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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 输出类型 | sic可编程 | PLL | 输入 | 输出 | 电路数 | 比率-输入:输出 | 差分-输入:输出 | 频率 -最大 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 分隔线/乘数 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 逻辑类型 | 元素数量 | 每个元素的位数 | 电流 -输出高,低,低 | i/o的数量 | 核心处理器 | 核心大小 | 速度 | 连接性 | 外围设备 | 程序内存大小 | 程序内存类型 | EEPROM大小 | ram大小 | 电压 -电源( -vcc/vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 界面 | 时钟频率 | 控制器系列 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | CY7C1351G-100AXC | 6.0500 | ![]() | 227 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | NOBL™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1351 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | 50 | 100 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 8 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C5467LTI-LP003 | - | ![]() | 4018 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®5CY8C54LP | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 68-VFQFN暴露垫 | CY8C5467 | 68-qfn (8x8) | 下载 | 1 | 38 | ARM®Cortex®-M3 | 32位单核 | 67MHz | I²C,Linbus,Spi,Uart/USART,USB | Capsense,DMA,LCD,POR,PWM,WDT | 128KB (128K x 8) | 闪光 | 2k x 8 | 32K x 8 | 1.71V〜5.5V | A/D 1x12b; D/A 2x8b | 内部的 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62167DV30LL-55ZXI | 17.6700 | ![]() | 63 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | CY62167 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | 17 | 易挥发的 | 16mbit | 55 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 55ns | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY22801KSXC-019 | 4.3400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CY22801 | 8-SOIC | 下载 | 70 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2303SXC | 11.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 时钟乘数,扇形发行 | CY2303 | 是的 | lvcmos,lvttl | lvcmos | 1 | 否/否 | 166.67MHz | 3v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | 否/是 | 26 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62146GE30-45BVXI | 5.3800 | ![]() | 75 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62146 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | 56 | 易挥发的 | 4Mbit | 45 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 45ns | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C20647S-24LQXI | - | ![]() | 2159 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | Capsense®控制器 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C | 电容感应 | 表面安装 | 48-UFQFN暴露垫 | CY8C20647 | 1.71V〜5.5V | 48-qfn (6x6) | 下载 | 94 | 33 | M8C | Flash((16KB) | 2k x 8 | i²c,spi | CY8C20XX7/s | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1345S-100AXC | 6.3300 | ![]() | 183 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1345 | sram-同步,sdr | 3.15v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | - | 48 | 100 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 8 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1413KV18-333BZI | 51.6500 | ![]() | 146 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1413 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 6 | 333 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C3666LTI-027 | 14.3000 | ![]() | 683 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®3CY8C36XX | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 68-VFQFN暴露垫 | CY8C3666 | 68-qfn (8x8) | 下载 | 21 | 38 | 8051 | 8位 | 67MHz | EBI/EMI,I²C,LINBUS,SPI,UART/USART,USB | Capsense,DMA,LCD,POR,PWM,WDT | 64KB (64K x 8) | 闪光 | 2k x 8 | 8k x 8 | 1.71V〜5.5V | A/D 16x12b; D/A 4x8b | 内部的 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C4025LQI-S411 | 1.5300 | ![]() | 397 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®4CY8C4000 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-UFQFN暴露垫 | CY8C4025 | 24 QFN (4x4) | 下载 | 197 | 19 | ARM®Cortex®-M0+ | 32位单核 | 24MHz | I²C,Irda,Linbus,Microwire,SmartCard,Spi,SSP,UART/USART | Brown-Out检测/重置,Capsense,LCD,LVD,POR,PWM,WDT | 32KB (32K x 8) | 闪光 | - | 4K x 8 | 1.71V〜5.5V | A/D 1x10b | 内部的 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY74FCT2543CTSOC | 0.6200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 74fct | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 74FCT2543 | - | 三州 | 4.75V〜5.25V | 24-Soic | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 487 | 收发器,无变形 | 1 | 8 | 15mA,12mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1515KV18-250BZXC | 161.0600 | ![]() | 37 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1515 | Sram-同步,QDR II | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 2 | 250 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1018DV33-10VXI | 2.1100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C1018 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 32-soj | 下载 | rohs3符合条件 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 10NS | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1041G18-15BVXI | - | ![]() | 1448 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY7C1041 | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 15ns | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY14V101LA-BA45XIT | 16.3800 | ![]() | 106 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | CY14V101 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 48-fbga(6x10) | 下载 | 19 | 非易失性 | 1Mbit | 45 ns | NVSRAM | 128K x 8 | 平行线 | 45ns | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C2644KV18-300BZXI | 302.8100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C2644 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | 1 | 300 MHz | 易挥发的 | 144Mbit | SRAM | 4m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C20546A-24PVXIT | - | ![]() | 2399 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | Capsense®控制器 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C | 电容感应 | 表面安装 | 48-bessop(0.295英寸,7.50mm宽度) | CY8C20546 | 1.71V〜5.5V | 48-SSOP | 下载 | 1 | 36 | M8C | Flash((16KB) | 2k x 8 | i²c,spi | CY8C20XX6A | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYUSB3326-88LTXC | - | ![]() | 5459 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | HX3 | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C | USB 3.0集线器控制器 | 表面安装 | 88-VFQFN暴露垫 | CYUSB3326 | 1.14V〜1.26V,2.5V〜2.7V,3v〜3.6V | 88-qfn (10x10) | 下载 | 1 | 10 | ARM®Cortex®-M0 | ROM((32KB) | 16k x 8 | i²c | cyusb | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYWB0226ABSX-FDXI | 8.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 表面安装 | 81-UFBGA,WLCSP | USB/质量存储外围控制器 | 未行业行业经验证 | 81-wlcsp (3.91x3.91) | 下载 | 3A991A3 | 8542.31.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY23S05SXC-1T | 7.5200 | ![]() | 173 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 传播avaine™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ((),零延迟缓冲区 | CY23S05 | 是的 | lvcmos,lvttl | lvcmos | 1 | 1:5 | 否/否 | 133.33MHz | 3v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | 否/否 | 40 | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1668KV18-450BZXC | 345.5500 | ![]() | 125 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1668 | sram-同步,DDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | 1 | 450 MHz | 易挥发的 | 144Mbit | SRAM | 8m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C199L-15ZI | - | ![]() | 4001 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | CY7C199 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-tsop i | 下载 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 15 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C2262XV18-366BZXC | 89.6200 | ![]() | 368 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C2262 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 4 | 366 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY25100SXIF | 7.1000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ((),传播频谱时钟发生器 | CY25100 | 是的 | CMOS,晶体 | CMOS | 1 | 1:2 | 否/否 | 200MHz | 3.13v〜3.45V | 8-SOIC | 下载 | 是/否 | 43 | 经过验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C2265KV18-400BZXI | - | ![]() | 1946年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C2265 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 1 | 400 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1051DV33-10BAXI | 56.5700 | ![]() | 86 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | CY7C1051 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 48-fbga(6x8) | 下载 | 6 | 易挥发的 | 8mbit | 10 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 10NS | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C2565XV18-633BZXC | 493.7500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C2565 | sram-同步,QDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 1 | 633 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FM31L278-G | 11.9100 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 基于处理器的系统 | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | 处理器伴侣 | FM31L278 | 14-Soic | 下载 | 26 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62126EV30LL-55BVXE | 4.4800 | ![]() | 142 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | CY62126 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 供应商不确定 | 3A991A2 | 8542.32.0040 | 38 | 易挥发的 | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 55ns | 未行业行业经验证 |
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