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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 特征 | 基本产品编号 | 技术 | 电流 -供应 | 电压 -输入(最大) | 输出类型 | sic可编程 | 输出 | 电路数 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 功能 | 配置 | i/o的数量 | 核心处理器 | 核心大小 | 速度 | 连接性 | 外围设备 | 程序内存大小 | 程序内存类型 | EEPROM大小 | ram大小 | 电压 -电源( -vcc/vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 协议 | 驱动程序/接收器的数量 | 双工 | 数据速率 | 界面 | 终止数量 | 时钟频率 | 锥度 | 水龙头数量 | ((() | 内存类型 | ((() | ((((()) | 内存大小 | T格式 | 日期格式 | 电压 -电池电量 | 当前 -计时(最大) | 延迟到第1点 | 可用的总延迟 | 独立延迟数量 | 重置 | 当前-iq(iq) | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | 控制功能 | 输出配置 | 电流 -输出 | 监视电压数量 | 电压 -阈值 | 重置超时 | 电压 -输出(最小/固定) | 电压 -输出(最大) | 监管机构数量 | ((() | PSRR | 保护功能 | sic可编程 |
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![]() | DS1867E-010/TR | 5.6100 | ![]() | 5329 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±20% | -40°C〜95°C | 表面安装 | 20-tssop (0.173“,4.40mm宽度) | 级联别针 | 未行业行业经验证 | 2 | 5V | 20-tssop | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 电位计 | 系列 | 线性 | 256 | 10k | 非易失性 | 750ppm/°C | 400 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS28DG02G-3C+ | - | ![]() | 2004 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 36-WFQFN暴露垫 | DS28DG02 | EEPROM | 2.2v〜5.25V | 36-TQFN (6x6) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 2 MHz | 非易失性 | 2kbit | EEPROM | 256 x 8 | spi | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS2125+ | 3.0400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 48-LQFP | SCSI,LVD,SE | 2.7V〜5.5V | 48-LQFP (7x7) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | 15 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS1669-50+ | - | ![]() | 7869 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | - | 管子 | 过时的 | ±20% | -40°C〜85°C | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | - | 未行业行业经验证 | 1 | ±4.5V〜8V | 8-pdip | - | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | 电位计 | 上/下(向上,DN) | 线性 | 64 | 50k | 非易失性 | 750ppm/°C | 400 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS1666S-100+t r | 3.0800 | ![]() | 700 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | - | 大部分 | 过时的 | ±20% | -40°C〜85°C | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | - | 未行业行业经验证 | 1 | 5V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 电位计 | 上/下( u/d,INC,CS) | 伪质体 | 128 | 100k | 易挥发的 | 750ppm/°C | 350 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS2120E/T&R/C08 | 1.8400 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAX8530EBTKG-T | - | ![]() | 2980 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 6-WFBGA,CSPBGA | 6.5V | 固定的 | 6-UCSP(1.57x1.05) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 220 µA | 启用,重置 | 积极的 | 200mA,150mA | 2.8V,3V | - | 2 | 0.2V @ 100mA | 60dB(100Hz) | 超过温度,短路 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS1270AB-70# | 157.3300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-DS1270AB-70#-406 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS2760BE/T&r | 3.2600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | * | 大部分 | 积极的 | DS2760 | 下载 | 供应商不确定 | 供应商不确定 | 2156-DS2760BE/T &R-406 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS21S07AE+T&r | - | ![]() | 5976 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 20-tssop (0.173“,4.40mm宽度) | SCSI,LVD,SE | 4v〜5.5V | 20-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 9 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS80C310+FCG | 28.6800 | ![]() | 468 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | 80C | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-TQFP | DS80C310 | 44-TQFP(10x10) | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.31.0001 | 1 | 32 | 8051 | 8位 | 25MHz | EBI/EMI,SIO,UART/USART | 棕色检测/重置,por | - | 无rom | - | 256 x 8 | 4.5V〜5.5V | - | 外部的 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS1251WP-1220 | 32.5800 | ![]() | 6815 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 34-PowerCap™ | 幻影t | 跳跃,NVSRAM | 未行业行业经验证 | 0.3V〜4.6V | 34-PowerCap模块 | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.39.0001 | 40 | 平行线 | 512kb | HH:MM:SS:HH (12/24小时) | yy-mm-dd-dd | - | 7ma @ 3.3V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS21610QN | 32.2200 | ![]() | 219 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达受影响 | 2156-DS21610QN-406 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS2187S+ | 15.0300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 20-SOIC (0.295英寸,7.50mm宽度) | 18mA | 1 | 4.75V〜5.25V | 20-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 37 | 接收线接口 | T1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS1669S-50/T&r | - | ![]() | 5328 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | * | 大部分 | 过时的 | - | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS1270AB-70#-D | - | ![]() | 1554年 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS2417X | 1.3000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 6-vfbga,fcbga | 二进制计数器 | 独特的id | 未行业行业经验证 | 2.5V〜5.5V | 6-Flipchip(1.09x1.37) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6,568 | 1-Wire®系列 | - | 二进制 | 二进制 | - | 0.45µA @ 2.5V〜5.5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS1867S-50 | 5.3800 | ![]() | 379 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±20% | -40°C〜85°C | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 级联别针 | DS1867 | 未行业行业经验证 | 2 | 5V | 16-Soic | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 电位计 | 系列 | 线性 | 256 | 50k | 非易失性 | 750ppm/°C | 400 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS1868E-10 | 3.7400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±20% | -40°C〜85°C | 表面安装 | 20-tssop (0.173“,4.40mm宽度) | 级联别针 | DS1868 | 未行业行业经验证 | 2 | 2.7V〜3.3V,5V | 20-tssop | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 电位计 | 系列 | 线性 | 256 | 10k | 易挥发的 | 750ppm/°C | 400 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS1708ESA | 1.3700 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | Micromonitor™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 简单重置/电源重置 | DS1708 | 推扣,推扣 | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 活跃的高/主动低 | 1 | 4.4V | 最低130毫米 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS2120E+T&r | 1.5600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 28-TSSOP (0.173英寸,4.40mm) | SCSI,LVD,SE | 2.7V〜5.5V | 28-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 9 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS2108S+ | - | ![]() | 6409 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 24-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | SCSI,HVD,SE | 4v〜5.25V | 24-Soic | - | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 31 | 9 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS21Q352N | 120.3500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | - | 大部分 | 积极的 | - | 表面安装 | 256-BGA | DS21Q352 | - | 4 | 3.3V | 256-BGA (27x27) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 收发器 | T1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS1669S-10+t r | - | ![]() | 5144 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | Dallastat™ | 大部分 | 积极的 | ±20% | -40°C〜85°C | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | - | DS1669 | 未行业行业经验证 | 1 | ±4.5V〜8V | 8-SOIC | - | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 电位计 | 上/下(向上,DN) | 线性 | 64 | 10k | 非易失性 | 750ppm/°C | 400 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS1482S+ | 3.6200 | ![]() | 220 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 司机 | 4.5V〜5.5V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | - | 1/0 | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS1013S-30/T&r | 4.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 4.75V〜5.25V | 16-Soic | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 多个,不可编程 | 30ns | 30ns | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS12885Q/T&r | 4.4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 28-lcc(j-lead) | 时钟/日历 | 警报,日光节省,leap年,nvsram,方波输出 | 未行业行业经验证 | 4.5V〜5.5V | 28-PLCC (11.51x11.51) | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | 平行线 | 114b | HH:MM:SS (12/24小时) | yy-mm-dd-dd | 2.5V〜4V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS2117MB | 5.3400 | ![]() | 86 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 36-bsop(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | SCSI,LVD,SE | DS2117M | 4v〜5.5V | 36-SSOP | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 9 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS89C430-MNG | - | ![]() | 5890 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | 89c | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 40 DIP (0.600英寸,15.24毫米) | DS89C430 | 40-pdip | 下载 | Rohs不合规 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 10 | 32 | 8051 | 8位 | 25MHz | EBI/EMI,SIO,UART/USART | 电力-失败重置,wdt | 16KB(16k x 8) | 闪光 | - | 1k x 8 | 4.5V〜5.5V | - | 外部的 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS21T07E+T&r | 2.0700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 达拉斯半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 20-tssop (0.173“,4.40mm宽度) | SCSI,LVD,SE | 4v〜5.5V | 20-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 9 |
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