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![]() | AS4C4M16S-6BIN | - | ![]() | 2804 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | AS4C4M16 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1450-1077 | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 16 | 平行线 | 2NS | |
![]() | AS4C8M32S-7TCN | 5.8044 | ![]() | 1480 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) | AS4C8M32 | Sdram | 3v〜3.6V | 86-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1450-1336 | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | - | |
![]() | AS4C64M32MD1A-5BIN | 8.6000 | ![]() | 240 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 90-VFBGA | AS4C64 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-FBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1450-AS4C64M32MD1A-5BIN | Ear99 | 8542.32.0036 | 240 | 200 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 5 ns | 德拉姆 | 64m x 32 | 平行线 | 15ns | |
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![]() | AS4C16M32MD1-5BCN | 6.2900 | ![]() | 320 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -25°C〜85°C(TJ) | 表面安装 | 90-VFBGA | AS4C16 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-FBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1450-1120 | Ear99 | 8542.32.0028 | 160 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5 ns | 德拉姆 | 16m x 32 | 平行线 | 15ns | |
![]() | CY62256NLL-70PXC | - | ![]() | 2809 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | MOBL® | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 28- 浸(0.600英寸,15.24毫米) | CY62256 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1450-1480 | 过时的 | 8542.32.0041 | 42 | 易挥发的 | 256kbit | 70 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 70NS | ||
AS7C32098A-15TCN | 5.0129 | ![]() | 6735 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | AS7C32098 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 2Mbit | 15 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | AS4C128M32MD2-18BINTR | - | ![]() | 8242 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-VFBGA | AS4C128 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.95v | 134-FBGA (10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 128m x 32 | 平行线 | 15ns | |||
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![]() | AS4C512M8D3-12BAN | - | ![]() | 6145 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 78-FBGA | AS4C512 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-FBGA(9x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1450-1105 | Ear99 | 8542.32.0036 | 220 | 800 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 8 | 平行线 | 15ns |
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