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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 应用领域 | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 输出类型 | SIC | 锁相环 | 输入 | 输出 | 电路数量 | 其中 - 输入:输出 | 分数 - 输入:输出 | 频率 - 最大 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 除法器/乘法器 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 逻辑类型 | 元件数量 | 每个要素的补充 | 当前-产出高、低 | 功能 | 输入/输出数量 | 数据速率 | 界面 | 时钟频率 | 便捷型 | 宏单元数量 | 延迟T tpd(1) 顶部 | 电源电压 - 内部 | 逻辑元件/块的数量 | 内存类型 | 内存大小 | 访QQT | 电流 - 电源(最大) | 巴士定向 | 扩展型 | 最小标志支持 | 重传能力 | FWFT支持 | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 | SIC |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY7C1347A-133AC | 4.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1347 | SRAM-同步、SDR | 3.15V~3.6V | 100-TQFP (14x20) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133兆赫 | 易挥发的 | 4.5兆比特 | 4纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×36 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY22801KSXC-021 | 4.3400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | CY22801 | 8-SOIC | 下载 | 70 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C182-35SC | 3.1000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 28-BSOJ(0.300英寸,7.62毫米宽) | CY7C182 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 28-SOJ | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 72Kbit | 35纳秒 | 静态随机存储器 | 8K×9 | 平行线 | 35纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | W185-5H | 1.8700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 24-SSOP(0.209英寸,5.30毫米宽) | 扩频时钟发生器 | 是的 | 时钟、水晶 | - | 1 | 1:1 | 否/否 | 75兆赫 | 3.135V~3.465V | 24-SSOP | 下载 | 是/否 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CG7444AF | - | ![]() | 9310 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2302SXC-1 | 3.4300 | ![]() | 912 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 扇出分布、倍频器、零德 | CY2302 | 是的 | LVCMOS、LVTTL | LVCMOS | 1 | 1:2 | 否/否 | 133兆赫 | 3.3V、5V | 8-SOIC | 下载 | 是/是 | 不符合RoHS标准 | 供应商未定义 | 1 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYD18S72V-133BBC | 342.3500 | ![]() | 170 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 484-BGA | CYD18S72 | SRAM - 双端口,同步 | 3.135V~3.465V | 484-FBGA (23x23) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 60 | 133兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 5纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×72 | 平行线 | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2XP241ZXIT | 8.0200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 表面贴装 | 8-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | - | CY2XP241 | - | - | - | - | - | - | - | 8-TSSOP | - | - | 不适用 | EAR99 | 38 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2548C003 | 2.6600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C373-100JC | - | ![]() | 2968 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 超逻辑™ | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 84-LCC(J导联) | 未验证 | 84-PLCC (29.31x29.31) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 64 | 系统内部可重编程™ (ISR™) | 64 | 10纳秒 | 4.75V~5.25V | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY37032P44-154JI | 4.2600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 44-LCC(J导联) | 未验证 | 44-PLCC (16.61x16.61) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 37 | 系统内部可重编程™ (ISR™) CMOS | 32 | 7.5纳秒 | 4.5V~5.5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1347S-133AXC | 6.3300 | ![]() | 第285章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1347 | SRAM-同步、SDR | 3.15V~3.6V | 100-TQFP (14x14) | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 48 | 133兆赫 | 易挥发的 | 4.5兆比特 | 4纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×36 | 平行线 | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY27C512-200JI | - | ![]() | 8867 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 32-LCC(J导联) | CY27C512 | EPROM-OTP | 4.5V~5.5V | 32-PLCC (13.97x11.43) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 非活跃性 | 512Kbit | 200纳秒 | EPROM | 64K×8 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2305CSXA-1 | 2.5300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 扇出故障(分配)、零延迟故障 | CY2305 | 是的 | LVCMOS、LVTTL | LVCMOS | 1 | 1:5 | 否/否 | 133.33兆赫 | 3V~3.6V | 8-SOIC | 下载 | 否/否 | 符合ROHS3标准 | 119 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT162646ATPACT | 1.5300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 74FCT | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 56-TFSOP(0.240英寸,6.10毫米宽) | 74FCT162646 | - | 三态 | 4.5V~5.5V | 56-TSSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 收发器,同相 | 2 | 8 | 24毫安,24毫安 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62157DV30L-55ZSI | 3.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY62157 | SRAM - 异步 | 2.2V~3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 8兆比特 | 55纳秒 | 静态随机存储器 | 512K×16 | 平行线 | 55纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C188-20VC | - | ![]() | 8710 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 32-BSOJ(0.300英寸,7.62毫米宽) | CY7C188 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 32-SOJ | 下载 | 不符合RoHS标准 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 288Kbit | 20纳秒 | 静态随机存储器 | 32K×9 | 平行线 | 20纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CG8406AA | 1.0000 | ![]() | 6570 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | - | 不适用 | 135 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL256P10FAI020 | 15.8700 | ![]() | 56 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-P | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 64-LBGA | S29GL256 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 64-FBGA (13x11) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | 可根据要求提供REACH信息 | 2832-S29GL256P10FAI020 | 3A991B1A | 8542.32.0050 | 32 | 非活跃性 | 256兆比特 | 100纳秒 | 闪光 | 16M×16 | CFI | 100纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C429-40VC | 16.3700 | ![]() | 2905 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CY7C | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 28-BSOJ(0.300英寸,7.62毫米宽) | 7C429 | 未验证 | 4.5V~5.5V | 28-SOJ | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 阿里 | 20兆赫兹 | 2K×9 | 40纳秒 | 35毫安 | 单向 | 深度、宽度 | 不 | 是的 | 不 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS5761ATT | - | ![]() | 2051 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP7203AT | - | ![]() | 3632 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1514AV18-200BZXI | 173.0800 | ![]() | 第348章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1514 | SRAM - 同步,QDR II | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (15x17) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×36 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1009B-15VCT | 1.3000 | ![]() | 400 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 32-BSOJ(0.300英寸,7.62毫米宽) | CY7C1009 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 32-SOJ | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 1兆比特 | 15纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×8 | 平行线 | 15纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1021V33-15ZIT | 3.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1021 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 1兆比特 | 15纳秒 | 静态随机存储器 | 64K×16 | 平行线 | 15纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1041DV33-10BVI | - | ![]() | 9790 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-VFBGA | CY7C1041 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 48-VFBGA (6x8) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4兆比特 | 10纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×16 | 平行线 | 10纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYV15G0103EQ-LXC | 31.7700 | ![]() | 88 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 视频 | 表面贴装 | 16-VQFN 裸露焊盘 | CYV15G0103 | 3.135V~3.465V | 16-QFN (4x4) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 5A991B1 | 8542.39.0001 | 10 | 串行 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1327B-100BGC | 4.3100 | ![]() | 第855章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 119-BGA | CY7C1327 | SRAM-同步、SDR | 3.15V~3.6V | 119-PBGA (14x22) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100兆赫 | 易挥发的 | 4.5兆比特 | 4.5纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×18 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8CTMA340-LQI-01 | 5.1500 | ![]() | 34 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 托盘 | 过时的 | 下载 | 不适用 | EAR99 | 8542.31.0001 | 59 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C243-55WC | 7.4500 | ![]() | 40 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | CY7C243 | EPROM-分区 | 4.5V~5.5V | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0061 | 1 | 非活跃性 | 32Kbit | 55纳秒 | EPROM | 4K×8 | 平行线 | - |

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