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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT58L64L32FT-10 Micron Technology Inc. MT58L64L32FT-10 3.7900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP MT58L64L32 SRAM 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 500 66 MHz 易挥发的 2Mbit 10 ns SRAM 64k x 32 平行线 -
PC28F512P33TFA Micron Technology Inc. PC28F512P33TFA -
RFQ
ECAD 1489 0.00000000 微米技术公司 Axcell™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 64-TBGA PC28F512 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 64- easybga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 52 MHz 非易失性 512Mbit 95 ns 闪光 32m x 16 平行线 95ns
M25P20-VMN6 Micron Technology Inc. M25P20-VMN6 -
RFQ
ECAD 5459 0.00000000 微米技术公司 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) M25P20 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-so 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 50 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 spi 15ms,5ms
MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:c tr -
RFQ
ECAD 7394 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-vbga MT29F16G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-vbga(12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 16Gbit 闪光 2G x 8 平行线 -
MT29F2T08CTCBBJ7-6R:B TR Micron Technology Inc. MT29F2T08CTCBBJ7-6R:b tr -
RFQ
ECAD 7502 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-LBGA MT29F2T08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 152-lbga(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,000 167 MHz 非易失性 2Tbit 闪光 256g x 8 平行线 -
M29W400FT5AZA6F TR Micron Technology Inc. M29W400FT5AZA6F TR -
RFQ
ECAD 4251 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA M29W400 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,500 非易失性 4Mbit 55 ns 闪光 512k x 8,256k x 16 平行线 55ns
MT53E2G32D4DT-046 WT ES:A TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DT-046 WT ES:A TR 96.1650
RFQ
ECAD 1726年 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -30°C〜85°C(TC) MT53E2G32 sdram- lpddr4 1.1V - 到达不受影响 557-MT53E2G32D4DT-046WTES:ATR 2,000 2.133 GHz 易挥发的 64Gbit 德拉姆 2G x 32 - -
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES -
RFQ
ECAD 9497 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 MT29F256G08 Flash -nand(tlc) 2.5V〜3.6V - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1 333 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
MT58L256L18P1T-7.5 Micron Technology Inc. MT58L256L18P1T-7.5 5.9300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP MT58L1MY18 SRAM 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 500 133 MHz 易挥发的 4Mbit 4 ns SRAM 256K x 18 平行线 -
MTFC16GAPALBH-AAT TR Micron Technology Inc. mtfc16gapalbh-aat tr 19.2750
RFQ
ECAD 1720年 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 153-TFBGA MTFC16 闪存-NAND 1.7V〜1.9V 153-TFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 MMC -
MT53D1536M32D6BE-046 WT:D Micron Technology Inc. MT53D1536M32D6BE-046 wt:d -
RFQ
ECAD 5800 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 -30°C〜85°C(TC) - - MT53D1536 sdram- lpddr4 1.1V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT53D1536M32D6BE-046WT:d 1,360 2.133 GHz 易挥发的 48Gbit 德拉姆 1.5GX 32 - -
MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT TR -
RFQ
ECAD 5160 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 137-VFBGA MT29C4G96 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V 137-VFBGA((13x10.5) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 非易失性,挥发性 4Gbit(NAND),4Gbit lpdram) 闪光,ram 256m x 16(NAND),128m x 32 lpdram(LPDRAM) 平行线 -
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G Micron Technology Inc. MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G -
RFQ
ECAD 3953 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 162-VFBGA MT29RZ2B1 flash -nand,dram -lpddr2 1.8V 162-VFBGA(10.5x8) - (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 533 MHz 非易失性,挥发性 2GBIT(NAND),1Gbit(lpddr2) 闪光,ram 256m x 8 nand),32m x 32 lpddr2) 平行线 -
MTFC16GJDEC-H1 WT Micron Technology Inc. mtfc16gjdec-h1 wt -
RFQ
ECAD 6348 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 大部分 过时的 -25°C〜85°C(TA) mtfc16g 闪存-NAND 1.65V〜3.6V - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 MMC -
N25Q512A11GSF40G Micron Technology Inc. N25Q512A11GSF40G -
RFQ
