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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 电流 -供应 | sic可编程 | PLL | 输入 | 输出 | 电路数 | 比率-输入:输出 | 差分-输入:输出 | 频率 -最大 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 分隔线/乘数 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 功能 | 标准 | 输入数量 | i/o的数量 | 核心处理器 | 核心大小 | 速度 | 连接性 | 外围设备 | 程序内存大小 | 程序内存类型 | EEPROM大小 | ram大小 | 电压 -电源( -vcc/vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 协议 | 界面 | 时钟频率 | 接近检测 | 解决 | LED驾驶员通道 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | CY62128DV30LL-55ZAIT | 2.1100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.465英寸,11.80mm((11.80mm)) | CY62128 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 32-tsop | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,500 | 易挥发的 | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 55ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C4124PVI-432 | - | ![]() | 8270 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®4CY8C4100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28SSOP(0.209英寸,宽度为5.30mm) | CY8C4124 | 28 sop | 下载 | 1 | 24 | ARM®Cortex®-M0 | 32位单核 | 24MHz | I²C,Irda,Linbus,Microwire,SmartCard,Spi,SSP,UART/USART | Brown-Out检测/重置,LVD,POR,PWM,WDT | 16KB(16k x 8) | 闪光 | - | 4K x 8 | 1.71V〜5.5V | A/D 8X12B SAR; D/A 2XIDAC | 内部的 | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C2168KV18-450BZC | 43.4600 | ![]() | 626 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C2168 | sram-同步,DDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 450 MHz | 易挥发的 | 18mbit | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1021BNL-15ZSXAT | - | ![]() | 5193 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1021 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 68 | 易挥发的 | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 15ns | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY22395FXCT | - | ![]() | 8469 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 16-TSSOP (0.173“,4.40mm宽度) | 时钟生成器,扇形发行 | CY22395 | 是的旁路 | lvttl,晶体 | CMOS,LVCMOS | 1 | 1:5 | 否/否 | 133MHz,200MHz | 2.375V〜3.465V | 16-TSSOP | 下载 | 是/否 | 1 | 经过验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C21634-24LFXI | 1.2800 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®1CY8C21XXX | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-VFQFN暴露垫 | CY8C21634 | 32-qfn (5x5) | - | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.31.0001 | 234 | 26 | M8C | 8位 | 24MHz | i²c,spi,uart/usart | Por,PWM,WDT | 8KB (8K x 8) | 闪光 | - | 512 x 8 | 2.4V〜5.25V | A/D 28x8b | 内部的 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34SL02G200BHV003 | - | ![]() | 8674 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | SL-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34SL02 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 2Gbit | 25 ns | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FM21LD16-60-BG | - | ![]() | 6044 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | F-RAM™ | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | FM21LD16 | fram (铁电 ram) | 2.7V〜3.6V | 48-fbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 非易失性 | 2Mbit | 110 ns | 框架 | 128K x 16 | 平行线 | 110NS | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML02G100TFV000 | 3.0000 | ![]() | 889 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34ML02 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 167 | 非易失性 | 2Gbit | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C0853AV-133BBC | - | ![]() | 3304 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 172-LBGA | CY7C0853 | sram-双端口,同步 | 3.135V〜3.465V | 172-FBGA(15x15) | - | Rohs不合规 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 126 | 133 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 16-1005469-01-T | - | ![]() | 5339 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 在sic中停产 | - | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C266-45WC | - | ![]() | 2918 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | CY7C266 | EPROM -UV | 4.5V〜5.5V | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0061 | 1 | 非易失性 | 64kbit | 45 ns | EPROM | 8k x 8 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1041BN-15VI | - | ![]() | 8532 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | CY7C1041 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-SOJ | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8CMBR3110-SX2I | 1.3100 | ![]() | 309 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CapSense®Express™SmartSense™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | 按钮 | CY8CMBR3110 | 140mA | 1.8V〜5.5V | 16-Soic | 下载 | 229 | 最多10 | i²c | 是的 | - | 最多5 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML04G100BHV003 | - | ![]() | 7508 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML04 