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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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![]() | MT58L64L32FT-10 | 3.7900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | MT58L64L32 | SRAM | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 66 MHz | 易挥发的 | 2Mbit | 10 ns | SRAM | 64k x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | PC28F512P33TFA | - | ![]() | 1489 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Axcell™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-TBGA | PC28F512 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 64- easybga(8x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 52 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 95 ns | 闪光 | 32m x 16 | 平行线 | 95ns | ||
![]() | M25P20-VMN6 | - | ![]() | 5459 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | M25P20 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 50 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 闪光 | 256K x 8 | spi | 15ms,5ms | |||
![]() | MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:c tr | - | ![]() | 7394 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-vbga | MT29F16G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-vbga(12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 非易失性 | 16Gbit | 闪光 | 2G x 8 | 平行线 | - | |||
![]() | MT29F2T08CTCBBJ7-6R:b tr | - | ![]() | 7502 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 152-LBGA | MT29F2T08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 152-lbga(14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | 167 MHz | 非易失性 | 2Tbit | 闪光 | 256g x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | M29W400FT5AZA6F TR | - | ![]() | 4251 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | M29W400 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 非易失性 | 4Mbit | 55 ns | 闪光 | 512k x 8,256k x 16 | 平行线 | 55ns | |||
![]() | MT53E2G32D4DT-046 WT ES:A TR | 96.1650 | ![]() | 1726年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -30°C〜85°C(TC) | MT53E2G32 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | 到达不受影响 | 557-MT53E2G32D4DT-046WTES:ATR | 2,000 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 64Gbit | 德拉姆 | 2G x 32 | - | - | |||||||||
![]() | MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES | - | ![]() | 9497 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 死 | MT29F256G08 | Flash -nand(tlc) | 2.5V〜3.6V | 死 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 333 MHz | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT58L256L18P1T-7.5 | 5.9300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | MT58L1MY18 | SRAM | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | 易挥发的 | 4Mbit | 4 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | mtfc16gapalbh-aat tr | 19.2750 | ![]() | 1720年 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 153-TFBGA | MTFC16 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.9V | 153-TFBGA(11.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT53D1536M32D6BE-046 wt:d | - | ![]() | 5800 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 积极的 | -30°C〜85°C(TC) | - | - | MT53D1536 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 557-MT53D1536M32D6BE-046WT:d | 1,360 | 2.133 GHz | 易挥发的 | 48Gbit | 德拉姆 | 1.5GX 32 | - | - | ||||
![]() | MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT TR | - | ![]() | 5160 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 137-VFBGA | MT29C4G96 | flash -nand,移动lpdram | 1.7V〜1.95V | 137-VFBGA((13x10.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 非易失性,挥发性 | 4Gbit(NAND),4Gbit lpdram) | 闪光,ram | 256m x 16(NAND),128m x 32 lpdram(LPDRAM) | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G | - | ![]() | 3953 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 162-VFBGA | MT29RZ2B1 | flash -nand,dram -lpddr2 | 1.8V | 162-VFBGA(10.5x8) | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,440 | 533 MHz | 非易失性,挥发性 | 2GBIT(NAND),1Gbit(lpddr2) | 闪光,ram | 256m x 8 nand),32m x 32 lpddr2) | 平行线 | - | ||||
![]() | mtfc16gjdec-h1 wt | - | ![]() | 6348 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 大部分 | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | mtfc16g | 闪存-NAND | 1.65V〜3.6V | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | MMC | - | ||||||||
![]() | N25Q512A11GSF40G | - | ![]() | 4690 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | N25Q512A11 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜2V | 16件事 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,225 | 108 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 128m x 4 | spi | 8ms,5ms | ||||
![]() | N25Q128A13ESEDFG | - | ![]() | 9726 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | N25Q128A13 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-so | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,800 | 108 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 32m x 4 | spi | 8ms,5ms | ||||
![]() | MT46H128M32L2KQ-48 wt:c | - | ![]() | 9972 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -25°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 168-WFBGA | MT46H128M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-WFBGA(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,008 | 208 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 5 ns | 德拉姆 | 128m x 32 | 平行线 | 14.4ns | ||
![]() | MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B TR | - | ![]() | 6636 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -30°C〜85°C(TC) | - | - | MT53B384 | sdram- lpddr4 | 1.1V | - | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 24Gbit | 德拉姆 | 384m x 64 | - | - | |||
![]() | MT42L32M16D1U67MWC1 | - | ![]() | 8669 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 托盘 | 过时的 | -25°C 〜85°C(TC) | MT42L32M16 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.3v | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 易挥发的 | 512Mbit | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | |||||||||
![]() | MT29F128G08AMCABH2-10IT:a tr | - | ![]() | 3097 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-TBGA | MT29F128G08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 100-TBGA (12x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-M | 10.6800 | ![]() | 2586 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 盒子 | 积极的 | - | 557-MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-M | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | mtfc32gapalbh-aat | - | ![]() | 2868 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 托盘 | 上次购买 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 153-TFBGA | mtfc32g | 闪存-NAND | - | 153-TFBGA(11.5x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT58L512L18PS-10 | 8.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 微米技术公司 | Syncburst™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | MT58L512L18 | sram-同步 | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 8mbit | 5 ns | SRAM | 512k x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | mtfc16gakaedq-ait | - | ![]() | 9464 | 0.00000000 | 微米技术公司 | E•MMC™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LBGA | MTFC16 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.9V | 100-LBGA(14x18) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | MMC | - | |||||
![]() | MT55L256L36FT-11 | 14.4200 | ![]() | 4432 | 0.00000000 | 微米技术公司 | ZBT® | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | MT55L256L | sram-同步,ZBT | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 90 MHz | 易挥发的 | 8mbit | 8.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | MT29F1G16ABBEAH4-AITX:e tr | - | ![]() | 6796 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | MT29F1G16 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-vfbga(9x11) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 64m x 16 | 平行线 | - | ||||
![]() | MT41K256M16HA-125 M AIT:e | - | ![]() | 4803 | 0.00000000 | 微米技术公司 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA(9x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 13.75 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | MT28F320J3RP-11 Met Tr | - | ![]() | 9617 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | MT28F320J3 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 32Mbit | 110 ns | 闪光 | 4m x 8,2m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | MT49H32M18SJ-18:b tr | - | ![]() | 3302 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 144-TFBGA | MT49H32M18 | 德拉姆 | 1.7V〜1.9V | 144-FBGA(18.5x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 533 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 15 ns | 德拉姆 | 32m x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | MT47H32M16CC-37E IT:b tr | - | ![]() | 9525 | 0.00000000 | 微米技术公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA(12x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 267 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 500 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns |
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