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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 输出类型 | sic可编程 | PLL | 输入 | 输出 | 电路数 | 比率-输入:输出 | 差分-输入:输出 | 频率 -最大 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 分隔线/乘数 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 逻辑类型 | 元素数量 | 每个元素的位数 | 电流 -输出高,低,低 | 功能 | i/o的数量 | 核心处理器 | 核心大小 | 速度 | 连接性 | 外围设备 | 程序内存大小 | 程序内存类型 | EEPROM大小 | ram大小 | 电压 -电源( -vcc/vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 界面 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 触发类型 | 最大传播延迟 @ v,max cl | 当前-iq(iq) | 访QT | 输入电容 | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | CY7C1059DV33-12ZSXI | 20.2300 | ![]() | 489 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1059 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 15 | 易挥发的 | 8mbit | 12 ns | SRAM | 1m x 8 | 平行线 | 12ns | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1021D-10ZSXIKA | 2.9000 | ![]() | 465 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-CY7C1021D-10ZSXIKA-428 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1424TV18-250BZC | 67.2400 | ![]() | 554 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 包 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1424 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | - | 不适用 | 3A991B2A | 1 | 250 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1049BN-15VXI | 4.2000 | ![]() | 112 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 36-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | CY7C1049 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 36-SOJ | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML08G101BHI000 | - | ![]() | 2444 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML08 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 8Gbit | 闪光 | 1G x 8 | 平行线 | 25ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1515KV18-300BZXC | 148.6800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1515 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 3 | 300 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S6E2CCAJ0AGB10000 | - | ![]() | 1145 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FM4 S6E2CC | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 192-lfbga | S6E2CCA | 192-fbga(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 152 | ARM®Cortex®-M4F | 32位单核 | 200MHz | CANBUS,CSIO,EBI/EMI,I²C,LINBUS,SD,SPI,UART/USART,USB | DMA,I²S,LVD,POR,PWM,WDT | 2MB (2m x 8) | 闪光 | - | 256K x 8 | 2.7V〜5.5V | A/D 32x12b; D/A 2x12b | 内部的 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1413KV18-250BZI | 42.8800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1413 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 7 | 250 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C12501KV 18-400BZXC | 53.3300 | ![]() | 136 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C12501 | sram-同步,DDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 400 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT162501ATPACT | 0.4000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 74fct | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 56-TFSOP (0.240英寸,6.10mm) | 74FCT162501 | 18位 | 4.5V〜5.5V | 56-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 通用总线收发器 | 24mA,24mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CG5816AA | - | ![]() | 5301 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62138CV33LL-70BAI | 1.0800 | ![]() | 344 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 36-TFBGA | CY62138 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 36-fbga(7x7) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 2Mbit | 70 ns | SRAM | 256K x 8 | 平行线 | 70NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1019DV33-10BVXI | 2.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY7C1019 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | 120 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 10NS | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1021V33L-12ZCT | 2.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1021 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 12ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C199-25VIT | 0.6700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C199 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-soj | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 256kbit | 25 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML01G100TFB003 | - | ![]() | 1016 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 25ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYV15G0104EQ-LXC | 41.7400 | ![]() | 202 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 视频 | 表面安装 | 16-VQFN暴露垫 | CYV15G0104 | 3.135V〜3.465V | 16 QFN (4x4) | 下载 | rohs3符合条件 | 5A991B1 | 8542.39.0001 | 490 | 系列 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY74FCT821ATQCT-CY | 0.4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 74fct | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24ssop (0.154英寸,宽度为3.90mm) | D | 74FCT821 | 三态,无向世 | 4.75V〜5.25V | 24 SSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 1 | 10 | 32ma | 标准 | 正优势 | 10NS @ 5V,50pf | 200 µA | 5 pf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FM21LD16-60-BG | - | ![]() | 6044 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | F-RAM™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | FM21LD16 | fram (铁电 ram) | 2.7V〜3.6V | 48-fbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 非易失性 | 2Mbit | 110 ns | 框架 | 128K x 16 | 平行线 | 110NS | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY14B256PA-SFXI | 1.0000 | ![]() | 9802 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | CY14B256 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | 1 | 40 MHz | 非易失性 | 256kbit | NVSRAM | 32K x 8 | spi | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML02G100TFV003 | 3.0000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML02 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S34ML02G100TFV003 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY24900ZXCT | 2.5200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | 传播频谱时钟生成器 | CY24900 | - | CMOS | CMOS | 1 | - | - | - | 3V | 8-tssop | 下载 | - | 不适用 | Ear99 | 120 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M4001LFXIT | 2.3300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1007B-15VXC | 13.8600 | ![]() | 498 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C1007 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-soj | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 1m x 1 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25FL132K0XMFI043 | 2.4400 | ![]() | 9622 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl1-k | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | S25FL132 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 103 | 108 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 3ms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C20234-12LKXA | 2.7400 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®1CY8C20XXX | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 16-UFQFN | CY8C20234 | 16 QFN (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 110 | 13 | M8C | 8位 | 12MHz | i²c,spi | LVD,POR,WDT | 8KB (8K x 8) | 闪光 | - | 512 x 8 | 2.4V〜5.25V | - | 内部的 | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34MS04G200BHI903 | - | ![]() | 8943 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS04 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 4Gbit | 45 ns | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | 45ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2071ASL-397 | - | ![]() | 3386 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 未行业行业经验证 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML02G100BHI003 | - | ![]() | 1787年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML02 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Q8927936A | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1250V18-333BZXC | 95.3400 | ![]() | 121 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1250 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 333 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 |
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