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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
AS4C64M16D3-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3-12BCN -
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ECAD 7612 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 在sic中停产 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-fbga(13x9) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-1111 Ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
AS4C64M16D3L-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3L-12BIN -
RFQ
ECAD 8984 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-1114 Ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
AS6C1608-55TIN Alliance Memory, Inc. AS6C1608-55TIN -
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ECAD 5152 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) AS6C1608 sram-异步 2.7V〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-1116 3A991B2A 8542.32.0036 135 易挥发的 16mbit 55 ns SRAM 2m x 8 平行线 55ns
AS4C128M16D2-25BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D2-25BINTR 12.8250
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ECAD 3863 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 84-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA(10.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,500 400 MHz 易挥发的 2Gbit 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
AS4C128M16D3-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3-12BCNTR -
RFQ
ECAD 6556 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
AS4C128M16D3L-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3L-12BCNTR -
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ECAD 7502 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
AS4C128M8D3-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3-12BCNTR -
RFQ
ECAD 6887 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
AS4C128M8D3-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3-12BINTR -
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ECAD 8100 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
AS4C128M8D3L-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3L-12BINTR -
RFQ
ECAD 5563 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
AS4C256M16D3-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3-12BCNTR -
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ECAD 2033 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
AS4C256M16D3L-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3L-12BINTR -
RFQ
ECAD 8492 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
AS4C256M8D3-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3-12BINTR -
RFQ
ECAD 4137 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
AS4C32M16D1-5BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1-5BCNTR 3.8060
RFQ
ECAD 6244 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA AS4C32 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 60-BGA 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,500 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
AS4C32M16D2-25BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D2-25BANTR -
RFQ
ECAD 5673 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 84-TFBGA AS4C2M32 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TFBGA(8x12.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,000 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
AS4C32M16MD1-5BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16MD1-5BCNTR -
RFQ
ECAD 8822 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C〜85°C(TJ) 表面安装 60-TFBGA AS4C2M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.9V 60-fbga(8x9) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,000 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
AS4C512M8D3-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3-12BANTR -
RFQ
ECAD 5798 0.00000000 联盟记忆,Inc。 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA(9x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 8 平行线 15ns
AS4C512M8D3-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3-12BINTR -
RFQ
ECAD 8693 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA(9x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 8 平行线 15ns
AS4C64M16D3-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3-12BINTR -
RFQ
ECAD 4446 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
AS6C1616-55BINTR Alliance Memory, Inc. AS6C1616-55BINTR -
RFQ
ECAD 5538 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-LFBGA AS6C1616 sram-异步 2.7V〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 易挥发的 16mbit 55 ns SRAM 1m x 16 平行线 55ns
AS7C31026C-10BINTR Alliance Memory, Inc. AS7C31026C-10BINTR -
RFQ
ECAD 2912 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-LFBGA AS7C31026 sram-异步 3v〜3.6V 48-BGA (7x7) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 1,000 易挥发的 1Mbit 10 ns SRAM 64k x 16 平行线 10NS
AS4C16M32MD1-5BIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M32MD1-5BIN 5.7164
RFQ
ECAD 3580 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 积极的 -40°C 〜85°C(TJ) 表面安装 90-VFBGA AS4C16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-FBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-1121 Ear99 8542.32.0028 160 200 MHz 易挥发的 512Mbit 5 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 15ns
AS4C32M16SM-7TCN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16SM-7TCN -
RFQ
ECAD 4251 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 在sic中停产 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) AS4C2M32 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 108 133 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
AS4C64M16MD1-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16MD1-6BIN -
RFQ
ECAD 4674 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA AS4C64 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-fbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-1127 Ear99 8542.32.0032 300 166 MHz 易挥发的 1Gbit 5 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
AS4C64M8D2-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D2-25BCN 4.2446
RFQ
ECAD 3365 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA AS4C64 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-1128 Ear99 8542.32.0028 264 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
AS4C64M8D2-25BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D2-25BIN 5.9900
RFQ
ECAD 21 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA AS4C64 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-1129 Ear99 8542.32.0028 264 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
AS6C1616-55BIN Alliance Memory, Inc. AS6C1616-55BIN -
RFQ
ECAD 6613 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-LFBGA AS6C1616 sram-异步 2.7V〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-1131 3A991B2A 8542.32.0041 480 易挥发的 16mbit 55 ns SRAM 1m x 16 平行线 55ns
AS7C316096C-10BIN Alliance Memory, Inc. AS7C316096C-10BIN 18.7500
RFQ
ECAD 2499 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-LFBGA AS7C316096 sram-异步 2.7V〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-1134 3A991B2A 8542.32.0041 480 易挥发的 16mbit 10 ns SRAM 2m x 8 平行线 10NS
AS7C316096C-10TIN Alliance Memory, Inc. AS7C316096C-10TIN 19.4097
RFQ
ECAD 2818 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) AS7C316096 sram-异步 2.7V〜3.6V 44-TSOP2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-1135-5 3A991B2A 8542.32.0041 156 易挥发的 16mbit 10 ns SRAM 2m x 8 平行线 10NS
AS4C256M8D2-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D2-25BCN 12.4067
RFQ
ECAD 2697 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 60-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 136 400 MHz 易挥发的 2Gbit 57.5 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
AS4C256M8D3-15BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3-15BCN -
RFQ
ECAD 9509 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 过时的 0°C 〜90°C(TC) 表面安装 78-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库