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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
EDFP112A3PB-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFP112A3PB-JD-FD -
RFQ
ECAD 1479年 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TA) - - EDFP112 sdram- lpddr3 1.14v〜1.95v - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1 933 MHz 易挥发的 24Gbit 德拉姆 192m x 128 平行线 -
MT28F320J3FS-11 MET Micron Technology Inc. MT28F320J3FS-11 MET -
RFQ
ECAD 8071 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-FBGA MT28F320J3 闪光 2.7V〜3.6V 64-FBGA(10x13) 下载 Rohs不合规 2(1年) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 32Mbit 110 ns 闪光 4m x 8,2m x 16 平行线 -
EDF4432ACPE-GD-F-D Micron Technology Inc. EDF4432ACPE-GD-FD -
RFQ
ECAD 1010 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) - - EDF4432 sdram- lpddr3 1.14v〜1.95v - - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,520 800 MHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 128m x 32 平行线 -
MT25QL128ABA8E14-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL128ABA8E14-0SIT -
RFQ
ECAD 9650 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA MT25QL128 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA(6x8) - 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 spi 8ms,2.8ms
MT46H64M32LFCM-6 IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H64M32LFCM-6 IT:Tr -
RFQ
ECAD 6052 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA(10x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 易挥发的 2Gbit 5 ns 德拉姆 64m x 32 平行线 15ns
MT35XL512ABA2G12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT35XL512ABA2G12-0SIT TR -
RFQ
ECAD 4539 0.00000000 微米技术公司 XCCELA™-MT35X 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 24-TBGA MT35XL512 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA(6x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT35XL512ABA2G12-0SITTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 XCCELA巴士 -
MTFC8GAMALNA-AIT ES TR Micron Technology Inc. mtfc8gamalna-ait es tr -
RFQ
ECAD 2333 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-TBGA mtfc8 闪存-NAND - 100-TBGA(14x18) - (1 (无限) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 MMC -
MT47H32M16BN-25E IT:D TR Micron Technology Inc. MT47H32M16BN-25E IT:D Tr -
RFQ
ECAD 1907年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(10x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
MT48H8M32LFB5-75:H Micron Technology Inc. MT48H8M32LFB5-75:h -
RFQ
ECAD 5289 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-VFBGA MT48H8M32 sdram- lpsdr 1.7V〜1.95V 90-vfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 15ns
MT57W512H36JF-7.5 Micron Technology Inc. MT57W512H36JF-7.5 26.4100
RFQ
ECAD 153 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA Sram-同步,DDR II 1.7V〜1.9V 165-FBGA(13x15) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 18mbit 500 ps SRAM 512k x 36 HSTL -
MT62F1G32D4DS-031 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D4DS-031 AAT:b tr 32.5650
RFQ
ECAD 3030 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C 表面安装 200-WFBGA sdram- lpddr5 1.05V 200-WFBGA(10x14.5) - 557-MT62F1G32D4DS-031AAT:BTR 2,000 3.2 GHz 易挥发的 32Gbit 德拉姆 1G x 32 平行线 -
MT53E1G16D1FW-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E1G16D1FW-046 wt:a 11.9850
RFQ
ECAD 4309 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06V〜1.17V 200-tfbga(10x14.5) - 557-MT53E1G16D1FW-046WT:a 1 2.133 GHz 易挥发的 16Gbit 3.5 ns 德拉姆 1G x 16 平行线 18NS
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53B512M32D2GZ-062 AIT:b tr -
RFQ
ECAD 8792 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-WFBGA MT53B512 sdram- lpddr4 1.1V 200-WFBGA(11x14.5) - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 - -
M25P128-VMF6TPB TR Micron Technology Inc. M25P128-VMF6TPB TR -
RFQ
ECAD 8356 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) M25P128 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16-SOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 54 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 spi 15ms,5ms
MT28F400B5SG-8 BET TR Micron Technology Inc. MT28F400B5SG-8 BET TR -
RFQ
ECAD 3868 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-Soic(0.496英寸,宽度为12.60mm) MT28F400B5 闪光灯 -也不 4.5V〜5.5V 44-SO 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 500 非易失性 4Mbit 80 ns 闪光 512k x 8,256k x 16 平行线 80ns
