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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 电流 -供应 | 输出类型 | sic可编程 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 元素数量 | 每个元素的位数 | 电流 -输出高,低,低 | 功能 | 标准 | i/o的数量 | 核心处理器 | 核心大小 | 速度 | 连接性 | 外围设备 | 程序内存大小 | 程序内存类型 | EEPROM大小 | ram大小 | 电压 -电源( -vcc/vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 协议 | 数据速率 | 界面 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 触发类型 | 最大传播延迟 @ v,max cl | 当前-iq(iq) | 访QT | 电流 -供应(最大) | 公共汽车方向 | 扩展类型 | 可编程标志支持 | 重传功能 | fwft支持 | 输入电容 | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | CY7C0851V-167AC | 41.9300 | ![]() | 753 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 176-LQFP | CY7C0851 | sram-双端口,同步 | 3.135V〜3.465V | 176-TQFP(24x24) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | 易挥发的 | 2Mbit | SRAM | 64k x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY7C1347G-166AXCKJ | 5.0900 | ![]() | 912 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1347 | sram-同步,sdr | 3.15v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 3.5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62167DV20LL-5BVI | - | ![]() | 2072 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL2™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62167 | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 48-VFBGA(8x9.5) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 16mbit | 55 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 55ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT162823ATPACT | 0.4700 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 74fct | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-TFSOP (0.240英寸,6.10mm) | D | 74FCT162823 | 三态,无向世 | 4.5V〜5.5V | 56-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 2 | 9 | 24mA,24mA | 主重置 | 正优势 | 10NS @ 5V,50pf | 500 µA | 4.5 pf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB95F564KPF-G-SNE2 | - | ![]() | 1713年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | F²MC-8FX MB95560H | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 20-SOIC (0.295英寸,7.50mm宽度) | MB95F564 | 20-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 260 | 17 | F²MC-8FX | 8位 | 16MHz | Linbus,UART/USART | LVD,POR,PWM,WDT | 20KB(20K x 8) | 闪光 | - | 496 x 8 | 2.4V〜5.5V | A/D 6x8/10b | 外部的 | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1321SV18-167BZC | 28.6100 | ![]() | 292 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1321 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | 易挥发的 | 18mbit | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY25100SXC-025A | 2.3200 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62148DV30L-55SXI | 2.9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC (0.445“,11.30mm宽度) | CY62148 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 32-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 55ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62157DV30L-45BVI | - | ![]() | 9052 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62157 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 8mbit | 45 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 45ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62157ESL-45ZSXI | - | ![]() | 7171 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY62157 | sram-异步 | 2.2v〜5.5V | 44-TSOP II | 下载 | 1 | 易挥发的 | 8mbit | 45 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 45ns | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1471BV33-133BZXC | 142.1400 | ![]() | 205 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | NOBL™ | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1471 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 165-fbga(15x17) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | 6.5 ns | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1513KV18-250BZI | 136.2900 | ![]() | 450 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1513 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 3 | 250 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 4m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PY28405OC-2 | 0.6700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML01G200TFB003 | - | ![]() | 1335 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 25ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8CTMA884AA-22 | 12.4600 | ![]() | 513 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 过时的 | - | 25 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1145KV18-450BZXC | 41.2200 | ![]() | 333 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1145 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 8 | 450 MHz | 易挥发的 | 18mbit | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY22050KFZXCKP | 5.2700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C425-20JC | - | ![]() | 2477 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CY7C | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 32-lcc(j-lead) | 7C425 | 未行业行业经验证 | 4.5 v〜5.5 v | 32-PLCC (11.43x13.97) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 异步 | 33.3MHz | 1k x 9 | 20NS | 55mA | 单向 | 深度,宽度 | 不 | 是的 | 不 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1019CV33-8VC | 2.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC (0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1019 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 32-TSOP II | 下载 | Rohs不合规 | 2(1年) | 到达受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 8 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 8ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C4211-15JC | 4.5300 | ![]() | 788 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CY7C | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 32-lcc(j-lead) | 7C4211 | 未行业行业经验证 | 4.5 v〜5.5 v | 32-PLCC (11.43x13.97) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 异步 | 66.7MHz | 512 x 9 | 10NS | 35mA | 单向 | 深度,宽度 | 不 | 是的 | 不 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62157EV30LL-55ZXE | - | ![]() | 8306 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | CY62157 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | 1 | 易挥发的 | 8mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 55ns | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2292SC-413 | - | ![]() | 5083 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 未行业行业经验证 | - | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CG6865AS | - | ![]() | 6536 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | CG6865 | - | 30 | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT162823ETPVCT | 1.9300 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 74fct | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-bessop(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | D | 74FCT162823 | 三态,无向世 | 4.5V〜5.5V | 56-SSOP | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 2 | 9 | 24mA,24mA | 重置 | 正优势 | - | 500 µA | 4.5 pf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY15B104Q-SXI | 21.0300 | ![]() | 99 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | F-RAM™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | CY15B104 | fram (铁电 ram) | 2v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 1 | 40 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 框架 | 512k x 8 | spi | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C11701KV18-400BZXC | 39.3300 | ![]() | 541 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C11701 | sram-同步,DDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 8 | 400 MHz | 易挥发的 | 18mbit | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYD18S72V18-200BGC | 373.3100 | ![]() | 55 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 484-BGA | CYD18S72 | sram-双端口,标准 | 1.7V〜1.9V,2.4V〜2.6V,2.7V〜3.3V | 484-PBGA(23x23) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 4 ns | SRAM | 256K x 72 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S29GL512S11FHI010 | 8.3400 | ![]() | 60 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-S | 大部分 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(11x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S29GL512S11FHI010 | 1 | 非易失性 | 512Mbit | 110 ns | 闪光 | 32m x 16 | 平行线 | 60ns | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C68300C-100AXC | 8.6600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | EZ-USB AT2LP™ | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C | 100-LQFP | CY7C68300 | 50mA | 3.15V〜3.45V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8542.39.0001 | 35 | 桥,USB到ata | USB 2.0 | USB | ATA | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62157DV30LL-55ZSXI | 7.7200 | ![]() | 448 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 包 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY62157 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 39 | 易挥发的 | 8mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 55ns | 未行业行业经验证 |
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