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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存接口 写周期t-单词,页面,页面
IS62LV256AL-45ULI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62LV256AL-45uli-Tr 1.1254
RFQ
ECAD 6303 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 28-SOIC (0.330英寸,8.38毫米宽) IS62LV256 sram-异步 3v〜3.6V 28 SOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 1,000 易挥发的 256kbit 45 ns SRAM 32K x 8 平行线 45ns
IS42VM32400H-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32400H-75BLI-TR 4.1105
RFQ
ECAD 1416 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42VM32400 sdram-移动 1.7V〜1.95V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0002 2,500 133 MHz 易挥发的 128mbit 6 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 -
IS46LQ32640AL-062TBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32640AL-062TBLA1 -
RFQ
ECAD 5977 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-tfbga(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46LQ32640AL-062TBLA1 136 1.6 GHz 易挥发的 2Gbit 3.5 ns 德拉姆 64m x 32 lvstl 18NS
IS43LR32640A-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32640A-5BLI-TR 12.8850
RFQ
ECAD 1124 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-LFBGA IS43LR32640 sdram -ddr 1.7V〜1.95V 90-WBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,500 200 MHz 易挥发的 2Gbit 5 ns 德拉姆 64m x 32 平行线 15ns
IS62WV10248HBLL-45B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV10248HBLL-45B2LI 4.1520
RFQ
ECAD 1967年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA sram-异步 2.2v〜3.6V 48-TFBGA(6x8) - rohs3符合条件 3(168)) 706-IS62WV10248HBLL-45B2LI 480 易挥发的 8mbit 45 ns SRAM 1m x 8 平行线 45ns
IS42S16160J-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-6BLI-TR 2.9790
RFQ
ECAD 5683 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS43R86400D-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-6TLI-TR 7.5000
RFQ
ECAD 8559 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS43R86400 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,500 166 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
IS43TR82560CL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560CL-125KBL-TR 3.8489
RFQ
ECAD 7671 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43TR82560CL-125KBL-TR 2,000 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
IS61LF51236A-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-6.5B3I-Tr -
RFQ
ECAD 6667 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61LF51236 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 133 MHz 易挥发的 18mbit 6.5 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS46TR16128A-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128A-15HBLA2 -
RFQ
ECAD 4514 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 190 667 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS62WV6416FBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416FBLL-45TLI 1.5722
RFQ
ECAD 2647 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) sram-异步 2.2v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS62WV6416FBLL-45TLI 135 易挥发的 1Mbit 45 ns SRAM 64k x 16 平行线 45ns
IS42S32800D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-6BLI-TR -
RFQ
ECAD 1521年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32800 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
IS43R32800B-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32800B-6BL -
RFQ
ECAD 2731 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 144-LFBGA IS43R32800 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 144-Minibga(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 189 166 MHz 易挥发的 256Mbit 700 ps 德拉姆 8m x 32 平行线 15ns
IS43TR16640B-125JBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-125JBLI-TR -
RFQ
ECAD 7248 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,500 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS62WV5128EBLL-45BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EBLL-45BI -
RFQ
ECAD 8259 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-TFBGA IS62WV5128 sram-异步 2.2v〜3.6V 36-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 1 易挥发的 4Mbit 45 ns SRAM 512k x 8 平行线 45ns
IS46TR16128AL-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128AL-15HBLA2 -
RFQ
ECAD 7844 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 190 667 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS49NLS96400-33BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS96400-33Bli -
RFQ
ECAD 1262 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-TFBGA IS49NLS96400 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 104 300 MHz 易挥发的 576Mbit 20 ns 德拉姆 64m x 9 平行线 -
IS42S16160G-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6TLI 7.5262
RFQ
ECAD 3507 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 108 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS42S16160D-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-7B-Tr -
RFQ
ECAD 4415 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-TW-BGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS46R16320E-5TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320E-5TLA1-Tr 7.1705
RFQ
ECAD 9412 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS46R16320 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,500 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
IS42S32400D-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-7BI-Tr -
RFQ
ECAD 6197 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32400 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 -
IS42S32800J-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-6TLI 6.4315
RFQ
ECAD 2731 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32800 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 108 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
IS61WV10248EEBLL-10B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV10248EEBLL-10B2LI 6.9125
RFQ
ECAD 5145 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA sram-异步 2.4v〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS61WV10248EEBLL-10B2LI 480 易挥发的 8mbit 10 ns SRAM 1m x 8 平行线 10NS
IS25WP256E-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256E-JLLE 4.0444
RFQ
ECAD 5161 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 1.7V〜1.95V 8-wson(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25WP256E-JLLE 480 166 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 50µs,1ms
IS49NLS18160-33WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160-33WBLI -
RFQ
ECAD 5594 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-TFBGA IS49NLS18160 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-twbga(11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 104 300 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 16m x 18 平行线 -
IS62WV12816BLL-55TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55TI-TR -
RFQ
ECAD 7901 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS62WV12816 sram-异步 2.5V〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 2Mbit 55 ns SRAM 128K x 16 平行线 55ns
IS43TR81024BL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024BL-107MBL 21.5163
RFQ
ECAD 7325 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43TR81024BL-107MBL 136 933 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 1G x 8 平行线 15ns
IS42S86400B-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400B-7TLI -
RFQ
ECAD 5783 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S86400 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 108 143 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 64m x 8 平行线 -
IS61NVF51236-6.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF51236-6.5B3 -
RFQ
ECAD 8165 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NVF51236 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 MHz 易挥发的 18mbit 6.5 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS25LP256E-RHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256E-RHLE 3.8455
RFQ
ECAD 4734 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC) 2.3v〜3.6V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25LP256E-RHLE 480 166 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 50µs,1ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

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    15,000 m2

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