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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 当前-供应 | SIC | 锁相环 | 输入 | 输出 | 电路数量 | 其中 - 输入:输出 | 分数 - 输入:输出 | 频率 - 最大 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 除法器/乘法器 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 功能 | 标准 | 输入/输出数量 | 核心处理器 | 核心尺寸 | 速度 | 连接性 | 周边设备 | 程序内存大小 | 程序存储器类型 | EEPROM大小 | 内存大小 | 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 协议 | 数据速率 | 界面 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QQT | 电流 - 电源(最大) | 巴士定向 | 扩展型 | 最小标志支持 | 重传能力 | FWFT支持 | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 | SIC |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S25FS512SAGNFI010 | - | ![]() | 2443 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FS-S | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-WDFN 裸露焊盘 | S25FS512 | 或-NOR | 1.7V~2V | 8-WSON (6x8) | 下载 | 1 | 133兆赫 | 非活跃性 | 512兆比特 | 闪光 | 64M×8 | SPI - 四路I/O、QPI | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PY2292ASL-003 | 1.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C2262XV18-366BZXC | 89.6200 | ![]() | 第368章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C2262 | SRAM - 同步,QDR II+ | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (13x15) | 下载 | 4 | 366兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×18 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT162H245CTPAC | 1.0000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | 74FCT162H245 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYDMX128A16-65BVXIKB | 6.9500 | ![]() | 829 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-VFBGA | CYDMX | SRAM - 双端口,异步 | 1.7V~1.9V、2.4V~2.6V、2.7V~3.3V | 100-VFBGA (6x6) | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 128Kbit | 65纳秒 | 静态随机存储器 | 8K×16 | 平行线 | 65纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C140-45DMB | - | ![]() | 7338 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55℃~125℃(TA) | CY7C140 | SRAM - 双端口,异步 | 4.5V~5.5V | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 8Kbit | 45纳秒 | 静态随机存储器 | 1K×8 | 平行线 | 45纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62256NLL-55SNI | - | ![]() | 3795 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 28-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | CY62256 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 28-SOIC | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256Kbit | 55纳秒 | 静态随机存储器 | 32K×8 | 平行线 | 55纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY22381SI-163 | - | ![]() | 4681 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C20347-24LQXIK4 | 2.2700 | ![]() | 第489章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | 未验证 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.31.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY29940AXCT | 15.9400 | ![]() | 185 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 32-LQFP | 扇出炸弹(分配)、多路复用器 | CY29940 | LVCMOS、LVPECL、LVTTL | LVCMOS、LVTTL | 1 | 1:18 | 是/否 | 200兆赫 | 2.375V~3.465V | 32-TQFP (7x7) | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 19 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY29948AC | 5.2100 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 包 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 32-TQFP | 扇出炸弹(分配)、多路复用器 | CY29948 | LVCMOS、LVPECL、LVTTL | LVCMOS、LVTTL | 1 | 2:12 | 是/否 | 200兆赫 | 2.375V~3.63V | 32-TQFP (7x7) | 下载 | 不符合RoHS标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 58 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C3245AXI-158 | 5.9900 | ![]() | 95 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC® 3 CY8C32xx | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY8C3245 | 100-TQFP (14x14) | 下载 | 51 | 62 | 8051 | 8号 | 50兆赫 | EBI/EMI、I²C、LINbus、SPI、UART/USART | CapSense、DMA、POR、PWM、WDT | 32KB(32K x 8) | 闪光 | 1K×8 | 4K×8 | 1.71V~5.5V | 模数转换器16x12b;数模1x8b | 内部的 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY25404ZXI217 | 9.5500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | CY25404 | 下载 | 32 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34MS01G200TFA003 | - | ![]() | 2431 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 卷带式 (TR) | SIC停产 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | S34MS01 | NAND-NAND | 1.7V~1.95V | 48-TSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非活跃性 | 1Gbit | 45纳秒 | 闪光 | 128M×8 | 平行线 | 45纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C144-15AC | 23.1300 | ![]() | 