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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 当前-供应 | 输出类型 | SIC | 锁相环 | 输入 | 输出 | 电路数量 | 其中 - 输入:输出 | 分数 - 输入:输出 | 频率 - 最大 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 除法器/乘法器 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 元件数量 | 每个要素的补充 | 当前-产出高、低 | 功能 | 标准 | 输入/输出数量 | 核心处理器 | 核心尺寸 | 速度 | 连接性 | 周边设备 | 程序内存大小 | 程序存储器类型 | EEPROM大小 | 内存大小 | 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 协议 | 驱动器/接收器数量 | 复式 | 数据速率 | 界面 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 触发类型 | 最大传播延迟@V、最大CL | 电流 - 静态 (Iq) | 访QQT | 输入电容 | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 | SIC |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY7C1049BV33-15ZI | - | ![]() | 5103 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1049 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4兆比特 | 15纳秒 | 静态随机存储器 | 512K×8 | 平行线 | 15纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1370B-200AC | 15.9700 | ![]() | 24 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1370 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.6V | 100-TQFP (14x20) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 3纳秒 | 静态随机存储器 | 512K×36 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYDMX128B16-65BVXIKB | 7.9900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH 不出行 | 2156-CYDMX128B16-65BVXIKB-428 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C20236A-24LKXIKG | 1.5400 | ![]() | 第376章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | 未验证 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.31.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1021CV33-12ZSXE | - | ![]() | 9372 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1021 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 56 | 易挥发的 | 1兆比特 | 12纳秒 | 静态随机存储器 | 64K×16 | 平行线 | 12纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1046DV33-10VXI | 7.3400 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 32-BSOJ(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1046 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 32-SOJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 69 | 易挥发的 | 4兆比特 | 10纳秒 | 静态随机存储器 | 1M×4 | 平行线 | 10纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C68321C-56LTXC | 10.4000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | EZ-USB AT2LP™ | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃ | 56-VFQFN 裸露焊盘 | CY7C68321 | 50毫安 | 3.15V~3.45V | 56-QFN (8x8) | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 29 | 桥接器,USB转ATA | USB 2.0 | USB | ATA | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1049G-10ZSXI | 5.3400 | ![]() | 59 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1049 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 44-TSOP II | 下载 | 不符合RoHS标准 | 供应商未定义 | 2156-CY7C1049G-10ZSXI | 59 | 易挥发的 | 4兆比特 | 10纳秒 | 静态随机存储器 | 512K×8 | 平行线 | 10纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2DP818ZC-2T | 4.4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH旅行 | 2156-CY2DP818ZC-2T-428 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1354A-166AI | 7.6600 | ![]() | 152 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1354 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.465V | 100-TQFP (14x20) | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133兆赫 | 易挥发的 | 9兆比特 | 3.6纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×36 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYIFS784BSXC | - | ![]() | 3265 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 扩频时钟发生器 | CYIFS784 | 是,带旁路 | CMOS、TTL | CMOS、TTL | 1 | 1:1 | 否/否 | 82兆赫 | 3V~6V | 8-SOIC | 下载 | 否/是 | 符合ROHS3标准 | 第485章 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB9BF524MBGL-GE1 | - | ![]() | 2325 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FM3 MB9B520M | 大部分 | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 96-LFBGA | MB9BF524 | 96-FBGA (6x6) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 1 | 65 | ARM® Cortex®-M3 | 32位单核 | 72兆赫 | CAN总线、CSIO、I²C、LIN总线、UART/USART、USB | DMA、LVD、POR、PWM、WDT | 288KB(288K x 8) | 闪光 | - | 32K×8 | 2.7V~5.5V | 模数26x12b;模数2x10b | 内部的 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY74FCT374TQC | - | ![]() | 9324 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 74FCT | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 20-SSOP(0.154英寸,3.90毫米宽) | D型 | 三态,非食品 | 4.75V~5.25V | 20-SSOP | - | 不符合RoHS标准 | 供应商未定义 | 2156-CY74FCT374TQC-428 | 1 | 1 | 8 | 32毫安、64毫安 | 标准 | 正边沿着 | 10ns@5V,50pF | 200微安 | 5皮法 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7B933-JXI | 231.8000 | ![]() | 6502 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 热链接™ | 管子 | 的积极 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 28-LCC(J导联) | 接收者 | CY7B933 | 4.5V~5.5V | 28-PLCC (11.51x11.51) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2832-CY7B933-JXI | 74 | 光纤通道 | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C12631KV18-400BZI | 