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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -输入 | 输出类型 | sic可编程 | PLL | 输入 | 输出 | 电路数 | 比率-输入:输出 | 差分-输入:输出 | 频率 -最大 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 分隔线/乘数 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 元素数量 | 每个元素的位数 | 电流 -输出高,低,低 | 功能 | i/o的数量 | 核心处理器 | 核心大小 | 速度 | 连接性 | 外围设备 | 程序内存大小 | 程序内存类型 | EEPROM大小 | ram大小 | 电压 -电源( -vcc/vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 界面 | 时钟频率 | 可编程类型 | 宏观小球的数量 | 控制器系列 | 内存类型 | 内存大小 | 触发类型 | 最大传播延迟 @ v,max cl | 当前-iq(iq) | 访QT | 输入电容 | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | CY7C1413KV18-250BZI | 42.8800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1413 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 7 | 250 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62256L-70SNXIT | 2.2600 | ![]() | 42 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | CY62256 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-Soic | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 133 | 易挥发的 | 256kbit | 70 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 70NS | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62256-70ZCT | 0.6700 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | CY62256 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-tsop i | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 70 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 70NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C21634-24LTXIT | - | ![]() | 6524 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®1CY8C21XXX | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-VFQFN暴露垫 | CY8C21634 | 32-qfn (5x5) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.31.0001 | 2,500 | 28 | M8C | 8位 | 24MHz | i²c,spi,uart/usart | Por,PWM,WDT | 8KB (8K x 8) | 闪光 | - | 512 x 8 | 2.4V〜5.25V | A/D 28x8b | 内部的 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML01G200TFI903 | - | ![]() | 9883 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML01 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 1Gbit | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1041CV33-15ZXCT | 3.6700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1041 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1412AV18-200BZXC | 44.8100 | ![]() | 121 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1412 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 7 | 200 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C14251KV18-250BZC | 47.0800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C14251 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 250 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 4m x 9 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PALCE22V10-15kMB | 49.4600 | ![]() | 340 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 24-clatpack | 4.5V〜5.5V | 未行业行业经验证 | 24-clatpack | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A001A2C | 8542.39.0001 | 1 | 15 ns | 朋友 | 10 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY22381SX I-213 | 8.0400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 时钟生成器,扇形发行 | CY22381 | 是的旁路 | lvttl,晶体 | CMOS | 3 | 1:3 | 否/否 | - | 3.135V〜3.465V | 8-SOIC | 下载 | 是/否 | 38 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S25FL127SABBHVC00 | - | ![]() | 5816 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl-s | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | S25FL127 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 24-bga(8x6) | 下载 | 2832-S25FL127SABBHVC00-428 | 338 | 108 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O。 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CHD416LVT-70 | - | ![]() | 7274 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 未行业行业经验证 | - | 不适用 | 3(168)) | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYDMX064A16-65BVXI | 6.9400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-VFBGA | cydmx | sram-双端口,莫布 | 1.8V〜3.3V | 100-vfbga(6x6) | - | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 44 | 易挥发的 | 64kbit | 65 ns | SRAM | 4K x 16 | 平行线 | 65ns | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS5128AF | - | ![]() | 1387 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C9611-NC | 53.4600 | ![]() | 291 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1021V33L-12ZCT | 2.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1021 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 12ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C199N-20PXC | - | ![]() | 6923 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 28- 浸(0.300英寸,7.62mm) | CY7C199 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 20 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 20NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C64215-28PVXC | - | ![]() | 1575年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | Encore™III | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C | USB微控制器 | 表面安装 | 28SSOP(0.209英寸,宽度为5.30mm) | CY7C64215 | 3v〜5.25V | 28 sop | 下载 | 1 | 22 | M8C | Flash((16KB) | 1k x 8 | I²C,USB | CY7C642XX | 经过验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY74FCT374ATQCT | 0.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 74fct | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 20ssop (0.154英寸,3.90mm) | D | 74FCT374 | 三态,无向世 | 4.75V〜5.25V | 20ssop | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 | 8 | 32mA,64mA | 标准 | 正优势 | 6.2NS @ 50pf | 200 µA | 5 pf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25FL216K0PMFI040 | 1.0000 | ![]() | 4153 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl2-k | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | S25FL216 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 65 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | spi-双i/o | 5ms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34MS04G200BHI903 | - | ![]() | 8943 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS04 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 4Gbit | 45 ns | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | 45ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1049B-25VC | 3.4200 | ![]() | 902 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 36-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | CY7C1049 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 36-SOJ | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 25 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 25ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STK15C88-SF25ITR | - | ![]() | 3527 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-SOIC (0.342“,8.69mm宽度) | STK15C88 | NVSRAM(SRAM) | 4.5V〜5.5V | 28-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-STK15C88-SF25ITR | Ear99 | 8542.32.0041 | 9 | 非易失性 | 256kbit | 25 ns | NVSRAM | 32K x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1339A-83AC | 3.1400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1339 | sram-同步,sdr | 3.15v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 83 MHz | 易挥发的 | 4Mbit | 6 ns | SRAM | 128K x 32 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY22050KZXC-134 | 1.9400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY27H010-30PC | 6.5900 | ![]() | 801 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 通过洞 | 32 滴(0.600英寸,15.24毫米) | CY27H010 | EPROM -UV | 4.5V〜5.5V | 32-PDIP | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 非易失性 | 1Mbit | 30 ns | EPROM | 128K x 8 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1262XV18-366BZXC | 80.0300 | ![]() | 237 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1262 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 4 | 366 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C0830AV-133AI | 72.0000 | ![]() | 44 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 120-LQFP | CY7C0830 | sram-双端口,同步 | 3.135V〜3.465V | 120-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 1.152Mbit | SRAM | 64k x 18 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1513KV18-333BZXC | 157.6000 | ![]() | 141 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1513 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 2 | 333 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 4m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FM24V05-G | 1.0000 | ![]() | 1589年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | F-RAM™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | FM24V05 | fram (铁电 ram) | 2v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | 1 | 3.4 MHz | 非易失性 | 512kbit | 130 ns | 框架 | 64k x 8 | i²c | - | 未行业行业经验证 |
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