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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 锁相环 | 输入 | 输出 | 电路数量 | 其中 - 输入:输出 | 分数 - 输入:输出 | 频率 - 最大 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 除法器/乘法器 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 输入/输出数量 | 核心处理器 | 核心尺寸 | 速度 | 连接性 | 周边设备 | 程序内存大小 | 程序存储器类型 | EEPROM大小 | 内存大小 | 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QQT | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 | SIC |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY62138CV30LL-55BVI | 1.3400 | ![]() | 7166 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 36-VFBGA | CY62138 | SRAM - 异步 | 2.7V~3.3V | 36-VFBGA (6x8) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 2兆比特 | 55纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×8 | 平行线 | 55纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1461AV33-133AXC | - | ![]() | 3925 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 诺BL™ | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1461 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.6V | 100-TQFP (14x20) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 6.5纳秒 | 静态随机存储器 | 1M×36 | 平行线 | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY22393FC | - | ![]() | 6750 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 16-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | 时钟发生器,扇出分布 | CY22393 | 是,带旁路 | LVTTL、晶体 | 互补金属O化物半导体 | 1 | 1:6 | 否/否 | 200兆赫 | 3.135V~3.465V | 16-TSSOP | 下载 | 是/否 | 不符合 RoHS 指令 | 96 | 已验证 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1031-10JC | 11.1300 | ![]() | 34 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 52-LCC(J导联) | CY7C1031 | SRAM - 同步 | 4.5V~5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1.152Mbit | 10纳秒 | 静态随机存储器 | 64K×18 | 平行线 | 10纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1021DV33-10ZSXI | 1.7664 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1021 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 1 | 易挥发的 | 1兆比特 | 10纳秒 | 静态随机存储器 | 64K×16 | 平行线 | 10纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C20132-LQXI | 2.0600 | ![]() | 26 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | - | CY8C20132 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 146 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CG8002AA | - | ![]() | 4397 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62148EV30LL-55ZSXE | 6.6500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 32-SOIC(0.445英寸,11.30毫米宽) | CY62148 | SRAM - 异步 | 2.2V~3.6V | 32-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 46 | 易挥发的 | 4兆比特 | 55纳秒 | 静态随机存储器 | 512K×8 | 平行线 | 55纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL064N90FFIS20 | 12.9100 | ![]() | 718 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-N | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 64-LBGA | S29GL064 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 64-FBGA (13x11) | 下载 | 39 | 非活跃性 | 64兆比特 | 90纳秒 | 闪光 | 8M×8、4M×16 | 平行线 | 90纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1563V18-400BZXC | 188.2700 | ![]() | 223 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1563 | SRAM - 同步,QDR II | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (15x17) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 400兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 4M×18 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62137CVSL-70BAXI | 1.2800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-TFBGA | CY62137 | SRAM - 异步 | 2.7V~3.6V | 48-FBGA (7x7) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 234 | 易挥发的 | 2兆比特 | 70纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×16 | 平行线 | 70纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C3665AXA-016 | - | ![]() | 2979 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车、AEC-Q100、PSOC® 3 CY8C36xx | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY8C3665 | 100-TQFP (14x14) | - | 符合ROHS3标准 | 3A991A3 | 8542.31.0001 | 15 | 62 | 8051 | 8号 | 67兆赫 | EBI/EMI、I²C、LINbus、SPI、UART/USART、USB | CapSense、DMA、POR、PWM、WDT | 32KB(32K x 8) | 闪光 | 1K×8 | 4K×8 | 1.71V~5.5V | 模数16x12b;模数4x8b | 内部的 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C199CN-15VXC | - | ![]() | 9040 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 28-BSOJ(0.300英寸,7.62毫米宽) | CY7C199 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 28-SOJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1,350人 | 易挥发的 | 256Kbit | 15纳秒 | 静态随机存储器 | 32K×8 | 平行线 | 15纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FM25C160B-G | - | ![]() | 4481 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | F-RAM™ | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | FM25C160 | FRAM(铁电RAM) | 4.5V~5.5V | 8-SOIC | 下载 | 1 | 20兆赫 | 非活跃性 | 16Kbit | 铁电存储器 | 2K×8 | SPI | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML02G200TFA000 | - | ![]() | 8337 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车、AEC-Q100、ML-2 | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | S34ML02 | NAND-NAND | 2.7V~3.6V | 48-TSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非活跃性 | 2Gbit | 闪光 | 256M×8 | 平行线 | 25纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1250V18-333BZXC | 95.3400 | ![]() | 121 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1250 | SRAM-同步、DDR II | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (15x17) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 333兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 静态随机存储器 | 1M×36 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FM25040B-G | - | ![]() | 8457 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | F-RAM™ | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | FM25040 | FRAM(铁电RAM) | 4.5V~5.5V | 8-SOIC | 下载 | 1 | 20兆赫 | 非活跃性 | 4Kbit | 铁电存储器 | 512×8 | SPI | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62137CV30LL-55BAI | 1.2000年 | ![]() | 17号 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-TFBGA | CY62137 | SRAM - 异步 | 2.7V~3.3V | 48-FBGA (7x7) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 2兆比特 | 55纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×16 | 平行线 | 55纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1418TV18-267BZXC | 70.2100 | ![]() | 240 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 包 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1418 | SRAM-同步、DDR II | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (13x15) | - | 不适用 | 3A991B2A | 1 | 267兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×18 | 平行线 | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1024AV33-10ACT | 6.7500 | ![]() | 750 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1024 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 100-TQFP (14x20) | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 易挥发的 | 3兆比特 | 10纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×24 | 平行线 | 10纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY22393KZXC-529 | 3.7500 | ![]() | 第397章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 16-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | 时钟发生器 | 是,带旁路 | LVTTL、晶体 | 互补金属O化物半导体 | 1 | 1:6 | 否/否 | 200兆赫 | 3.135V~3.465V | 16-TSSOP | - | 是/否 | 2156-CY22393KZXC-529 | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S27KS0641DPBHA020 | 3.9400 | ![]() | 207 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车、AEC-Q100、HyperRAM™ KS | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 24-VBGA | S27KS0641 | PSRAM(α SRAM) | 1.7V~1.95V | 24-FBGA (6x8) | 下载 | 77 | 166兆赫 | 易挥发的 | 64兆比特 | 40纳秒 | PSRAM | 8M×8 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2411SXC-1 | 1.0400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 媒体时钟™ | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 时钟发生器,VCXO | 是的 | 水晶 | 钟 | 1 | 1:1 | 否/否 | 54兆赫 | 3.15V~3.45V | 8-SOIC | - | 是/否 | 2156-CY2411SXC-1 | 第289章 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62177EV30LL-55ZXI | 694.6700 | ![]() | 6661 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | CY62177 | SRAM - 异步 | 2.2V~3.7V | 48-TSOP I | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2832-CY62177EV30LL-55ZXI | 210 | 易挥发的 | 32兆比特 | 55纳秒 | 静态随机存储器 | 4M×8、2M×16 | 平行线 | 55纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY22381SXI-292 | - | ![]() | 第1139章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 时钟发生器,扇出分布 | CY22381 | 是,带旁路 | LVTTL、晶体 | 互补金属O化物半导体 | 3 | 否/否 | - | 3.135V~3.465V | 8-SOIC | 下载 | 是/否 | 不适用 | 54 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PY2292ASL-003 | 1.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT162H245CTPAC | 1.0000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | 74FCT162H245 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYDMX128A16-65BVXIKB | 6.9500 | ![]() | 829 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-VFBGA | CYDMX | SRAM - 双端口,异步 | 1.7V~1.9V、2.4V~2.6V、2.7V~3.3V | 100-VFBGA (6x6) | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 128Kbit | 65纳秒 | 静态随机存储器 | 8K×16 | 平行线 | 65纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C140-45DMB | - | ![]() | 7338 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55℃~125℃(TA) | CY7C140 | SRAM - 双端口,异步 | 4.5V~5.5V | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 8Kbit | 45纳秒 | 静态随机存储器 | 1K×8 | 平行线 | 45纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62256NLL-55SNI | - | ![]() | 3795 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 28-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | CY62256 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 28-SOIC | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256Kbit | 55纳秒 | 静态随机存储器 | 32K×8 | 平行线 | 55纳秒 |

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