8gamalna-ait es tr | - | ![]() | 2333 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-TBGA | mtfc8 | 闪存-NAND | - | 100-TBGA(14x18) | - | (1 (无限) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | MMC | - | ||||||
![]() | MT47H32M16BN-25E IT:D Tr | - | ![]() | 1907年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA(10x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 400 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
MT48H8M32LFB5-75:h | - | ![]() | 5289 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 90-VFBGA | MT48H8M32 | sdram- lpsdr | 1.7V〜1.95V | 90-vfbga(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | MT57W512H36JF-7.5 | 26.4100 | ![]() | 153 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 500 ps | SRAM | 512k x 36 | HSTL | - | |||
![]() | MT62F1G32D4DS-031 AAT:b tr | 32.5650 | ![]() | 3030 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA(10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D4DS-031AAT:BTR | 2,000 | 3.2 GHz | 易挥发的 | 32Gbit | 德拉姆 | 1G x 32 | 平行线 | - | ||||||||
MT53E1G16D1FW-046 wt:a | 11.9850 | ![]() | 4309 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4x | 1.06V〜1.17V | 200-tfbga(10x14.5) | - | 557-MT53E1G16D1FW-046WT:a | 1 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 1G x 16 | 平行线 | 18NS | ||||||||
![]() | MT53B512M32D2GZ-062 AIT:b tr | - | ![]() | 8792 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | MT53B512 | sdram- lpddr4 | 1.1V | 200-WFBGA(11x14.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 16Gbit | 德拉姆 | 512m x 32 | - | - | ||||
![]() | M25P128-VMF6TPB TR | - | ![]() | 8356 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | M25P128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 16-SOP2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 54 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | spi | 15ms,5ms | |||
![]() | MT28F400B5SG-8 BET TR | - | ![]() | 3868 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-Soic(0.496英寸,宽度为12.60mm) | MT28F400B5 | 闪光灯 -也不 | 4.5V〜5.5V | 44-SO | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 非易失性 | 4Mbit | 80 ns | 闪光 | 512k x 8,256k x 16 | 平行线 | 80ns | |||
![]() | MT46V128M4TG-6T:D Tr | 15.9900 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | MT46V128M4 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP | 下载 | Rohs不合规 | 4 (72小时) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 128m x 4 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | M29W640GSH70ZF6E | - | ![]() | 5974 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-TBGA | M29W640 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-TBGA(10x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 非易失性 | 64mbit | 70 ns | 闪光 | 8m x 8,4m x 16 | 平行线 | 70NS | ||||
![]() | MT53E4G32D8CY-046 wt:c | 90.4650 | ![]() | 9649 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | -25°C〜85°C | - | - | sdram- lpddr4 | - | - | - | 557-MT53E4G32D8CY-046WT:c | 1 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 128Gbit | 德拉姆 | 4G x 32 | 平行线 | - | ||||||||
N25Q064A13E12D1E | - | ![]() | 2973 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | N25Q064A13 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA(6x8) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,122 | 108 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 16m x 4 | spi | 8ms,5ms | |||||
![]() | MT57W2MH8CF-6 | 28.3700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | MT57W2MH | sram-同步 | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | 易挥发的 | 18mbit | SRAM | 2m x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | EDB4432BBPA-1D-FR TR | - | ![]() | 1185 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -30°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 168-WFBGA | EDB4432 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.95v | 168-FBGA(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 128m x 32 | 平行线 | - | |||
![]() | MT49H16M18SJ-25 IT:b tr | - | ![]() | 7500 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 144-TFBGA | MT49H16M18 | 德拉姆 | 1.7V〜1.9V | 144-FBGA(18.5x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 16m x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | MT51J256M32HF-60:A TR | - | ![]() | 1880年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 170-TFBGA | MT51J256 | sgram -gddr5 | 1.31v〜1.39v,1.46V〜1.55V | 170-FBGA(12x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.5 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 内存 | 256m x 32 | 平行线 | - | |||
![]() | MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR | - | ![]() | 4067 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | - | - | MT29F64G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 267 MHz | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MT49H32M9BM-33:b tr | - | ![]() | 7474 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 144-TFBGA | MT49H32M9 | 德拉姆 | 1.7V〜1.9V | 144-µBGA(18.5x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 300 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 32m x 9 | 平行线 | - | ||
![]() | MT53B4DANW-DC | - | ![]() | 3964 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | - | MT53B4 | sdram- lpddr4 | - | - | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 960 | 易挥发的 | 德拉姆 | ||||||||||||
![]() | MT29F1G08ABBDAM68A3WC1 | - | ![]() | 3687 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 死 | MT29F1G08 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | - | ||||
MT47H128M8SH-25E AAT:m | - | ![]() | 6566 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga(8x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 1,518 | 400 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 400 ps | 德拉姆 | 128m x 8 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | MT29F1G08ABBFAH4-AAT:f | 2.9984 | ![]() | 3752 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash -nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga(9x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MT29F1G08ABBFAH4-AAT:f | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 1Gbit | 25 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 25ns | |||
![]() | MT29F128G08CBCEBRT-37BES:e tr | - | ![]() | 3220 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | - | - | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 8542.32.0071 | 1,000 | 267 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - |
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