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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -输入 | sic可编程 | PLL | 输入 | 输出 | 电路数 | 比率-输入:输出 | 差分-输入:输出 | 频率 -最大 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 分隔线/乘数 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | i/o的数量 | 大门数量 | 核心处理器 | 核心大小 | 速度 | 连接性 | 外围设备 | 程序内存大小 | 程序内存类型 | EEPROM大小 | ram大小 | 电压 -电源( -vcc/vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 时钟频率 | 可编程类型 | 宏观小球的数量 | ttpd(1)(1) | 电压电源 -内部 | 逻辑元素/块的数量 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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![]() | CY62256NL-70SNC | 1.3400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | CY62256 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-Soic | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 70 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 70NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C24423A-24LTXIKG | - | ![]() | 8986 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®1CY8C24XXX | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-UFQFN暴露垫 | CY8C24423 | 32-qfn (5x5) | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.31.0001 | 1 | 24 | M8C | 8位 | 24MHz | i²c,spi,uart/usart | Por,PWM,WDT | 4KB (4k x 8) | 闪光 | - | 256 x 8 | 2.4V〜5.25V | A/D 10x14b; D/A 2x9b | 内部的 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C24894-24LTXIKG | - | ![]() | 3529 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®1CY8C24XXX | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-VFQFN暴露垫 | CY8C24894 | 56 SAWN QFN-EP(8x8) | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 50 | M8C | 8位 | 24MHz | i²c,spi,uart/usart,USB | Por,PWM,WDT | 16KB(16k x 8) | 闪光 | - | 1k x 8 | 3v〜5.25V | A/D 47x14b; D/A 2x9b | 内部的 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C3866LTI-030KG | - | ![]() | 6342 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®3CY8C38XX | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 68-VFQFN暴露垫 | CY8C3866 | 68-qfn (8x8) | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 38 | 8051 | 8位 | 67MHz | EBI/EMI,I²C,LINBUS,SPI,UART/USART,USB | Capsense,DMA,LCD,POR,PWM,WDT | 64KB (64K x 8) | 闪光 | 2k x 8 | 8k x 8 | 1.71V〜5.5V | A/D 16x20b; D/A 4x8b | 内部的 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62147CV18LL-55BAI | 2.3100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL2™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | CY62147 | sram-异步 | 1.65V〜1.95V | 48-fbga(7x8.5) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 55ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1383BV25-100BGC | 21.1300 | ![]() | 210 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | CY7C1383 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 8.5 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1009BN-15VIT | 2.1900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C1009 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-soj | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PALCE20V8-15PC | 1.7100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 24- 浸(0.300英寸,7.62mm) | 4.75V〜5.25V | 24-PDIP | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 15 ns | 朋友 | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C24423A-24PXIKP | 2.5100 | ![]() | 187 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®1CY8C24XXX | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 通过洞 | 28- 浸(0.300英寸,7.62mm) | CY8C24423 | 28-pdip | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.31.0001 | 1 | 24 | M8C | 8位 | 24MHz | i²c,spi,uart/usart | Por,PWM,WDT | 4KB (4k x 8) | 闪光 | - | 256 x 8 | 2.4V〜5.25V | A/D 10x14b; D/A 2x9b | 内部的 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C54888AXI-LP120 | - | ![]() | 9444 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | CY8C54888 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8CTMA340-48LQI-09KG | 4.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 未行业行业经验证 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.31.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62136CV30LL-70BVXI | 1.1900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62136 | sram-异步 | 2.7V〜3.3V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 2Mbit | 70 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 70NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7B9945V-2AC | 20.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | Roboclock™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 52-LQFP | 时钟缓冲区,扇形发行 | 是的 | lvpecl,lvttl | lvttl | 1 | 2:10 | 是/否 | 200MHz | 2.97v〜3.63V | 52-LQFP(10x10) | 下载 | 是/是 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY39100V256B-83BBC | 27.8700 | ![]() | 265 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 256-LBGA | 未行业行业经验证 | 256-FBGA(17x17) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 180 | 144000 | 系统内重编程™ISR™) | 1536年 | 15 ns | 2.3v〜2.7V,3v〜3.6 | 192 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY3290-TMG200 | - | ![]() | 3656 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP6759DMD | - | ![]() | 6578 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1372SV25-167CKJ | 22.0500 | ![]() | 49 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | CY7C1372 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.4 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY7C1362C-166AJXCKJ | 9.6600 | ![]() | 43 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1362 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.5 ns | SRAM | 512k x 18 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1363B-117BGC | 8.4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 119-BGA | CY7C1363 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 117 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 7.5 ns | SRAM | 512k x 18 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C66113A-LTXC | 3.9300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 未行业行业经验证 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C53120E4-40SXIES | - | ![]() | 8788 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 未行业行业经验证 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB9BF404NAPMC-G-JNE2 | - | ![]() | 4143 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FM3 MB9B400A | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | MB9BF404 | 100-LQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 80 | ARM®Cortex®-M3 | 32位单核 | 80MHz | CANBUS,CSIO,EBI/EMI,I²C,LINBUS,UART/USART | DMA,LVD,POR,PWM,WDT | 256KB (256K x 8) | 闪光 | - | 32K x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 16x12b | 内部的 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY22381XSI-185 | 2.5400 | ![]() | 194 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY22381SXI-195 | 2.5400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62147DV30L-70BVXI | - | ![]() | 9366 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62147 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 70 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 70NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62147VLL-70ZIT | 2.5400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY62147 | sram-异步 | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 4Mbit | 70 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 70NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB9BF164KPMC-G-JNE2 | - | ![]() | 3009 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FM4 MB9B160L | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 48-LQFP | MB9BF164 | 48-LQFP (7x7) | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 33 | ARM®Cortex®-M4F | 32位单核 | 160MHz | CSIO,I²C,Linbus,UART/USART | DMA,LVD,POR,PWM,WDT | 288KB(288K x 8) | 闪光 | - | 32K x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 8x12b; D/A 2x12b | 内部的 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62148DV30LL-55BVXI | 2.0100 | ![]() | 3357 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62148 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 55ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY22392KZXC-339 | 3.4500 | ![]() | 192 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB9AF1A2LPMC-G-SNE2 | 2.7100 | ![]() | 2291 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FM3 MB9A1A0N | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LQFP | MB9AF1A2 | 64-LQFP (12x12) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 52 | ARM®Cortex®-M3 | 32位单核 | 20MHz | CSIO,I²C,SPI,UART/USART | LVD,POR,PWM,WDT | 128KB (128K x 8) | 闪光 | - | 16k x 8 | 1.8V〜5.5V | A/D 9x12b; D/A 2x10b | 内部的 |
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