第378章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 64-LQFP | CY7C144 | SRAM - 双端口,异步 | 4.5V~5.5V | 64-TQFP (14x14) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 64Kbit | 15纳秒 | 静态随机存储器 | 8K×8 | 平行线 | 15纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY25811SXCKA | 4.8500 | ![]() | 108 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 扩频时钟发生器 | 是的 | 时钟、晶体、承载器 | 钟 | 1 | 1:1 | 否/否 | 32兆赫兹 | 2.97V~3.465V、3.135V~3.63V | 8-SOIC | - | 是/否 | 2156-CY25811SXCKA | 62 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S26KS128SDABHI030 | 5.8200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | HyperFlash™ KS | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 24-VBGA | S26KS128 | 或-NOR | 1.7V~1.95V | 24-FBGA (6x8) | 下载 | 1 | 100兆赫 | 非活跃性 | 128Mbit | 96纳秒 | 闪光 | 16M×8 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMIB9948CAT | 4.1500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 32-TQFP | 扇出混乱(分配) | LVCMOS、LVPECL、LVTTL | 钟 | 1 | 2:12 | 是/否 | 160兆赫 | 2.97V~3.63V | 32-TQFP (7x7) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | W194-70G | 1.2000年 | ![]() | 第251章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 倍频器、零延迟故障 | 不 | - | - | 1 | 2:2 | 否/否 | 133兆赫 | 3.135V~3.465V、4.5V~5.5V | 8-SOIC | 下载 | 是/否 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1360C-166AJXCT | - | ![]() | 9466 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1360 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.6V | 100-TQFP (14x20) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 23 | 166兆赫 | 易挥发的 | 9兆比特 | 3.5纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×36 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY25100ZXC51 | 2.8800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C421-30AC | - | ![]() | 9014 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CY7C | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 32-TQFP | 7C421 | 未验证 | 4.5V~5.5V | 32-TQFP (7x7) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 阿里 | 25兆赫 | 512×9 | 30纳秒 | 40毫安 | 单向 | 深度、宽度 | 不 | 是的 | 不 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62256LL-70ZXC | - | ![]() | 8449 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 28-TSSOP(0.465英寸,11.80毫米宽) | CY62256 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 28-TSOP I | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.32.0041 | 2 | 易挥发的 | 256Kbit | 70纳秒 | 静态随机存储器 | 32K×8 | 平行线 | 70纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CG8201AA | - | ![]() | 5659 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7B9910-5SXI | 9.7100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 24-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 扇出故障(分配)、零延迟故障 | CY7B9910 | 是的 | 钟 | TTL | 1 | 1:8 | 否/否 | 80兆赫 | 4.5V~5.5V | 24-SOIC | 下载 | 否/否 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 31 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1315LV18-250BZC | 32.1600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1315 | SRAM - 同步,QDR II | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (13x15) | - | 不适用 | 3A991B2A | 10 | 250兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 静态随机存储器 | 512K×36 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY22395FXCT | - | ![]() | 8469 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 16-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | 时钟发生器,扇出分布 | CY22395 | 是,带旁路 | LVTTL、晶体 | CMOS、LVCMOS | 1 | 1:5 | 否/否 | 133兆赫、200兆赫 | 2.375V~3.465V | 16-TSSOP | 下载 | 是/否 | 1 | 已验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY14B101KA-SP25XI | - | ![]() | 1246 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-BSSOP(0.295英寸,7.50毫米宽) | CY14B101 | NVSRAM(非易失性SRAM) | 2.7V~3.6V | 48-SSOP | 下载 | 1 | 非活跃性 | 1兆比特 | 25纳秒 | 非静态随机仓库 | 128K×8 | 平行线 | 25纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25FS512SDSBHI210 | 7.1600 | ![]() | 620 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FS-S | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 24-TBGA | S25FS512 | 或 - NOR (SLC) | 1.7V~2V | 24-BGA (8x6) | 下载 | 1 | 80兆赫 | 非活跃性 | 512兆比特 | 6纳秒 | 闪光 | 64M×8 | SPI - 四路I/O、QPI | 2毫秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C65631-56LTXC | - | ![]() | 2509 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | EZ-USB HX2LP Lite™ | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃ | 56-VFQFN 裸露焊盘 | CY7C65631 | - | 3.15V~3.45V | 56-QFN (8x8) | 下载 | 1 | 集线器控制器 | USB 2.0 | USB | USB | 未验证 |

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