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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 当前-供应 | 锁相环 | 输入 | 输出 | 电路数量 | 其中 - 输入:输出 | 分数 - 输入:输出 | 频率 - 最大 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 除法器/乘法器 | 数数 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 功能 | 输入数量 | 输入/输出数量 | 核心处理器 | 核心尺寸 | 速度 | 连接性 | 周边设备 | 程序内存大小 | 程序存储器类型 | EEPROM大小 | 内存大小 | 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 数据速率 | 界面 | 时钟频率 | 接近检测 | 解决 | LED驱动器通道 | 内存类型 | 内存大小 | 访QQT | 电流 - 电源(最大) | 巴士定向 | 扩展型 | 最小标志支持 | 重传能力 | FWFT支持 | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 | SIC |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY7C419-15VXCT | - | ![]() | 6839 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CY7C | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 28-BSOJ(0.300英寸,7.62毫米宽) | 7C419 | 4.5V~5.5V | 28-SOJ | 下载 | 不适用 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 阿里 | 50兆赫 | 2.25K(256×9) | 15纳秒 | 65毫安 | 单向 | 深度、宽度 | 不 | 是的 | 不 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34MS08G201BHI000 | - | ![]() | 9137 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 63-VFBGA | S34MS08 | NAND-NAND | 1.7V~1.95V | 63-BGA (11x9) | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 1274-1168 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非活跃性 | 8Gbit | 45纳秒 | 闪光 | 1G×8 | 平行线 | 45纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C25652KV18-550BZC | 757.1000 | ![]() | 第771章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C25652 | SRAM - 同步,QDR II+ | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (13x15) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 550兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×36 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C4024FNI-S412T | - | ![]() | 7673 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC® 4 CY8C4000S | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 25-XFBGA,WLCSP | CY8C4024 | 25-WLCSP (2.02x1.93) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 供应商未定义 | 2832-CY8C4024FNI-S412TTR | 1 | 21 | ARM® Cortex®-M0+ | 32位单核 | 24兆赫 | I²C、IrDA、LINbus、Microwire、智能卡、SPI、SSP、 | 欠压检测/复位、CapSense、LCD、LVD、POR、P | 16KB(16K x 8) | 闪光 | - | 2K×8 | 1.71V~5.5V | 模数转换器 1x10b | 内部的 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1361S-133AXI | 16.4700 | ![]() | 290 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 包 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1361 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.6V | 100-TQFP (14x14) | - | 不适用 | 3A991B2A | 19 | 133兆赫 | 易挥发的 | 9兆比特 | 6.5纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×36 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7B994V-5BBC | 39.6100 | ![]() | 第533章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 机器人时钟™ | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 100-LBGA | 时钟葫芦,扇出分配 | CY7B994 | 是的 | LVPECL、LVTTL | 左心室TTL | 1 | 4:18 | 否/否 | 200兆赫 | 2.97V~3.63V | 100-TBGA (11x11) | 下载 | 是/是 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 8 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62157EV30LL-45ZSXA | - | ![]() | 4547 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY62157 | SRAM - 异步 | 2.2V~3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 35 | 易挥发的 | 8兆比特 | 45纳秒 | 静态随机存储器 | 512K×16 | 平行线 | 45纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25FL127SABMFV101 | - | ![]() | 5593 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FL-S | 大部分 | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30毫米宽) | S25FL127 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 8-SOIC | 下载 | 1 | 108兆赫 | 非活跃性 | 128Mbit | 闪光 | 16M×8 | SPI——四路I/O | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1021B-12VC | - | ![]() | 2302 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 44-BSOJ(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1021 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 44-SOJ | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 90 | 易挥发的 | 1兆比特 | 12纳秒 | 静态随机存储器 | 64K×16 | 平行线 | 12纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STK14D88-RF45 | 8.4200 | ![]() | 第367章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 48-BSSOP(0.295英寸,7.50毫米宽) | STK14D88 | NVSRAM(非易失性SRAM) | 2.7V~3.6V | 48-SSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.32.0041 | 36 | 非活跃性 | 256Kbit | 45纳秒 | 非静态随机仓库 | 32K×8 | 平行线 | 45纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1354C-250AXC | 12.7300 | ![]() | 83 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1354 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.6V | 100-TQFP (14x20) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250兆赫 | 易挥发的 | 9兆比特 | 2.8纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×36 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1303BV25-167BZC | 25.4300 | ![]() | 第554章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1303 | SRAM-同步、QDR | 2.4V~2.6V | 165-FBGA (13x15) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 12 | 167兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 静态随机存储器 | 1M×18 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2545FC | 4.6200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 24-VFQFN 裸露焊盘 | 扇出分布、小数N合成器、Mul | CY2545 | 是,带旁路 | 时钟、水晶 | 钟 | 1 | 2:8 | 否/否 | 166兆赫 | 2.25V~3.6V | 24-QFN (4x4) | 下载 | 是/否 | 不适用 | 65 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2X013FLXCT | 8.8100 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 6-CLCC | 振荡器,晶体 | CY2X013 | 690兆赫 | 125毫安 | 2.375V~3.6V | 6-CLCC (5x3.2) | 下载 | - | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 35 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2CC910OXI-1 | 6.6800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 20-SSOP(0.209英寸,5.30毫米宽) | 扇出混乱(分配) | CY2CC910 | AVCMOS | AVCMOS | 1 | 1:10 | 否/否 | 650兆赫 | 1.71V~3.465V | 20-SSOP | 下载 | 不适用 | EAR99 | 8542.39.0001 | 45 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7B9910-7SC | 6.8100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 24-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 扇出故障(分配)、零延迟故障 | CY7B9910 | 是的 | 钟 | TTL | 1 | 1:8 | 否/否 | 80兆赫 | 4.5V~5.5V | 24-SOIC | 下载 | 否/否 | 不符合RoHS标准 | 45 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CG6083AA | - | ![]() | 3542 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29PL127J60BAI000 | 2000年9月 | ![]() | 第448章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PL-J | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 80-VFBGA | S29PL127 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 80-FBGA (8x11) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2832-S29PL127J60BAI000 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 55 | 非活跃性 | 128Mbit | 60纳秒 | 闪光 | 8M×16 | 平行线 | 60纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8CMBR3116-LQXI | 1.7000 | ![]() | 第522章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CapSense® Express™ SmartSense™ | 大部分 | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 24-UFQFN 裸露焊盘 | 按钮 | CY8CMBR3116 | 140毫安 | 1.8V~5.5V | 24-QFN (4x4) | 下载 | 177 | 最多16个 | I²C | 是的 | - | 最多8个 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C025E-55AXC | - | ![]() | 8445 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C025 | SRAM - 双端口,异步 | 4.5V~5.5V | 100-TQFP (14x14) | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.32.0041 | 90 | 易挥发的 | 128Kbit | 55纳秒 | 静态随机存储器 | 8K×16 | 平行线 | 55纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY25901SXC-1 | 1.3400 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -10℃~85℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 扇出分布、频率调制器、扩展S | CY25901 | 是,带旁路 | 时钟、水晶 | 钟 | 1 | 1:2 | 否/否 | 40兆赫兹 | 2.97V~3.63V | 8-SOIC | - | 否/否 | 不适用 | 224 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62137CVSL-70诱饵 | 1.3500 | ![]() | 255 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-TFBGA | CY62137 | SRAM - 异步 | 2.7V~3.6V | 48-FBGA (7x7) | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 2兆比特 | 70纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×16 | 平行线 | 70纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62157ESL-45ZSXI | - | ![]() | 7171 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY62157 | SRAM - 异步 | 2.2V~5.5V | 44-TSOP II | 下载 | 1 | 易挥发的 | 8兆比特 | 45纳秒 | 静态随机存储器 | 512K×16 | 平行线 | 45纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1670KV18-450BZXC | 345.5500 | ![]() | 第312章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1670 | SRAM - 同步、DDR II+ | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (15x17) | 下载 | 1 | 450兆赫 | 易挥发的 | 144兆比特 | 静态随机存储器 | 4M×36 | 平行线 | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62167DV30LL-55BVXI | - | ![]() | 6550 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-VFBGA | CY62167 | SRAM - 异步 | 2.2V~3.6V | 48-VFBGA (8x9.5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 35 | 易挥发的 | 16兆比特 | 55纳秒 | 静态随机存储器 | 1M×16 | 平行线 | 55纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1165KV18-400BZC | 37.1400 | ![]() | 第363章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1165 | SRAM - 同步,QDR II+ | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (13x15) | 下载 | 9 | 400兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 静态随机存储器 | 512K×36 | 平行线 | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2XF34FLXCT | 10.2500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 6-CLCC | 振荡器,晶体 | CY2XF34 | 50MHz~690MHz | 150毫安 | 2.375V~3.465V | 6-CLCC (5x3.2) | 下载 | - | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMIZ9952AAT | 3.2800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | IMIZ9952 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 0000.00.0000 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1471V25-133AXC | 148.8400 | ![]() | 第569章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 诺BL™ | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1471 | SRAM-同步、SDR | 2.375V~2.625V | 100-TQFP (14x20) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 1 | 133兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 6.5纳秒 | 静态随机存储器 | 2M×36 | 平行线 | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 5962-88735013A | 17.2400 | ![]() | 45 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55℃~125℃(TA) | 表面贴装 | 28-CLCC | 5962-88735013 | EPROM-分区 | 4.5V~5.5V | 28-CLCC (13.97x8.89) | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | 非活跃性 | 16Kbit | 45纳秒 | EPROM | 2K×8 | 平行线 | - |

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