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（ICS）（1624）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
AS25F364MQ-10WIN	3.0900	RFQ	560	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-AS25F364MQ-10WIN	3A991B1A	8542.32.0071	570	104 MHz	非易失性	64mbit	6 ns	闪光	16m x 4	Spi -Quad I/O，QPI	30µs，800µs
AS4C128M16D3LD-12BCN	9.1300	RFQ	190	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的				AS4C128				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-AS4C128M16D3LD-12BCN	Ear99	8542.32.0036	190
AS4C64M16D1A-6BIN	25.4000	RFQ	240	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	AS4C64	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-fbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-AS4C64M16D1A-6BIN	Ear99	8542.32.0032	240	166 MHz	易挥发的	1Gbit	700 ps	德拉姆	64m x 16	sstl_2	15ns
AS4C32M16D2C-25BCN	3.7800	RFQ	209	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	AS4C32	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1450-AS4C32M16D2C-25BCN	Ear99	8542.32.0028	209	400 MHz	易挥发的	512Mbit	0.4 ns	德拉姆	32m x 16	SSTL_18	15ns
AS4C512M16D3LC-12BIN	25.8000	RFQ	140	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	AS4C512	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1450-AS4C512M16D3LC-12BIN	Ear99	8542.32.0036	190	800 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
AS4C64M16D3LC-12BIN	6.9500	RFQ	246	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-VFBGA	AS4C64	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-fbga（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1450-AS4C64M16D3LC-12BIN	Ear99	8542.32.0032	198	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
AS4C256M16D4A-75BIN	10.4000	RFQ	152	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	AS4C256	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-fbga（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1450-AS4C256M16D4A-75BIN	Ear99	8542.32.0036	198	1.333 GHz	易挥发的	4Gbit	18 ns	德拉姆	256m x 16	荚	15ns
AS4C256M16D4A-75BCN	9.5500	RFQ	150	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	AS4C256	SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-fbga（7.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1450-AS4C256M16D4A-75BCN	Ear99	8542.32.0036	198	1.333 GHz	易挥发的	4Gbit	18 ns	德拉姆	256m x 16	荚	15ns
AS4C1G16D4-062BCN	23.8100	RFQ	159	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1450-AS4C1G16D4-062BCN	Ear99	8542.32.0036	190	1.6 GHz	易挥发的	16Gbit	19 ns	德拉姆	1G x 16	平行线	15ns
AS25F364MQ-10WINTR	1.9884	RFQ	4647	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-wson（6x5）	下载		3（168））		1450-AS25F364MQ-10WINTR			4,000	104 MHz	非易失性	64mbit	6 ns	闪光	16m x 4	Spi -Quad I/O，QPI	30µs，800µs
AS7C31026B-20Tintr	3.1757	RFQ	1251	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载		3（168））		1450-AS7C31026B-20TINTR			1,000		易挥发的	1Mbit	20 ns	SRAM	64k x 16	平行线	20NS
AS1C1M16PL-70BINTR	2.8354	RFQ	7561	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA		PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	48-fbga（6x7）	下载		3（168））		1450-AS1C1M16PL-70BINTR			2,000		易挥发的	16mbit	70 ns	PSRAM	1m x 16	平行线	70NS
AS6C4008-55Pintr	4.4187	RFQ	1133	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	32 滴（0.600英寸，15.24毫米）		sram-异步	2.7V〜5.5V	32-PDIP	下载		（1 （无限）		1450-AS6C4008-55PINTR			1,000		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	512k x 8	平行线	55ns
AS6C8008B-45ZINTR	5.6308	RFQ	3920	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	2.7V〜3.6V	44-TSOP II	下载		3（168））		1450-AS6C8008B-45ZINTR			1,000		易挥发的	8mbit	45 ns	SRAM	1m x 8	平行线	45ns
