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（ICS）（10403）

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mtfc128gajaedn-it tr	114.0000	RFQ	2608	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	169-LFBGA	MTFC128	闪存-NAND	-	169-LFBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	MMC	-
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MT29F3T08EQCBBG2-37ES：b tr	-	RFQ	6304	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	-	MT29F3T08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	272-TBGA（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	267 MHz	非易失性	3Tbit		闪光	384g x 8	平行线	-
MT47H256M8EB-25E XIT：c	-	RFQ	7469	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	MT47H256M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-FBGA （9x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0036	1,320	400 MHz	易挥发的	2Gbit	400 ps	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
MT29F128G08CBECBH6-12：c	-	RFQ	2669	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	152-vbga	MT29F128G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	152-vbga（14x18）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	980	83 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	平行线	-
mtfc256gaoamam-wt es tr	-	RFQ	5596	微米技术公司	E•MMC™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C（TA）	-	-	MTFC256	闪存-NAND	-	-	-		（1 （无限）			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	2Tbit		闪光	256g x 8	MMC	-
MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT	-	RFQ	7994	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	130-VFBGA	MT29C1G12	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	130-vfbga（8x9）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	1GBIT（NAND），512Mbit（LPDRAM）		闪光，ram	128m x 8（NAND），16m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
mt29f1g16abbeamd-it：e tr	-	RFQ	1797年	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	130-VFBGA	MT29F1G16	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	130-vfbga（8x9）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Gbit		闪光	64m x 16	平行线	-
MT47H32M16HR-25E AAT：G Tr	-	RFQ	8041	微米技术公司	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	MT47H32M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
MT29F8G08ABACAH4-S：c	-	RFQ	2471	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F8G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	8Gbit		闪光	1G x 8	平行线	-
MT62F3G32D8DV-026 WT ES：B TR	122.7600	RFQ	5981	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C〜85°C	-	-		sdram- lpddr5	-	-	-				557-MT62F3G32D8DV-026WTES：BTR			2,000	3.2 GHz	易挥发的	96Gbit		德拉姆	3G x 32	平行线	-
MT29E1HT08EMHBBJ4-3：b	-	RFQ	9608	微米技术公司	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	132-vbga	MT29E1HT08	闪存-NAND	2.5V〜3.6V	132-vbga（12x18）	-			到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,120		非易失性	1.5Tbit		闪光	192g x 8	平行线	-
M29W640GSL70ZS6F TR	-	RFQ	8643	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	M29W640	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-FBGA（11x13）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,800		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	70NS
mtfc2gmvea-0m wt	-	RFQ	8327	微米技术公司	E•MMC™	托盘	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	mtfc2g	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	153-VFBGA	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	16Gbit		闪光	2G x 8	MMC	-
MT28EW512ABA1HPC-1SIT	-	RFQ	2614	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA	MT28EW512	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-lbga（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	557-1788	3A991B1A	8542.32.0071	1,104		非易失性	512Mbit	95 ns	闪光	64m x 8，32m x 16	平行线	60ns
MT48LC8M32B2P-7 IT TR	-	RFQ	1046	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	MT48LC8M32B2	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	143 MHz	易挥发的	256Mbit	6 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	14ns
NAND512WA2SZAXE	-	RFQ	3680	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-TFBGA	Nand512	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	63-vfbga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		非易失性	512Mbit	50 ns	闪光	64m x 8	平行线	50ns
MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR	-	RFQ	4014	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	137-TFBGA	MT29C4G96	flash -nand，移动lpdram	1.7V〜1.95V	137-TFBGA（10.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性，挥发性	4Gbit（NAND），4Gbit lpdram）		闪光，ram	256m x 16（NAND），128m x 32 lpdram（LPDRAM）	平行线	-
MT38W201DAA033JZZI.x68 Tr	-	RFQ	1322	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	1,000
MT52L256M64D2LZ-107 wt：b tr	24.1050	RFQ	7148	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	216-WFBGA	MT52L256	sdram- lpddr3	1.2V	216-fbga（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,000	933 MHz	易挥发的	16Gbit		德拉姆	256m x 64	-	-
MT29F64G08CFACBWP-12：c tr	-	RFQ	2406	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F64G08	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	平行线	-
M29W640GL70ZA6E	-	RFQ	7784	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	M29W640	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,122		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	8m x 8，4m x 16	平行线	70NS
MT53D4DANW-DC TR	-	RFQ	5860	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				MT53D4				-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1,000
N25Q064A13EF640FN02 TR	-	RFQ	6782	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-vdfn暴露垫	N25Q064A13	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	（8-vdfpn（6x5）（MLP8）	-	rohs3符合条件	3（168））			过时的	0000.00.0000	4,000	108 MHz	非易失性	64mbit		闪光	16m x 4	spi	8ms，5ms
MT29F2G16ABAEAWP-IT：e	-	RFQ	4693	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	MT29F2G16	闪存-NAND	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	960		非易失性	2Gbit		闪光	128m x 16	平行线	-
MT48H4M16LFB4-10 TR	-	RFQ	8790	微米技术公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-25°C〜85°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	MT48H4M16	sdram- lpsdr	1.7V〜1.9V	54-VFBGA（8x8）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	104 MHz	易挥发的	64mbit	7 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	15ns
MT46V32M8P-6T IT：G	-	RFQ	5382	微米技术公司	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	MT46V32M8	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 8	平行线	15ns
mt29f1g16abbeahc-it：e	-	RFQ	3166	微米技术公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA	MT29F1G16	闪存-NAND	1.7V〜1.95V	63-vfbga（10.5x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		非易失性	1Gbit		闪光	64m x 16	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（10403）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²