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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 应用领域 | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | SIC | 锁相环 | 输入 | 输出 | 电路数量 | 其中 - 输入:输出 | 分数 - 输入:输出 | 频率 - 最大 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 除法器/乘法器 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 输入/输出数量 | 核心处理器 | 核心尺寸 | 速度 | 连接性 | 周边设备 | 程序内存大小 | 程序存储器类型 | EEPROM大小 | 内存大小 | 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QQT | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 | SIC |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY62148EV30LL-55ZSXE | 6.6500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 32-SOIC(0.445英寸,11.30毫米宽) | CY62148 | SRAM - 异步 | 2.2V~3.6V | 32-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 46 | 易挥发的 | 4兆比特 | 55纳秒 | 静态随机存储器 | 512K×8 | 平行线 | 55纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CG8002AA | - | ![]() | 4397 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C60456-48LTXC | 2.9100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | enCoRe™ V CY7C604xx | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 48-VFQFN 裸露焊盘 | CY7C60456 | 48-QFN (7x7) | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.31.0001 | 104 | 36 | M8C | 8号 | 24兆赫 | I²C、SPI | 低电压检测、上电复位、看门狗基线 | 32KB(32K x 8) | 闪光 | - | 2K×8 | 1.71V~3.6V | 模数转换器 1x10b | 内部的 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C20446A-24LQXIKG | 2.1500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | 未验证 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.31.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C136-25JC | - | ![]() | 3772 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 包 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 52-LCC(J导联) | CY7C136 | SRAM - 双端口,异步 | 4.5V~5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | - | 不符合 RoHS 指令 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 16Kbit | 25纳秒 | 静态随机存储器 | 2K×8 | 平行线 | 25纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C107B-25VC | 10.7300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 28-BSOJ(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C107 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 28-SOJ | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | REACH旅行 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1兆比特 | 25纳秒 | 静态随机存储器 | 1M×1 | 平行线 | 25纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7B994V-2BBC | 40.5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 机器人时钟™ | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 100-LBGA | 时钟葫芦,扇出分配 | CY7B994 | 是的 | LVPECL、LVTTL | 左心室TTL | 1 | 4:18 | 否/否 | 200兆赫 | 2.97V~3.63V | 100-TBGA (11x11) | 下载 | 是/是 | 不符合 RoHS 指令 | EAR99 | 8542.39.0001 | 8 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||
| S79FL01GSDSBHVC10 | 14.4900 | ![]() | 第481章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FL-G | 大部分 | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 24-TBGA | S79FL01 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 24-BGA (8x6) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 1 | 80兆赫 | 非活跃性 | 1Gbit | 闪光 | 128M×8 | SPI | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62137CVSL-70BAXI | 1.2800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-TFBGA | CY62137 | SRAM - 异步 | 2.7V~3.6V | 48-FBGA (7x7) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 234 | 易挥发的 | 2兆比特 | 70纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×16 | 平行线 | 70纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1024AV33-10ACT | 6.7500 | ![]() | 750 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1024 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 100-TQFP (14x20) | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 易挥发的 | 3兆比特 | 10纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×24 | 平行线 | 10纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62137CV30LL-55BAI | 1.2000年 | ![]() | 17号 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-TFBGA | CY62137 | SRAM - 异步 | 2.7V~3.3V | 48-FBGA (7x7) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 2兆比特 | 55纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×16 | 平行线 | 55纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY22393KZXC-529 | 3.7500 | ![]() | 第397章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 16-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | 时钟发生器 | 是,带旁路 | LVTTL、晶体 | 互补金属O化物半导体 | 1 | 1:6 | 否/否 | 200兆赫 | 3.135V~3.465V | 16-TSSOP | - | 是/否 | 2156-CY22393KZXC-529 | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1418TV18-267BZXC | 70.2100 | ![]() | 240 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 包 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1418 | SRAM-同步、DDR II | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (13x15) | - | 不适用 | 3A991B2A | 1 | 267兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×18 | 平行线 | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1563V18-400BZXC | 188.2700 | ![]() | 223 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1563 | SRAM - 同步,QDR II | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (15x17) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 400兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 4M×18 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S27KS0641DPBHA020 | 3.9400 | ![]() | 207 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车、AEC-Q100、HyperRAM™ KS | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 24-VBGA | S27KS0641 | PSRAM(α SRAM) | 1.7V~1.95V | 24-FBGA (6x8) | 下载 | 77 | 166兆赫 | 易挥发的 | 64兆比特 | 40纳秒 | PSRAM | 8M×8 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C3665AXA-016 | - | ![]() | 2979 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车、AEC-Q100、PSOC® 3 CY8C36xx | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY8C3665 | 100-TQFP (14x14) | - | 符合ROHS3标准 | 3A991A3 | 8542.31.0001 | 15 | 62 | 8051 | 8号 | 67兆赫 | EBI/EMI、I²C、LINbus、SPI、UART/USART、USB | CapSense、DMA、POR、PWM、WDT | 32KB(32K x 8) | 闪光 | 1K×8 | 4K×8 | 1.71V~5.5V | 模数转换器 16x12b;数模 4x8b | 内部的 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML02G200TFA000 | - | ![]() | 8337 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车、AEC-Q100、ML-2 | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | S34ML02 | NAND-NAND | 2.7V~3.6V | 48-TSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非活跃性 | 2Gbit | 闪光 | 256M×8 | 平行线 | 25纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C20436A-24LQXIES | - | ![]() | 5401 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | 未验证 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.31.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25FS512SAGNFI010 | - | ![]() | 2443 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FS-S | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-WDFN 裸露焊盘 | S25FS512 | 或-NOR | 1.7V~2V | 8-WSON (6x8) | 下载 | 1 | 133兆赫 | 非活跃性 | 512兆比特 | 闪光 | 64M×8 | SPI - 四路I/O、QPI | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY22381SXI-146T | 2.8200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 时钟发生器,扇出分布 | CY22381 | 是,带旁路 | LVTTL、晶体 | 互补金属O化物半导体 | 3 | 1:3 | 否/否 | - | 3.135V~3.465V | 8-SOIC | 下载 | 是/否 | 不适用 | 107 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62147DV30LL-45ZSXI | 2.1300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY62147 | SRAM - 异步 | 2.2V~3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4兆比特 | 45纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×16 | 平行线 | 45纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CG7139BM | - | ![]() | 6096 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25FL128SDPMFIG10 | - | ![]() | 9382 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FL-S | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | S25FL128 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 16-SOIC | 下载 | 1 | 66兆赫 | 非活跃性 | 128Mbit | 闪光 | 16M×8 | SPI——四路I/O | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY29421FLXI | 37.2800 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CY2942x | 大部分 | 过时的 | -40℃~105℃ | 表面贴装 | 8-CLCC | 压控晶体振荡器 | CY29421 | 是的 | - | CML、HCSL、LVDS、LVPECL | 1 | 否/否 | 2.1GHz | 1.71V~3.63V | 下载 | 是/否 | 9 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62128BNLL-70SXET | 4.9900 | ![]() | 300 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 32-SOIC(0.445英寸,11.30毫米宽) | CY62128 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 32-SOIC | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0041 | 61 | 易挥发的 | 1兆比特 | 70纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×8 | 平行线 | 70纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS5128AF | - | ![]() | 第1387章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY27C010-55ZC | 2.5700 | ![]() | 249 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 32-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | CY27C010 | EPROM-OTP | 4.5V~5.5V | 32-TSOP I | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 非活跃性 | 1兆比特 | 55纳秒 | EPROM | 128K×8 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYWB0125ABX-FDXI | 13.3300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | - | 表面贴装 | 81-UFBGA,WLCSP | USB/大容量存储外设控制器 | 未验证 | 81-WLCSP (3.78x3.79) | 下载 | 3A991A3 | 8542.31.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1361A-100AI | 7.2300 | ![]() | 607 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1361 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.6V | 100-TQFP (14x20) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100兆赫 | 易挥发的 | 9兆比特 | 8纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×36 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB9BF564LPMC-G-JNE2 | - | ![]() | 9848 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FM4 MB9B560L | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 64-LQFP | MB9BF564 | 64-LQFP (12x12) | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 48 | ARM® Cortex®-M4F | 32位单核 | 160兆赫 | CAN总线、CSIO、I²C、LIN总线、UART/USART、USB | DMA、LVD、POR、PWM、WDT | 288KB(288K x 8) | 闪光 | - | 32K×8 | 2.7V~5.5V | 模数转换器15x12b;数模2x10b | 内部的 |

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