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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
AS4C256M8D3LA-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3LA-12BAN -
RFQ
ECAD 8126 0.00000000 联盟记忆,Inc。 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 78-VFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
AS4C256M8D3LA-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3LA-12BCN -
RFQ
ECAD 1106 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-VFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
AS4C512M8D3A-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3A-12BAN -
RFQ
ECAD 4476 0.00000000 联盟记忆,Inc。 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 78-VFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA(9x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 220 800 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 8 平行线 15ns
AS4C64M16D3L-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3L-12BAN -
RFQ
ECAD 4540 0.00000000 联盟记忆,Inc。 汽车,AEC-Q100 托盘 在sic中停产 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
AS4C32M16SB-7TIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16SB-7TIN 15.8300
RFQ
ECAD 952 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) AS4C32 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-1384 Ear99 8542.32.0028 108 143 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 14ns
AS4C32M16SB-7TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16SB-7TCNTR 14.3900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) AS4C32 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,000 143 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 14ns
AS4C8M32SA-7BCN Alliance Memory, Inc. AS4C8M32SA-7BCN 8.3900
RFQ
ECAD 7409 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-TFBGA AS4C8M32 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 190 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 2NS
AS4C8M16D1-5BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M16D1-5BINTR 3.1918
RFQ
ECAD 8391 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA AS4C8M16 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 60-tfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 200 MHz 易挥发的 128mbit 700 ps 德拉姆 8m x 16 平行线 15ns
AS4C4M32D1A-5BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C4M32D1A-5BCNTR 3.7224
RFQ
ECAD 7819 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 144-LFBGA AS4C4M32 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 144-LFBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,500 200 MHz 易挥发的 128mbit 700 ps 德拉姆 4m x 32 平行线 12ns
AS4C32M16D1-5BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1-5BINTR 4.3388
RFQ
ECAD 9119 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA AS4C32 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 60-tfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,500 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
AS4C64M8D1-5TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D1-5TCNTR 3.6397
RFQ
ECAD 1837年 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) AS4C64 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,000 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
AS4C64M16D1-6TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D1-6TCNTR 19.8000
RFQ
ECAD 6544 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) AS4C64 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 易挥发的 1Gbit 700 ps 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
AS4C128M8D1-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D1-6TIN -
RFQ
ECAD 8952 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) AS4C128 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 108 166 MHz 易挥发的 1Gbit 700 ps 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
AS4C64M16D3A-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3A-12BANTR -
RFQ
ECAD 2448 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,500 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
AS4C512M16D3L-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3L-12BCNTR -
RFQ
ECAD 9462 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(9x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 易挥发的 8Gbit 13.75 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
JS28F640J3F75A Alliance Memory, Inc. JS28F640J3F75A -
RFQ
ECAD 9846 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) JS28F640J3 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 56-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-JS28F640J3F75A 3A991B1A 8542.32.0071 96 非易失性 64mbit 75 ns 闪光 4m x 16,8m x 8 平行线 75ns
AS4C256M16D3LC-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LC-12BINTR 12.1500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(7.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-AS4C256M16D3LC-12BINTR Ear99 8542.32.0036 2,500 800 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
AS4C256M16D3LC-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LC-12BIN 11.2800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(7.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-AS4C256M16D3LC-12BIN Ear99 8542.32.0036 209 800 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
AS4C256M16D3C-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3C-12BIN 11.2800
RFQ
ECAD 17 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA(7.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-AS4C256M16D3C-12BIN Ear99 8542.32.0036 209 800 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
AS4C256M16D3C-10BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3C-10BCN 11.2300
RFQ
ECAD 164 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA(7.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-AS4C256M16D3C-10BCN Ear99 8542.32.0036 209 933 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
AS4C512M8D3LC-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LC-12BCNTR 11.3300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 AS4C512 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-AS4C512M8D3LC-12BCNTR Ear99 8542.32.0036 2,500
AS4C256M16D3C-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3C-12BCN 10.5100
RFQ
ECAD 29 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA(7.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-AS4C256M16D3C-12BCN Ear99 8542.32.0036 209 800 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
AS4C256M16MD4-062BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16MD4-062BAN 16.9500
RFQ
ECAD 1151 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-tfbga AS4C256 sdram- lpddr4 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-fbga(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-AS4C256M16MD4-062BAN Ear99 8542.32.0036 136 1.6 GHz 易挥发的 4Gbit 3.5 ns 德拉姆 256m x 16 lvstl 18NS
AS4C1G8D3LA-10BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C1G8D3LA-10BCNTR 23.3250
RFQ
ECAD 2031 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA AS4C1G8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA(9x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 1450-AS4C1G8D3LA-10BCNTR Ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 1G x 8 平行线 -
AS4C8M16MSB-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C8M16MSB-6BIN 6.0800
RFQ
ECAD 319 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA sdram- sdram 1.7V〜1.95V 54-fbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 1450-AS4C8M16MSB-6BIN 319 166 MHz 易挥发的 128mbit 5.5 ns 德拉姆 8m x 16 lvcmos 15ns
AS9F18G08SA-45BAN Alliance Memory, Inc. AS9F18G08SA-45BAN 8.1900
RFQ
ECAD 210 0.00000000 联盟记忆,Inc。 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 63-VFBGA Flash -nand(slc) 1.7V〜1.95V 63-fbga(9x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 1450-AS9F18G08SA-45BAN 210 非易失性 4Gbit 30 ns 闪光 512m x 8 平行线 45ns,700µs
AS7C1026B-20TIN Alliance Memory, Inc. AS7C1026B-20TIN -
RFQ
ECAD 5032 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) sram-异步 4.5V〜5.5V 44-TSOP II - rohs3符合条件 3(168)) 1450-AS7C1026B-20TIN 3A991B2B 8542.32.0041 135 易挥发的 1Mbit 20 ns SRAM 64k x 16 平行线 20NS
AS4C512M16MD4V-053BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16MD4V-053BIN 11.6200
RFQ
ECAD 120 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 200-VFBGA sdram- lpddr4x 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-fbga(10x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 1450-AS4C512M16MD4V-053BIN Ear99 8542.32.0036 120 1.866 GHz 易挥发的 8Gbit 3.5 ns 德拉姆 512m x 16 lvstle_06 18NS
AS4C16M16MSB-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M16MSB-6BIN 7.2100
RFQ
ECAD 319 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA sdram- sdram 1.7V〜1.95V 54-fbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 1450-AS4C16M16MSB-6BIN 319 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.5 ns 德拉姆 16m x 16 lvcmos 15ns
AS7C1026B-15TIN Alliance Memory, Inc. AS7C1026B-15TIN -
RFQ
ECAD 7703 0.00000000 联盟记忆,Inc。 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) sram-异步 4.5V〜5.5V 44-TSOP II - rohs3符合条件 3(168)) 1450-AS7C1026B-15TIN 3A991B2B 8542.32.0041 135 易挥发的 1Mbit 15 ns SRAM 64k x 16 平行线 15ns
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    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

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