AS1C1M16P-70BINTR	2.8354	RFQ	2396	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA		PSRAM （伪 SRAM）	2.6V〜3.3V	48-FPBGA（6x7）	下载		3（168））		1450-AS1C1M16P-70BINTR			2,000		易挥发的	16mbit	70 ns	PSRAM	1m x 16	平行线	70NS
AS6C8016B-55ZINTR	4.8468	RFQ	6979	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	2.7V〜3.6V	44-TSOP II	下载		3（168））		1450-AS6C8016B-55ZINTR			2,000		易挥发的	8mbit	55 ns	SRAM	512k x 16	平行线	55ns
AS25F364MQ-10SINTR	1.7815	RFQ	6195	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	8-sop	下载		3（168））		1450-AS25F364MQ-10SINTR			2,000	104 MHz	非易失性	64mbit	6 ns	闪光	16m x 4	Spi -Quad I/O，QPI	30µs，800µs
AS4C512M8D4-75BINTR	8.1795	RFQ	2509	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-FBGA（7.5x10.6）	下载		3（168））		1450-AS4C512M8D4-75BINTR			2,500	1.333 GHz	易挥发的	4Gbit	18 ns	德拉姆	512m x 8	荚	15ns
AS4C256M16D4-83BCNTR	7.3815	RFQ	7774	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-FBGA（7.5x13.5）	下载		3（168））		1450-AS4C256M16D4-83BCNTR			2,500	1.2 GHz	易挥发的	4Gbit	18 ns	德拉姆	256m x 16	荚	15ns
AS4C32M16D1-5BANTR	4.5617	RFQ	1570年	联盟记忆，Inc。	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	60-TFBGA		sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-fbga（8x13）	下载		3（168））		1450-AS4C32M16D1-5BANTR			2,500	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	sstl_2	15ns
AS4C16M16SB-6BINTR	4.1340	RFQ	3285	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA		Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载		3（168））		1450-AS4C16M16SB-6BINTR			2,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5 ns	德拉姆	16m x 16	lvttl	12ns
AS1C2M16P-70BINTR	3.0653	RFQ	3584	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA		PSRAM （伪 SRAM）	2.6V〜3.3V	48-fbga（6x7）	下载		3（168））		1450-AS1C2M16P-70BINTR			2,000		易挥发的	32Mbit	70 ns	PSRAM	2m x 16	平行线	70NS
AS4C4M32S-6BCNTR	3.6783	RFQ	7005	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA		Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载		3（168））		1450-AS4C4M32S-6BCNTR			2,000	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	lvttl	-
AS7C31026B-15Tintr	2.7884	RFQ	6785	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载		3（168））		1450-AS7C31026B-15TINTR			1,000		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
AS4C128M16D2A-25BANTR	11.7040	RFQ	6879	联盟记忆，Inc。	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	84-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TFBGA（8x12.5）	下载		3（168））		1450-AS4C128M16D2A-25BANTR			2,500	400 MHz	易挥发的	2Gbit	400 ps	德拉姆	128m x 16	SSTL_18	15ns
AS4C4M16SB-6Tintr	2.3237	RFQ	6421	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）		Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载		3（168））		1450-AS4C4M16SB-6Tintr			1,000	166 MHz	易挥发的	64mbit	5 ns	德拉姆	4m x 16	lvttl	12ns
AS7C351232A-10BINTR	18.9750	RFQ	4024	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-		3（168））		1450-AS7C351232A-10BINTR			2,000
AS4C256M16D3C-93BCNTR	7.3815	RFQ	5600	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-FBGA（7.5x13.5）	下载		3（168））		1450-AS4C256M16D3C-93BCNTR			2,000	1.066 GHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
AS4C64M16MD2A-25BINTR	5.4437	RFQ	1332	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-VFBGA		sdram- lpddr2	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	134-FBGA （10x11.5）	下载		3（168））		1450-AS4C64M16MD2A-25BINTR			2,000	400 MHz	易挥发的	1Gbit	5.5 ns	德拉姆	64m x 16	HSUL_12	15ns
AS6C62256-55PCNTR	2.8659	RFQ	2549	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	通过洞	28- 浸（0.600英寸，15.24毫米）		sram-异步	2.7V〜5.5V	28-pdip	下载		（1 （无限）		1450-AS6C62256-55PCNTR			1,000		易挥发的	256kbit	55 ns	SRAM	32K x 8	平行线	55ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（1624）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²