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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 应用领域 | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 特征 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 当前-供应 | 电压 - 输入(最大) | 输出类型 | SIC | 其中 - 输入:输出 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 功能 | 电流 - 输出/通道 | 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) | 最大输出功率 x 通道@负载 | 界面 | 产出数量 | 通道类型 | 拓扑结构 | 频率切换 | 故障保护 | 输出配置 | 同步调整器 | 当前-输出 | 负载类型 | 导通电阻(典型值) | 当前 - 高峰 | 电压-负载 | 驱动配置 | 司机X | 闸门类型 | 逻辑电压 - VIL、VIH | 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) | 上升/下降T(典型值) | 高侧电压 - 顶部(自举) | 电机类型 - 步进 | 电机类型 - 交流、直流 | 步骤解析 | 开关类型 | 当前-产出(最大) | 电压 - 输出(最小/固定) | 电压 - 输出(最大) | 电压-输入(最小) | SIC |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRS2103PBF | 0.8400 | ![]() | 8719 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 国税局2103 | 反相、同相 | 未验证 | 10V~20V | 8-PDIP | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 290毫安、600毫安 | 70纳秒、35纳秒 | 600伏 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRSM836-015MA | - | ![]() | 5357 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | µIPM™ | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 交流电机 | 表面贴装 | 36-PowerVQFN | 自举电路 | IRSM836 | 乌莫斯 | 13.5V~16.5V | 36-PQFN (12x12) | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1A | 逻辑 | 欠压闭锁 | 半桥 (3) | 感应式 | 4.8欧姆 | 7A | 400V(最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRS2330DJTRPBF | 3.7600 | ![]() | 91 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 44-LCC(J 引脚),32 引脚 | 国税局2330 | 反相 | 未验证 | 10V~20V | 44-PLCC,32端口 (16.58x16.58) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 土耳其 | 半桥 | 6 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、0.8V | 250毫安、500毫安 | 80纳秒、35纳秒 | 600伏 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRS21084SPBF | - | ![]() | 2846 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 14-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 反相、同相 | 10V~20V | 14-SOIC | - | 不符合RoHS标准 | 供应商未定义 | 2156-IRS21084SPBF-600047 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 290毫安、600毫安 | 100纳秒、35纳秒 | 600伏 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRS2181PBF | 2.8200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 国税局2181 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-PDIP | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 1.9A、2.3A | 40纳秒、20纳秒 | 600伏 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRMCK343TY | - | ![]() | 1405 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | MCE™ | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 器具 | 表面贴装 | 64-LQFP | IRMCK343 | IGBT | 1.62V~1.98V、3V~3.6V | 64-QFP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 控制器 - 换向、方向管理 | I²C、RS-232、SPI | 预驱动器 - 半桥 (3) | - | - | - | 交流,同步 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIPS7081R | - | ![]() | 1113 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | TO-252-5、DPak(4引脚+片)、TO-252AD | 自动重启 | AUIPS7081 | 非反相 | N沟道 | 1:1 | PG-TO252-5 | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 不需要 | 开/关 | 1 | 电流限制(固定)、开路负载检测、过温 | 高边 | 55毫欧 | 6V~35V | 通用型 | 2A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRS2183SPBF | - | ![]() | 9935 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | * | 大部分 | 的积极 | 国税局2183 | 下载 | 2(1年) | REACH 不出行 | 2156-IRS2183SPBF-600047 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IR3505ZMTRPBF | 2.0400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | XPhase3™ | 大部分 | 的积极 | 0℃~150℃(太焦) | 处理器 | 表面贴装 | 16-VFQFN 裸露焊盘 | IR3505 | 3毫安 | - | 16-MLPQ (3x3) | 下载 | 不适用 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRS2184PBF | 2.6500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | * | 大部分 | 的积极 | 国税局2184 | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 114 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRS2183PBF | 2.8800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 国税局2183 | 反相、同相 | 未验证 | 10V~20V | 8-PDIP | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 1.9A、2.3A | 40纳秒、20纳秒 | 600伏 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRS20965SPBF | - | ![]() | 3272 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | D级 | - | 1通道(单通道) | 10V~15V | 16-SOIC | 下载 | 不适用 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIR3320S | - | ![]() | 1269 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | TO-263-5,D²Pak(4引脚+片)变体 | - | AUIR3320 | 非反相 | N沟道 | 1:1 | D2PAK | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 不需要 | 开/关 | 1 | 电流限制(可调),过温 | 高边 | 3.3毫欧 | 6V~26V | 通用型 | 45A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIPS1011 | 1.5700 | ![]() | 270 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | - | AUIPS1011 | 非反相 | N沟道 | 1:1 | TO-220 | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 不需要 | 开/关 | 1 | 电流限制(固定),过温 | 低侧 | 10毫欧 | 36V(最大) | 通用型 | 18A | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCF171TR | - | ![]() | 8201 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | iMOTION™、MCE™ | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 器具 | 表面贴装 | 48-LQFP | IRMCF171 | 功率MOSFET | 3V~3.6V | 48-LQFP (7x7) | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 控制器 - 换向、方向管理 | I²C、RS-232、SPI | 预驱动器 - 半桥 (3) | - | - | - | 交流、感应、同步 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IR3566BMTRPBF | - | ![]() | 6482 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | * | 大部分 | 的积极 | 未验证 | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IR38060MGM10TRP | - | ![]() | 3664 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | SupIRBuck™ | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 26-PowerTFQFN | 16V | 可调节的 | 26-PQFN (5x6) | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 降压 | 1 | 巴克 | 225kHz~1.65MHz | 的积极 | 是的 | 6A | 0.5V | 14V | 1.2V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRS2111PBF | 1.7400 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 国税局2111 | 反相、同相 | 未验证 | 10V~20V | 8-PDIP | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 同步化 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 8.3V、12.6V | 290毫安、600毫安 | 75纳秒、35纳秒 | 600伏 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IR2131STRPBF | 5.1600 | ![]() | 132 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 28-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | IR2131 | 反相 | 未验证 | 10V~20V | 28-SOIC | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 6 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.2V | 250毫安、500毫安 | 80纳秒、40纳秒 | 600伏 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRS21171STRPBF | - | ![]() | 4610 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 国税局21171 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 单身的 | 高侧 | 1 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 290毫安、600毫安 | 75纳秒、35纳秒 | 600伏 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPS5451 | - | ![]() | 5914 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | TO-220-5 | 自动重启 | IPS5451 | 非反相 | N沟道 | 1:1 | TO-220AB(5引脚) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 不需要 | 开/关 | 1 | 电流限制(固定)、开路负载检测、过温 | 高边 | 19毫欧 | 5.5V~18V | 通用型 | 4A | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRSM836-035MA | - | ![]() | 第1391章 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 器具 | 表面贴装 | 36-PowerVQFN | IRSM836 | 乌莫斯 | 13.5V~16.5V | 36-PQFN (12x12) | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 驱动器 - 完全集成、控制和功率级 | 平行线 | 半桥 (3) | 3A | 400V(最大) | - | 交流,同步 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IR2106STRPBF | - | ![]() | 3090 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | IR2106 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.9V | 200毫安、350毫安 | 150纳秒、50纳秒 | 600伏 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRS2101PBF | 1.1700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 国税局2101 | 非反相 | 10V~20V | 8-PDIP | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 第257章 | 独立的 | 高侧或低侧 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 290毫安、600毫安 | 70纳秒、35纳秒 | 600伏 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRSM515-084DA-IR | - | ![]() | 5325 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | IRSM515-084 | 大部分 | 的积极 | -40℃~125℃ | 通用直流电机 | 通孔 | 23-DIP模块(0.573",14.55mm) | 自举电路 | IRSM515 | NMOS | 13.5V~16.5V | 23-DIP | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 4.6A | 逻辑、脉宽调制 | 欠压闭锁 | 半桥 (3) | 电容式 | 340毫欧 | 15A | 200V(最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRS2124STRPBF | 1.0300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 国税局2124 | 反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2(1年) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 单身的 | 高侧 | 1 | IGBT、N沟道MOSFET | - | 500毫安,500毫安 | 80纳秒, 80纳秒 | 600伏 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ITS42008-SB-D | - | ![]() | 2990 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 36-BSSOP(0.433",11.00mm宽)裸露焊盘 | 转换速率受控 | ITS42008 | 非反相 | N沟道 | 1:1 | PG-DSO-36-26 | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 不需要 | 平行线 | 8 | 限流(固定)、过温、过压、电池反接、短路、UVLO | 高边 | 150毫欧 | 11V~45V | 通用型 | 2A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IR38060MGM09TRP | - | ![]() | 2579 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | SupIRBuck™ | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 26-PowerTFQFN | 16V | 可调节的 | 26-PQFN (5x6) | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 降压 | 1 | 巴克 | 225kHz~1.65MHz | 的积极 | 是的 | 6A | 0.5V | 14V | 1.2V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRSM515-044DA | - | ![]() | 9372 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | µIPM™-DIP | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 交流电机 | 通孔 | 32-PowerDIP模块,23插座 | 自举电路 | IRSM515 | 乌莫斯 | 13.5V~16.5V | 23-DIP | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 3A | 逻辑 | 欠压闭锁 | 半桥 (3) | 感应式 | 800毫欧 | 15A | 200V(最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRS2001PBF | 1.7900 | ![]() | 19号 | 0.00000000 | 国际校正器公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | 国税局2001 | 非反相 | 未验证 | 10V~20V | 8-PDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 290毫安、600毫安 | 70纳秒、35纳秒 | 200V |

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