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![]() | AS4C64M8SC-7Tintr | 12.8250 | ![]() | 7086 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | AS4C64 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 133 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 17 ns | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | AS1C1M16P-70BIN | 4.2400 | ![]() | 6969 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | AS1C1M16 | PSRAM (伪 SRAM) | 2.6V〜3.3V | 48-fbga(6x7) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1450-1476 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 364 | 易挥发的 | 16mbit | 70 ns | PSRAM | 1m x 16 | 平行线 | 70NS | ||
![]() | AS1C2M16P-70BIN | 4.5800 | ![]() | 127 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | AS1C2M16 | PSRAM (伪 SRAM) | 2.6V〜3.3V | 48-fbga(6x7) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1450-1477 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 364 | 易挥发的 | 32Mbit | 70 ns | PSRAM | 2m x 16 | 平行线 | 70NS | ||
![]() | CY62256NLL-70PXC | - | ![]() | 2809 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | MOBL® | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 28- 浸(0.600英寸,15.24毫米) | CY62256 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1450-1480 | 过时的 | 8542.32.0041 | 42 | 易挥发的 | 256kbit | 70 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 70NS | ||
![]() | AS4C32M32MD2A-25BIN | 8.2800 | ![]() | 9694 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-VFBGA | AS4C32 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.95v | 134-FBGA (10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1450-1470 | Ear99 | 8542.32.0032 | 128 | 400 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 德拉姆 | 32m x 32 | 平行线 | 15ns | ||
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AS4C256M16D3LB-10BIN | - | ![]() | 6034 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | AS4C256 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA(13.5x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1450-1492 | Ear99 | 8542.32.0036 | 180 | 933 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
AS4C512M16D3LA-10BIN | 31.1000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | AS4C512 | SDRAM -DDR3L | 1.275V〜1.425V | 96-FBGA(13.5x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1450-1488 | Ear99 | 8542.32.0036 | 180 | 933 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | AS4C128M16D3LC-12BAN | 11.1300 | ![]() | 646 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 96-VFBGA | AS4C128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-fbga(7.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1450-1541 | Ear99 | 8542.32.0036 | 198 | 800 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | |
![]() | AS29CF040-55CCIN | 7.1600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-lcc(j-lead) | AS29CF040 | 闪光灯 -也不 | 4.5V〜5.5V | 32-PLCC (13.97x11.43) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1450-AS29CF040-55CCIN | Ear99 | 8542.32.0071 | 30 | 非易失性 | 4Mbit | 55 ns | 闪光 | 512k x 8 | 平行线 | 55ns | ||
![]() | AS4C256M16D4-83BCN | 10.5100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 联盟记忆,Inc。 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | AS4C256 | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 96-FBGA(7.5x13.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1450-AS4C256M16D4-83BCN | Ear99 | 8542.32.0036 | 209 | 1.2 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 18 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | 15ns |
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