ECAD 4690 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) N25Q512A11 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 16件事 - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,225 108 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 128m x 4 spi 8ms,5ms
N25Q128A13ESEDFG Micron Technology Inc. N25Q128A13ESEDFG -
RFQ
ECAD 9726 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) N25Q128A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 8-so - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1,800 108 MHz 非易失性 128mbit 闪光 32m x 4 spi 8ms,5ms
MT46H128M32L2KQ-48 WT:C Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-48 wt:c -
RFQ
ECAD 9972 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -25°C〜85°C(TA) 表面安装 168-WFBGA MT46H128M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-WFBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,008 208 MHz 易挥发的 4Gbit 5 ns 德拉姆 128m x 32 平行线 14.4ns
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B TR -
RFQ
ECAD 6636 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -30°C〜85°C(TC) - - MT53B384 sdram- lpddr4 1.1V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 易挥发的 24Gbit 德拉姆 384m x 64 - -
MT42L32M16D1U67MWC1 Micron Technology Inc. MT42L32M16D1U67MWC1 -
RFQ
ECAD 8669 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -25°C 〜85°C(TC) MT42L32M16 sdram- lpddr2 1.14v〜1.3v - rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1 易挥发的 512Mbit 德拉姆 32m x 16 平行线
MT29F128G08AMCABH2-10IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABH2-10IT:a tr -
RFQ
ECAD 3097 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-TBGA MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 100-TBGA (12x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-M Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-M 10.6800
RFQ
ECAD 2586 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 - 557-MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-M 1
MTFC32GAPALBH-AAT Micron Technology Inc. mtfc32gapalbh-aat -
RFQ
ECAD 2868 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 上次购买 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 153-TFBGA mtfc32g 闪存-NAND - 153-TFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 MMC -
MT58L512L18PS-10 Micron Technology Inc. MT58L512L18PS-10 8.0000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP MT58L512L18 sram-同步 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 3(168)) 供应商不确定 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 易挥发的 8mbit 5 ns SRAM 512k x 18 平行线 -
MTFC16GAKAEDQ-AIT Micron Technology Inc. mtfc16gakaedq-ait -
RFQ
ECAD 9464 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LBGA MTFC16 闪存-NAND 1.7V〜1.9V 100-LBGA(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 980 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 MMC -
MT55L256L36FT-11 Micron Technology Inc. MT55L256L36FT-11 14.4200
RFQ
ECAD 4432 0.00000000 微米技术公司 ZBT® 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP MT55L256L sram-同步,ZBT 3.135V〜3.465V 100-TQFP (14x20.1) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 90 MHz 易挥发的 8mbit 8.5 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAH4-AITX:e tr -
RFQ
ECAD 6796 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA MT29F1G16 闪存-NAND 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 1Gbit 闪光 64m x 16 平行线 -
MT41K256M16HA-125 M AIT:E Micron Technology Inc. MT41K256M16HA-125 M AIT:e -
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ECAD 4803 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(9x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 易挥发的 4Gbit 13.75 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 -
MT28F320J3RP-11 MET TR Micron Technology Inc. MT28F320J3RP-11 Met Tr -
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ECAD 9617 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT28F320J3 闪光 2.7V〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 32Mbit 110 ns 闪光 4m x 8,2m x 16 平行线 -
MT49H32M18SJ-18:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18SJ-18:b tr -
RFQ
ECAD 3302 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 144-TFBGA MT49H32M18 德拉姆 1.7V〜1.9V 144-FBGA(18.5x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 533 MHz 易挥发的 576Mbit 15 ns 德拉姆 32m x 18 平行线 -
MT47H32M16CC-37E IT:B TR Micron Technology Inc. MT47H32M16CC-37E IT:b tr -
RFQ
ECAD 9525 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(12x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 267 MHz 易挥发的 512Mbit 500 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库