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7B139-35JC | 25.0000 | ![]() | 126 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 68-LCC(j-lead) | CY7B139 | sram-双端口,异步 | 4.5V〜5.5V | 68-PLCC (24.23x24.23) | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 36kbit | 35 ns | SRAM | 4K x 9 | 平行线 | 35ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C60333-LFXC | 0.9500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | Encore™III CY7C603XX | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-VFQFN暴露垫 | CY7C60333 | 32-qfn (5x5) | - | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.31.0001 | 317 | 26 | M8C | 8位 | 12MHz | i²c,spi | LVD,POR,PWM,WDT | 8KB (8K x 8) | 闪光 | - | 512 x 8 | 2.4v〜3.6V | A/D 8x10b | 内部的 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34MS01G100BHB000 | - | ![]() | 4913 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-1 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34MS01 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非易失性 | 1Gbit | 45 ns | 闪光 | 128m x 8 | 平行线 | 45ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2309SXC-1KP | 4.8200 | ![]() | 386 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | 零延迟缓冲区 | 是的旁路 | lvcmos,lvttl | lvcmos | 1 | 1:9 | 否/否 | 133.33MHz | 3v〜3.6V | 16-Soic | - | 否/否 | 2156-CY2309SXC-1KP | 63 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML04G100BHA003 | - | ![]() | 8345 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | S34ML04 | 闪存-NAND | 2.7V〜3.6V | 63-BGA(11x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非易失性 | 4Gbit | 闪光 | 512m x 8 | 平行线 | 25ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C4124FNI-443T | - | ![]() | 3777 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®4CY8C4100 | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 35-XFBGA,WLCSP | CY8C4124 | 35-WLCSP (2.58x2.1) | 下载 | 不适用 | 3A991A3 | 8542.31.0001 | 50 | 31 | ARM®Cortex®-M0+ | 32位单核 | 24MHz | I²C,Irda,Linbus,Microwire,SmartCard,Spi,SSP,UART/USART | Brown-Out检测/重置,Capsense,LCD,LVD,POR,PWM,WDT | 16KB(16k x 8) | 闪光 | - | 4K x 8 | 1.71V〜5.5V | A/D 8X12B SAR; D/A 2XIDAC | 内部的 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1021CV33-10ZC | - | ![]() | 1840年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 包 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1021 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 2 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 10NS | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62128DV30LL-55ZAI | 4.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.465英寸,11.80mm((11.80mm)) | CY62128 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 32-tsop | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 55ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY71347A-133ACT | - | ![]() | 5506 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 750 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C20237-24SXIKP | 1.9100 | ![]() | 189 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 未行业行业经验证 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.31.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34MS04G204TFB013 | - | ![]() | 6640 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车,AEC-Q100,MS-2 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S34MS04 | 闪存-NAND | 1.7V〜1.95V | 48-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非易失性 | 4Gbit | 45 ns | 闪光 | 256m x 16 | 平行线 | 45ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY14B101L-SZ45XI | - | ![]() | 1226 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.295(7.50mm) | CY14B101 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 32-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 2 | 非易失性 | 1Mbit | 45 ns | NVSRAM | 128K x 8 | 平行线 | 45ns | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C65630-56LTXC | - | ![]() | 9497 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | EZ-USB HX2LP™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C | 56-VFQFN暴露垫 | CY7C65630 | - | 3.15V〜3.45V | 56-qfn (8x8) | 下载 | 1 | 集线器控制器 | USB 2.0 | USB | USB | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C027V-25AC | - | ![]() | 5879 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 包 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C027 | sram-双端口,异步 | 3v〜3.6V | 100-TQFP(14x14) | 下载 | Rohs不合规 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 512kbit | 25 ns | SRAM | 32k x 16 | 平行线 | 25ns | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C65632-48AXC | - | ![]() | 1833年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | HX2VL™ | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C | 48-LQFP | CY7C65632 | - | 3.15V〜5.25V | 48-TQFP(7x7) | 下载 | 1 | 集线器控制器 | USB 2.0 | USB | USB | 未行业行业经验证 |
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