MT46V128M4TG-6T:D TR Micron Technology Inc. MT46V128M4TG-6T:D Tr 15.9900
RFQ
ECAD 13 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) MT46V128M4 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP 下载 Rohs不合规 4 (72小时) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 128m x 4 平行线 15ns
M29W640GSH70ZF6E Micron Technology Inc. M29W640GSH70ZF6E -
RFQ
ECAD 5974 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-TBGA M29W640 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-TBGA(10x13) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 136 非易失性 64mbit 70 ns 闪光 8m x 8,4m x 16 平行线 70NS
MT53E4G32D8CY-046 WT:C Micron Technology Inc. MT53E4G32D8CY-046 wt:c 90.4650
RFQ
ECAD 9649 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 -25°C〜85°C - - sdram- lpddr4 - - - 557-MT53E4G32D8CY-046WT:c 1 2.133 GHz 易挥发的 128Gbit 德拉姆 4G x 32 平行线 -
N25Q064A13E12D1E Micron Technology Inc. N25Q064A13E12D1E -
RFQ
ECAD 2973 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA N25Q064A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA(6x8) - rohs3符合条件 (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 1,122 108 MHz 非易失性 64mbit 闪光 16m x 4 spi 8ms,5ms
MT57W2MH8CF-6 Micron Technology Inc. MT57W2MH8CF-6 28.3700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA MT57W2MH sram-同步 1.7V〜1.9V 165-FBGA(13x15) 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 MHz 易挥发的 18mbit SRAM 2m x 8 平行线 -
EDB4432BBPA-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDB4432BBPA-1D-FR TR -
RFQ
ECAD 1185 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 168-WFBGA EDB4432 sdram- lpddr2 1.14v〜1.95v 168-FBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 128m x 32 平行线 -
MT49H16M18SJ-25 IT:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M18SJ-25 IT:b tr -
RFQ
ECAD 7500 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-TFBGA MT49H16M18 德拉姆 1.7V〜1.9V 144-FBGA(18.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 16m x 18 平行线 -
MT51J256M32HF-60:A TR Micron Technology Inc. MT51J256M32HF-60:A TR -
RFQ
ECAD 1880年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 170-TFBGA MT51J256 sgram -gddr5 1.31v〜1.39v,1.46V〜1.55V 170-FBGA(12x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 1.5 GHz 易挥发的 8Gbit 内存 256m x 32 平行线 -
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR -
RFQ
ECAD 4067 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 267 MHz 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT49H32M9BM-33:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M9BM-33:b tr -
RFQ
ECAD 7474 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 144-TFBGA MT49H32M9 德拉姆 1.7V〜1.9V 144-µBGA(18.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 300 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 32m x 9 平行线 -
MT53B4DANW-DC Micron Technology Inc. MT53B4DANW-DC -
RFQ
ECAD 3964 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 - - MT53B4 sdram- lpddr4 - - (1 (无限) 过时的 0000.00.0000 960 易挥发的 德拉姆
MT29F1G08ABBDAM68A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBDAM68A3WC1 -
RFQ
ECAD 3687 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 MT29F1G08 闪存-NAND 1.7V〜1.95V - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1 非易失性 1Gbit 闪光 128m x 8 平行线 -
MT47H128M8SH-25E AAT:M Micron Technology Inc. MT47H128M8SH-25E AAT:m -
RFQ
ECAD 6566 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,518 400 MHz 易挥发的 1Gbit 400 ps 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
MT29F1G08ABBFAH4-AAT:F Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBFAH4-AAT:f 2.9984
RFQ
ECAD 3752 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G08 Flash -nand(slc) 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT29F1G08ABBFAH4-AAT:f 8542.32.0071 210 非易失性 1Gbit 25 ns 闪光 128m x 8 平行线 25ns
MT29F128G08CBCEBRT-37BES:E TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBRT-37BES:e tr -
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ECAD 3220 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 8542.32.0071 1,000 267 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

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    15,000 m2

    智能仓库