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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 功能 | 数据速率 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 电流 -供应(最大) | 公共汽车方向 | 扩展类型 | 可编程标志支持 | 重传功能 | fwft支持 | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | S34ML02G200TFV000 | - | ![]() | 5796 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML02 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||
![]() | S34MS01G200TFA000 | - | ![]() | 6881 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34MS01 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 1Gbit | 45 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 45ns | ||||||||||||
![]() | CY7C1049CV33-12ZSXA | - | ![]() | 3410 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1049 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 12ns | ||||||||||||||
![]() | S34ML01G100TFI503 | - | ![]() | 8626 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||
![]() | S34ML02G104BHI010 | - | ![]() | 5965 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML02 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | -S34ML02G104BHI010 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 128m x 16 | 平行线 | 25ns | ||||||||||||
![]() | S34ML04G104BHI013 | - | ![]() | 3520 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML04 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 256m x 16 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||
![]() | S34ML04G200BHI500 | - | ![]() | 3931 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML04 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||
![]() | S34ML04G200BHI900 | - | ![]() | 1814年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML04 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||
![]() | S34MS01G200BHI000 | - | ![]() | 8380 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS01 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | -S34MS01G200BHI000 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 1Gbit | 45 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 45ns | |||||||||||
![]() | S34MS04G200BHI900 | - | ![]() | 3084 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS04 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 4Gbit | 45 ns | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | 45ns | ||||||||||||
![]() | S34ML01G100TFI900 | - | ![]() | 5649 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||
![]() | S34ML02G104TFI013 | - | ![]() | 8856 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML02 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 128m x 16 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||
![]() | S99400081 | - | ![]() | 7529 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 在sic中停产 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 16-1005469-01 | - | ![]() | 4637 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 在sic中停产 | - | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 16-1011421-01-T | - | ![]() | 3172 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 在sic中停产 | - | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EP10-002165 | - | ![]() | 4459 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 在sic中停产 | - | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S99ML01G10040 | - | ![]() | 6148 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 在sic中停产 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | S99ML02G10043 | - | ![]() | 3540 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 在sic中停产 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | S99ML04G10042 | - | ![]() | 2871 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 在sic中停产 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | S99ML04G10043 | - | ![]() | 8326 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 在sic中停产 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | S99MS02G10019 | - | ![]() | 9902 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 在sic中停产 | - | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S99MS02G20029 | - | ![]() | 3798 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 在sic中停产 | - | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 40060595 | - | ![]() | 2882 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 40060595 | - | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1413KV18-333BZC | 56.0500 | ![]() | 228 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1413 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 333 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||
![]() | CY7C102022022022012VXCT | 2.8100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | CY7C1020 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-SOJ | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 107 | 易挥发的 | 512kbit | 12 ns | SRAM | 32k x 16 | 平行线 | 12ns | 未行业行业经验证 | |||||||||||||
![]() | CY7C4235-15AC | 19.0400 | ![]() | 170 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CY7C | 包 | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 64-LQFP | 7C4235 | 4.5 v〜5.5 v | 64-TQFP(10x10) | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8542.32.0071 | 16 | 同步 | 66.7MHz | 36K (2K x 18) | 10NS | 45mA | 单向 | 深度,宽度 | 是的 | 是的 | 不 | 未行业行业经验证 | |||||||||||
![]() | CY7C1470BV25-200BZI | 161.7800 | ![]() | 166 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | NOBL™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1470 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 165-fbga(15x17) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 | 200 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | 3 ns | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||
![]() | CY7C1020DV33-10VXI | 2.3100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | CY7C1020 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-SOJ | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 130 | 易挥发的 | 512kbit | 10 ns | SRAM | 32k x 16 | 平行线 | 10NS | 未行业行业经验证 | |||||||||||||
![]() | CY7C026AV-20AXI | - | ![]() | 4726 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C026 | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 90 | 易挥发的 | 256kbit | 20 ns | SRAM | 16k x 16 | 平行线 | 20NS | 未行业行业经验证 | |||||||||||||
![]() | CG7756AA | - | ![]() | 6105 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 1 | 未行业行业经验证 |
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