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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 应用领域 | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 - 输入 | 输出类型 | SIC | 锁相环 | 输入 | 输出 | 电路数量 | 其中 - 输入:输出 | 分数 - 输入:输出 | 频率 - 最大 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 除法器/乘法器 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 元件数量 | 每个要素的补充 | 当前-产出高、低 | 功能 | 输入/输出数量 | 核心处理器 | 核心尺寸 | 速度 | 连接性 | 周边设备 | 程序内存大小 | 程序存储器类型 | EEPROM大小 | 内存大小 | 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 界面 | 时钟频率 | 便捷型 | 宏单元数量 | 控制器系列 | 内存类型 | 电压源 | 内存大小 | 触发类型 | 最大传播延迟@V、最大CL | 电流 - 静态 (Iq) | 访QQT | 输入电容 | 电路 | 独立电路 | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 | SIC |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY2292SL-535 | 1.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1019BV33-15VCT | 1.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 32-BSOJ(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1019 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 32-SOJ | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | 易挥发的 | 1兆比特 | 15纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×8 | 平行线 | 15纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PALC16R6-30LMB | 14.4000 | ![]() | 74 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PAL®C20 | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | 20-CLCC | 4.5V~5.5V | 未验证 | 20-CLCC (8.89x8.89) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A001A2C | 8542.39.0001 | 1 | 30纳秒 | 朋友 | 6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1021BV33L-15ZI | - | ![]() | 8529 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1021 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1兆比特 | 15纳秒 | 静态随机存储器 | 64K×16 | 平行线 | 15纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1020CV33-10ZXC | - | ![]() | 1158 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1020 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 29 | 易挥发的 | 512Kbit | 10纳秒 | 静态随机存储器 | 32K×16 | 平行线 | 10纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C296665-24LFXI | - | ![]() | 5873 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®1 CY8C29xxx | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | CY8C296665 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 0000.00.0000 | 1 | M8C | 8号 | 24兆赫 | I²C、SPI、UART/USART | 上电复位、脉宽调制、看门狗定时器 | 32KB(32K x 8) | 闪光 | 2K×8 | 3V~5.25V | 模数12x14b;模数4x9b | 内部的 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML08G201TFA000 | - | ![]() | 7581 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车、AEC-Q100、ML-2 | 托盘 | SIC停产 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | S34ML08 | NAND-NAND | 2.7V~3.6V | 48-TSOP I | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非活跃性 | 8Gbit | 闪光 | 1G×8 | 平行线 | 25纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY25404ZXI011KO | 8.5500 | ![]() | 第292章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 20-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | 扩频时钟发生器 | 是的 | 时钟、水晶 | 钟 | 1 | 1:9 | 否/否 | 166兆赫 | 2.25V~3.6V | 20-TSSOP | - | 是/否 | 2156-CY25404ZXI011KO | 36 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY74FCT138CTSOC | - | ![]() | 2585 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 74FCT | 大部分 | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | 解码器/解复用器 | 4.75V~5.25V | 16-SOIC | - | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-CY74FCT138CTSOC-428 | 1 | 32毫安、64毫安 | 单电源 | 1×3:8 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STK12C68-WF45 | 57.7800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 通孔 | 28-DIP(0.600英寸,15.24毫米) | STK12C68 | NVSRAM(非易失性SRAM) | 4.5V~5.5V | 28-PDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.32.0041 | 13 | 非活跃性 | 64Kbit | 45纳秒 | 非静态随机仓库 | 8K×8 | 平行线 | 45纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8CTMG120-56LTXIKM | 5.1400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | 未验证 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.31.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CG7787AA | - | ![]() | 6297 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 1 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL01GS10FAI020 | 22.2300 | ![]() | 127 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-S | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 64-LBGA | S29GL01 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 64-FBGA (13x11) | 下载 | 23 | 非活跃性 | 1Gbit | 100纳秒 | 闪光 | 64米×16 | 平行线 | 60纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1012AV33-10BGC | 36.3100 | ![]() | 76 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 119-BGA | CY7C1012 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 119-PBGA (14x22) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 12兆位 | 10纳秒 | 静态随机存储器 | 512K×24 | 平行线 | 10纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S26KL128SDABHA020A | 4.6700 | ![]() | 170 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车、AEC-Q100、HyperFlash™ KL | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 24-VBGA | S26KL128 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 24-FBGA (6x8) | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 100兆赫 | 非活跃性 | 128Mbit | 96纳秒 | 闪光 | 16M×8 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C20436AN-24LQXI | - | ![]() | 9655 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CapSense® 控制器 | 托盘 | 过时的 | -40℃~85℃ | 电容式传感 | 表面贴装 | 32-UFQFN 裸露焊盘 | CY8C20436 | 1.71V~5.5V | 32-QFN (5x5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 第490章 | 28 | M8C | 阑 (8kB) | 1K×8 | I²C、SPI | CY8C20xx6A | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY29972AXI | - | ![]() | 4797 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 52-TQFP | 扇出分布、多路复用器、扩频 | CY29972 | 是,带旁路 | 时钟、水晶 | 钟 | 1 | 3:12 | 否/否 | 125兆赫 | 2.9V~3.6V | 52-TQFP (10x10) | - | 是/否 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C4147AXI-S453 | - | ![]() | 8948 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 托盘 | 过时的 | CY8C4147 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2832-CY8C4147AXI-S453 | 1 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL01GT11DHV010 | - | ![]() | 5551 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-T | 托盘 | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 64-LBGA | S29GL01 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 64-FBGA (9x9) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 不适用 | 供应商未定义 | 2832-S29GL01GT11DHV010 | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 1 | 非活跃性 | 1Gbit | 110纳秒 | 闪光 | 128M×8 | 平行线 | 60纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PALC22V10-30DM | - | ![]() | 2333 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C0851V-133BBC | 39.5700 | ![]() | 第831章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 172-LBGA | CY7C0851 | SRAM - 双端口,同步 | 3.135V~3.465V | 172-FBGA (15x15) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133兆赫 | 易挥发的 | 2兆比特 | 静态随机存储器 | 64K×36 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS7412AT | - | ![]() | 2017年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | CS7412AT | - | 不适用 | 第490章 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2077SC-108 | - | ![]() | 1931年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25FL164K0XMFI000 | 2.6000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FL1-K | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | S25FL164 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 16-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 108兆赫 | 非活跃性 | 64兆比特 | 闪光 | 8M×8 | SPI——四路I/O | 3毫秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1565V18-400BZI | 146.5300 | ![]() | 266 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1565 | SRAM - 同步,QDR II | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (15x17) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 400兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×36 | 平行线 | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMIC5002BYBT | 3.1200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1480BV33167BZI | 124.7900 | ![]() | 7906 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1480 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.6V | 165-FBGA (15x17) | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 3.4纳秒 | 静态随机存储器 | 2M×36 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY74FCT162823CTPAC | - | ![]() | 4354 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 74FCT | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 56-TFSOP(0.240英寸,6.10毫米宽) | D型 | 三态,非食品 | 4.5V~5.5V | 56-TSSOP | - | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-CY74FCT162823CTPAC-428 | 1 | 2 | 9 | 24毫安,24毫安 | 主复位 | 正边沿 | 12.5ns@5V,300pF | 500微安 | 4.5pF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C5365AXI-043 | - | ![]() | 3205 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC® 5 CY8C53 | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY8C5365 | 100-TQFP (14x14) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991A3 | 8542.31.0001 | 1 | 60 | ARM® Cortex®-M3 | 32位单核 | 67兆赫 | I²C、LINbus、SPI、UART/USART、USB | CapSense、DMA、LCD、POR、PWM、WDT | 32KB(32K x 8) | 闪光 | 2K×8 | 8K×8 | 2.7V~5.5V | 模数转换器1x12b;数模2x8b | 内部的 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FM25CL64B-G | 1.0000 | ![]() | 2884 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | F-RAM™ | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | FM25CL64 | FRAM(铁电RAM) | 2.7V~3.65V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 250 | 20兆赫 | 非活跃性 | 64Kbit | 铁电存储器 | 8K×8 | SPI | - | 未验证 |

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