电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 电流 -供应 | PLL | 输入 | 输出 | 电路数 | 比率-输入:输出 | 差分-输入:输出 | 频率 -最大 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 分隔线/乘数 | 数数 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY25701JXC008A | 2.6600 | ![]() | 929 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CY25701 | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 4-SMD,J-LEAD | 振荡器,晶体 | 10MHz〜166MHz | 50 mA | 3v〜3.6V | 4-JE04A | - | - | 2156-CY25701JXC008A | 113 | |||||||||||||||||||||||
![]() | CY25811SXCKA | 4.8500 | ![]() | 108 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 传播频谱时钟生成器 | 是的 | 时钟,水晶,谐振器 | 钟 | 1 | 1:1 | 否/否 | 32MHz | 2.97v〜3.465v,3.135V〜3.63V | 8-SOIC | - | 是/否 | 2156-CY25811SXCKA | 62 | ||||||||||||||||||
![]() | S34ML04G100TFI903 | - | ![]() | 2058 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML04 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||
![]() | CY7C024-25JC | 12.4000 | ![]() | 126 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 84-LCC(j-lead) | CY7C024 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 64kbit | 25 ns | SRAM | 4K x 16 | 平行线 | 25ns | ||||||||||||||
![]() | S34MS01G204TFI010 | - | ![]() | 1710 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34MS01 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 1Gbit | 45 ns | 闪光 | 64m x 16 | 平行线 | 45ns | ||||||||||||||
![]() | S34MS01G204TFI013 | - | ![]() | 3555 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34MS01 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Gbit | 45 ns | 闪光 | 64m x 16 | 平行线 | 45ns | ||||||||||||||
![]() | S34ML02G200BHI003 | - | ![]() | 1143 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML02 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||
![]() | S34ML01G200BHB003 | - | ![]() | 7178 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车,AEC-Q100,ML-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||
![]() | S34ML02G200GHI003 | - | ![]() | 3753 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 67-VFBGA | S34ML02 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 67-BGA (8x6.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||
![]() | S34ML02G200TFB003 | - | ![]() | 4274 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML02 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||
![]() | S34MS02G200BHI003 | - | ![]() | 8552 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS02 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 2Gbit | 45 ns | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 45ns | ||||||||||||||
![]() | S34MS02G104BHB013 | - | ![]() | 9006 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车,AEC-Q100,MS-1 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS02 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 2Gbit | 45 ns | 闪光 | 128m x 16 | 平行线 | 45ns | ||||||||||||||
![]() | S34SL04G200BHV000 | - | ![]() | 9855 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | SL-2 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34SL04 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 4Gbit | 25 ns | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | - | ||||||||||||||
![]() | S34ML08G201BHB000 | - | ![]() | 1413 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车,AEC-Q100,ML-2 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 8Gbit | 闪光 | 1G x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||
![]() | S34ML08G201TFV003 | - | ![]() | 8074 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 8Gbit | 闪光 | 1G x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||
![]() | S34MS08G201BHB003 | - | ![]() | 4632 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车,AEC-Q100,MS-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS08 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 8Gbit | 45 ns | 闪光 | 1G x 8 | 平行线 | 45ns | ||||||||||||||
![]() | S34ML01G200BHA003 | - | ![]() | 4855 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||
![]() | S34ML01G200TFA003 | - | ![]() | 9205 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||
![]() | S34ML01G204TFI013 | - | ![]() | 2147 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 64m x 16 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||
![]() | S34ML02G100BHB003 | - | ![]() | 9716 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML02 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||
![]() | S34ML02G100TFB003 | - | ![]() | 4399 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML02 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||
![]() | S34ML02G104BHA013 | - | ![]() | 3643 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML02 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 128m x 16 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||
![]() | S34ML02G200TFI003 | - | ![]() | 6858 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML02 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||
![]() | S34ML02G200TFI503 | - | ![]() | 5086 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML02 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||
![]() | S34ML04G100BHB003 | - | ![]() | 4456 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML04 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||
![]() | S34ML04G100TFA003 | - | ![]() | 1478 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML04 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||
![]() | S34ML08G101TFA003 | - | ![]() | 8185 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 8Gbit | 闪光 | 1G x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||
![]() | S34MS01G204BHI013 | - | ![]() | 6198 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS01 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 1Gbit | 45 ns | 闪光 | 64m x 16 | 平行线 | 45ns | ||||||||||||||
![]() | S34MS02G104BHV013 | - | ![]() | 3375 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-1 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS02 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 2Gbit | 45 ns | 闪光 | 128m x 16 | 平行线 | 45ns | ||||||||||||||
![]() | S34MS16G202BHI003 | - | ![]() | 8100 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS16 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 16Gbit | 45 ns | 闪光 | 4G x 4 | 平行线 | 45ns |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库