SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
MT48LC64M8A2TG-75 IT:C TR Micron Technology Inc. MT48LC64M8A2TG-75 IT:c tr -
RFQ
ECAD 4212 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) MT48LC64M8A2 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 Rohs不合规 4 (72小时) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
MT52L256M64D2QB-125 XT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2QB-125 XT:b tr -
RFQ
ECAD 5570 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - MT52L256 sdram- lpddr3 1.2V - rohs3符合条件 3(168)) MT52L256M64D2QB-125XT:BTR 过时的 0000.00.0000 2,000 800 MHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 256m x 64 - -
MT53B256M64D2PX-062 XT:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2PX-062 XT:c tr -
RFQ
ECAD 2568 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜105°C(TC) - - MT53B256 sdram- lpddr4 1.1V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 256m x 64 - -
EDW4032BABG-60-F-R TR Micron Technology Inc. EDW4032BABG-60-FR TR -
RFQ
ECAD 7783 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 170-TFBGA EDW4032 sgram -gddr5 1.31V〜1.65V 170-FBGA(12x14) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 1.5 GHz 易挥发的 4Gbit 内存 128m x 32 平行线 -
MT40A512M8RH-075E AIT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-075E AIT:b tr -
RFQ
ECAD 2289 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-FBGA(9x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 512m x 8 平行线 -
MT29C1G12MAADYAML-5 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADYAML-5 IT -
RFQ
ECAD 9525 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 153-VFBGA MT29C1G12 flash -nand,移动lpdram 1.7V〜1.95V 153-VFBGA 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 非易失性,挥发性 1GBIT(NAND),512Mbit(LPDRAM) 闪光,ram 128m x 8(NAND),16m x 32 lpdram(LPDRAM) 平行线 -
MT41K512M16VRN-107 AIT:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M16VRN-107 AIT:p tr 19.1550
RFQ
ECAD 9752 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(8x14) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 MT41K512M16VRN-107AIT:PTR Ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
MT46V64M8CY-5B:J Micron Technology Inc. MT46V64M8CY-5B:j 5.8283
RFQ
ECAD 4247 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA MT46V64M8 sdram -ddr 2.5v〜2.7V 60-fbga(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,368 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
MT41K128M16JT-125 AUT:K TR Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-125自动:k tr 5.9700
RFQ
ECAD 1302 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(8x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 易挥发的 2Gbit 13.75 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 -
MT48LC32M8A2BB-75 IT:D Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2BB-75 IT:d -
RFQ
ECAD 3343 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-FBGA MT48LC32M8A2 Sdram 3v〜3.6V 60-FBGA(8x16) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 8 平行线 15ns
MT29F128G08CBCEBRT-37BES:E TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBRT-37BES:e tr -
RFQ
ECAD 3220 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) - - MT29F128G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 8542.32.0071 1,000 267 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 平行线 -
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53D768M64D8NZ-046 wt:e 179.4900
RFQ
ECAD 8185 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 积极的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 376-WFBGA MT53D768 sdram- lpddr4 1.1V 376-WFBGA(14x14) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 易挥发的 48Gbit 德拉姆 768m x 64 - -
N25Q128A13ESFA0F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13ESFA0F TR -
RFQ
ECAD 5034 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) N25Q128A13 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16件事 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 非易失性 128mbit 闪光 32m x 4 spi 8ms,5ms
MT29F64G08CBABBWP-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABBWP-12:b tr -
RFQ
ECAD 5963 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F64G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 平行线 -
MT58L128V18PT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L128V18PT-7.5 2.7800
RFQ
ECAD 700 0.00000000 微米技术公司 Syncburst™ 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP sram-标准 3.135v〜3.6V 100-TQFP (14x20.1) 下载 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 易挥发的 2Mbit 4 ns SRAM 128K x 18 平行线 -
