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（ICS）（1624）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
AS7C31025C-12Tintr	-	RFQ	4826	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	AS7C31025	sram-异步	3v〜3.6V	32-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
AS7C31025B-20TJCNTR	3.3915	RFQ	4146	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	AS7C31025	sram-异步	3v〜3.6V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1Mbit	20 ns	SRAM	128K x 8	平行线	20NS
AS7C31026B-10TCNTR	2.8125	RFQ	6172	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	AS7C31026	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS
AS4C32M16MD1-5BIN	-	RFQ	1657年	联盟记忆，Inc。	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TJ）	表面安装	60-TFBGA	AS4C2M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.9V	60-fbga（8x9）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	160	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
AS7C3513B-10JCNTR	4.0025	RFQ	6368	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	AS7C3513	sram-异步	3v〜3.6V	44-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	500		易挥发的	512kbit	10 ns	SRAM	32k x 16	平行线	10NS
JS28F128P33TF70A	5.4721	RFQ	6015	联盟记忆，Inc。	Strataflash™	托盘	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	56-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		闪存 - 或MLC）	2.3v〜3.6V	56-tsop	-		3（168））		1450-JS28F128P33TF70A			96	40 MHz	非易失性	128mbit	70 ns	闪光	8m x 16	CFI	-
AS4C4M32S-7BCNTR	3.9283	RFQ	7936	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	AS4C4M32	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,000	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	2NS
AS6C62256-55PIN	4.5800	RFQ	156	联盟记忆，Inc。	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	28- 浸（0.600英寸，15.24毫米）		sram-异步	2.7V〜5.5V	28-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1450-AS6C62256-55PIN	Ear99	8542.32.0041	15		易挥发的	256kbit	55 ns	SRAM	32K x 8	平行线	55ns
AS4C32M32MD1-5BIN	-	RFQ	7151	联盟记忆，Inc。	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TJ）	表面安装	90-VFBGA	AS4C2M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.9V	90-FBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	348	200 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	32m x 32	平行线	15ns
AS4C8M16MSB-6BIN	6.0800	RFQ	319	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA		sdram- sdram	1.7V〜1.95V	54-fbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1450-AS4C8M16MSB-6BIN			319	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 16	lvcmos	15ns
AS4C16M32MSB-6BINTR	5.6308	RFQ	5658	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-VFBGA		Sdram	1.7V〜1.95V	90-FBGA（8x13）	下载		3（168））		1450-AS4C16M32MSB-6BINTR			1,500	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.5 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	15ns
AS6C1616B-55Tintr	9.4500	RFQ	3744	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		sram-异步	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载		3（168））		1450-AS6C1616B-55TINTR			1,500		易挥发的	16mbit	55 ns	SRAM	1m x 16	平行线	55ns
AS4C512M8D4A-75BCN	9.3400	RFQ	160	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-fbga（7.5x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-AS4C512M8D4A-75BCN			160	1.333 GHz	易挥发的	4Gbit	18 ns	德拉姆	512m x 8	荚	15ns
AS1C8M16PL-70BINTR	4.4191	RFQ	1176	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-30°C〜85°C（TC）	表面安装	49-VFBGA		PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	49-fbga（4x4）	下载		3（168））		1450-AS1C8M16PL-70BINTR			2,000	133 MHz	易挥发的	128mbit	70 ns	PSRAM	8m x 16	平行线	-
AS4C8M32MD2A-25BCNTR	3.7559	RFQ	4808	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-25°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-TFBGA		sdram- lpddr2	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	134-FBGA （10x11.5）	下载		3（168））		1450-AS4C8M32MD2A-25BCNTR			1,000	400 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 32	HSUL_12	15ns
AS7C32096A-12Tintr	4.4831	RFQ	9879	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	AS7C32096	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	2Mbit	12 ns	SRAM	256K x 8	平行线	12ns
MT41K512M16HA-125 IT：a	-	RFQ	9624	联盟记忆，Inc。	Twindie™	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	MT41K512M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA（9x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-MT41K512M16HA-125IT：A。	Ear99	8542.32.0036	170	800 MHz	易挥发的	8Gbit	13.75 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
AS7C1026B-15TIN	-	RFQ	7703	联盟记忆，Inc。	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	-	rohs3符合条件	3（168））		1450-AS7C1026B-15TIN	3A991B2B	8542.32.0041	135		易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
M25P10-AVMN6TP	0.8000	RFQ	2	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	M25P10	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-so	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,500	50 MHz	非易失性	1Mbit	8 ns	闪光	128K x 8	spi	5ms
AS4C64M4SA-6Tintr	3.9706	RFQ	3089	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	AS4C64	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5 ns	德拉姆	64m x 4	平行线	-
CY62256NLL-55SNXI	2.7800	RFQ	4	联盟记忆，Inc。	MOBL®	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	CY62256	sram-异步	4.5V〜5.5V	28-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-1489	Ear99	8542.32.0041	27		易挥发的	256kbit	55 ns	SRAM	32K x 8	平行线	55ns
AS4C256M16D3C-12BIN	11.2800	RFQ	17	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	AS4C256	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-FBGA（7.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	1450-AS4C256M16D3C-12BIN	Ear99	8542.32.0036	209	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
AS7C31025C-12TIN	-	RFQ	5067	联盟记忆，Inc。	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	AS7C31025	sram-异步	3v〜3.6V	32-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	26		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
ASFC16G31M-51BIN	10.5000	RFQ	98	联盟记忆，Inc。	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA		Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	153-fbga（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		1450-ASFC16G31M-51BIN	3A991B1A	8542.32.0071	160	200 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	EMMC_5.1	-
AS4C64M8D1-5TINTR	3.9325	RFQ	3693	联盟记忆，Inc。	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	AS4C64	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,000	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
PC28F128J3F75B	5.7193	RFQ	4676	联盟记忆，Inc。	Strataflash™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-TBGA		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	64- Easybga（10x13）	-		3（168））		1450-PC28F128J3F75BTR			2,000		非易失性	128mbit	75 ns	闪光	8m x 16，16m x 8	CFI	75ns
AS4C256M8D3A-12BCN	6.2200	RFQ	1	联盟记忆，Inc。	-	托盘	过时的	0°C 〜90°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	AS4C256	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	242	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
PC28F128P30BF65A	6.9000	RFQ	6573	联盟记忆，Inc。	Axcell™	托盘	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	64-TBGA		闪存-SLC）	1.7V〜2V	64- Easybga（10x13）	-		3（168））		1450-PC28F128P30BF65A			96	52 MHz	非易失性	128mbit	65 ns	闪光	8m x 16	CFI	65ns
PC28F512P30BFA	7.6500	RFQ	9073	联盟记忆，Inc。	Axcell™	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LBGA		闪存 - 或MLC）	1.7V〜2V	64-lbga（11x13）	-		3（168））		1450-PC28F512P30BFA			96	40 MHz	非易失性	512Mbit	100 ns	闪光	32m x 16	CFI	-
AS4C256M8D3LA-12BCN	-	RFQ	1106	联盟记忆，Inc。	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-VFBGA	AS4C256	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	242	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（1624）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²