63.5600 | ![]() | 第329章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C12631 | SRAM - 同步,QDR II+ | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (13x15) | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 5 | 400兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 静态随机存储器 | 2M×18 | 平行线 | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C185-20VC | - | ![]() | 1994年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 28-BSOJ(0.300英寸,7.62毫米宽) | CY7C185 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 28-SOJ | 下载 | 不符合RoHS标准 | EAR99 | 8542.32.0041 | 27 | 易挥发的 | 64Kbit | 20纳秒 | 静态随机存储器 | 8K×8 | 平行线 | 20纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62256NLL-70SNXC | 5.9500 | ![]() | 6763 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 28-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | CY62256 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 28-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.32.0041 | 27 | 易挥发的 | 256Kbit | 70纳秒 | 静态随机存储器 | 32K×8 | 平行线 | 70纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1414SV18-200BZC | 59.1300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | CY7C1414 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C3246AXA-138 | - | ![]() | 7405 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC® 3 CY8C32xx | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY8C3246 | 100-TQFP (14x14) | - | 符合ROHS3标准 | 3A991A3 | 8542.31.0001 | 90 | 62 | 8051 | 8号 | 50兆赫 | EBI/EMI、I²C、LINbus、SPI、UART/USART、USB | CapSense、DMA、LCD、POR、PWM、WDT | 64KB(64K x 8) | 闪光 | 2K×8 | 8K×8 | 1.71V~5.5V | 模数16x12b;模数1x8b | 内部的 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62256LL-55SNI | 2.5000 | ![]() | 第824章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 28-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | SRAM - 异步 | 5V | 28-SOIC | - | 3277-CY62256LL-55SNI | EAR99 | 8542.32.0041 | 206 | 易挥发的 | 256Kbit | 静态随机存储器 | 32K×8 | 平行线 | 55纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2DL1510AZCKG | 9.9600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 32-TQFP | 扇出混乱(分配) | LVDS | LVDS | 1 | 2:10 | 是/是 | 1.5GHz | 2.375V~2.625V、3.135V~3.465V | 32-TQFP (7x7) | - | 2156-CY2DL1510AZCKG | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C0851V-133BBC | 39.5700 | ![]() | 第831章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 172-LBGA | CY7C0851 | SRAM - 双端口,同步 | 3.135V~3.465V | 172-FBGA (15x15) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133兆赫 | 易挥发的 | 2兆比特 | 静态随机存储器 | 64K×36 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1264XV18-450BZXC | 88.0400 | ![]() | 276 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1264 | SRAM - 同步,QDR II+ | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (13x15) | 下载 | 4 | 450兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 静态随机存储器 | 1M×36 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY14B101LA-BA25XI | 19.7900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-TFBGA | CY14B101 | NVSRAM(非易失性SRAM) | 2.7V~3.6V | 48-FBGA (6x10) | 下载 | 16 | 非活跃性 | 1兆比特 | 25纳秒 | 非静态随机仓库 | 128K×8 | 平行线 | 25纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62126DV30L-55ZI | 1.1600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY62126 | SRAM - 异步 | 2.2V~3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1兆比特 | 55纳秒 | 静态随机存储器 | 64K×16 | 平行线 | 55纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1386B-150AC | 14.5700 | ![]() | 第1281章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1386 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.6V | 100-TQFP (14x20) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 150兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 3.8纳秒 | 静态随机存储器 | 512K×36 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CG7444AF | - | ![]() | 9310 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML02G100BHB000 | - | ![]() | 第1345章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-1 | 托盘 | SIC停产 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 63-VFBGA | S34ML02 | NAND-NAND | 2.7V~3.6V | 63-BGA (11x9) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非活跃性 | 2Gbit | 闪光 | 256M×8 | 平行线 | 25纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C68301C-56PVXC | 5.5600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | EZ-USB AT2LP™ | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃ | 56-BSSOP(0.295英寸,7.50毫米宽) | CY7C68301 | 50毫安 | 3.15V~3.45V | 56-SSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 54 | 桥接器,USB转ATA | USB 2.0 | USB | ATA | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S70FL01GSDPMFV011 | - | ![]() | 4848 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FL-S | 管子 | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | S70FL01 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 16-SOIC | 下载 | 不符合RoHS标准 | 供应商未定义 | 2832-S70FL01GSDPMFV011 | 1 | 66兆赫 | 非活跃性 | 1Gbit | 闪光 | 128M×8 | SPI——四路I/O | - | 未验证 |

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