M25PX32-VZM6FBA TR Micron Technology Inc. M25PX32-VZM6FBA TR -
RFQ
ECAD 5671 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA M25PX32 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA(6x8) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 75 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 spi 15ms,5ms
TE28F256J3F105A Micron Technology Inc. TE28F256J3F105A -
RFQ
ECAD 2096 0.00000000 微米技术公司 Strataflash™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) 28F256J3 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 56-tsop 下载 Rohs不合规 2(1年) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0051 96 非易失性 256Mbit 105 ns 闪光 32m x 8,16m x 16 平行线 105ns
N25Q128A11EF840E Micron Technology Inc. N25Q128A11EF840E -
RFQ
ECAD 6016 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-vdfn暴露垫 N25Q128A11 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 8-vdfpn(MLP8)(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-1559 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 108 MHz 非易失性 128mbit 闪光 32m x 4 spi 8ms,5ms
MT40A512M8SA-062E:F TR Micron Technology Inc. MT40A512M8SA-062E:f tr 8.3250
RFQ
ECAD 7717 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-fbga(7.5x11) 下载 557-MT40A512M8SA-062E:ftr 2,000 1.6 GHz 易挥发的 4Gbit 19 ns 德拉姆 512m x 8 15ns
MT29F256G08CEECBH6-12:C Micron Technology Inc. MT29F256G08CEECBH6-12:c -
RFQ
ECAD 2787 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 152-vbga MT29F256G08 Flash -nand (MLC) 2.5V〜3.6V 152-vbga(14x18) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 980 83 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 平行线 -
N25Q128A11TSF40F TR Micron Technology Inc. N25Q128A11TSF40F TR -
RFQ
ECAD 8608 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) N25Q128A11 闪光灯 -也不 1.7V〜2V 16-SOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 spi 8ms,5ms
MT40A1G16TB-062E:F TR Micron Technology Inc. MT40A1G16TB-062E:f tr 13.5900
RFQ
ECAD 9072 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-fbga(7.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MT40A1G16TB-062E:ftr 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 1.5 GHz 易挥发的 16Gbit 19 ns 德拉姆 1G x 16 平行线 15ns
MT62F512M32D2DS-031 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT62F512M32D2DS-031自动:b tr 19.6650
RFQ
ECAD 1446 0.00000000 微米技术公司 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 200-WFBGA sdram- lpddr5 - 200-WFBGA(10x14.5) - 557-MT62F512M32D2DS-031AUT:BTR 2,000 3.2 GHz 易挥发的 16Gbit 德拉姆 512m x 32 平行线 -
M29W160EB7AZA6F TR Micron Technology Inc. M29W160EB7AZA6F TR -
RFQ
ECAD 7741 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA M29W160 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,500 非易失性 16mbit 70 ns 闪光 2m x 8,1m x 16 平行线 70NS
M29F400FT55M3E2 Micron Technology Inc. M29F400FT55M3E2 -
RFQ
ECAD 2597 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-Soic(0.496英寸,宽度为12.60mm) M29F400 闪光灯 -也不 4.5V〜5.5V 44-SO 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 -M29F400FT55M3E2 Ear99 8542.32.0071 40 非易失性 4Mbit 55 ns 闪光 512k x 8,256k x 16 平行线 55ns
NP8P128AE3BSM60E Micron Technology Inc. NP8P128AE3BSM60E -
RFQ
ECAD 8814 0.00000000 微米技术公司 Omneo™ 托盘 过时的 -30°C〜85°C(TC) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) NP8P128A PCM (婴儿车) 2.7V〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 96 非易失性 128mbit 135 ns PCM (婴儿车) 16m x 8 平行,Spi 135ns
MTFC128GAOAMEA-WT ES Micron Technology Inc. MTFC128GAOAMEA-WT -
RFQ
ECAD 1754年 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 在sic中停产 -25°C〜85°C(TA) - - MTFC128 闪存-NAND - - - 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 MMC -
MT62F3G32D8DV-026 WT:B Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-026 wt:b 67.8450
RFQ
ECAD 3004 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 -25°C〜85°C - - sdram- lpddr5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-026WT:b 1 3.2 GHz 易挥发的 96Gbit 德拉姆 3G x 32 平行线 -
MTFC8GLUEA-AIT Micron Technology Inc. mtfc8gluea-at -
RFQ
ECAD 9268 0.00000000 微米技术公司 E•MMC™ 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 153-WFBGA mtfc8 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 153-WFBGA(11.5x13) - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 MMC -
MT29F4G08AACWC:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G08AACWC:c tr -
RFQ
ECAD 5966 0.00000000 微米技术公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) MT29F4G08 闪存-NAND 2.7V〜3.6V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 4Gbit 闪光 512m x 8 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库