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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 输出类型 | SIC | 锁相环 | 主要目的 | 输入 | 输出 | 电路数量 | 其中 - 输入:输出 | 分数 - 输入:输出 | 频率 - 最大 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 除法器/乘法器 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 元件数量 | 每个要素的补充 | 当前-产出高、低 | 功能 | 输入/输出数量 | 数据速率 | 时钟频率 | 便捷型 | 宏单元数量 | 延迟T tpd(1) 顶部 | 电源电压 - 内部 | 逻辑元件/块的数量 | 内存类型 | 内存大小 | 触发类型 | 最大传播延迟@V、最大CL | 电流 - 静态 (Iq) | 访QQT | 电流 - 电源(最大) | 巴士定向 | 扩展型 | 最小标志支持 | 重传能力 | FWFT支持 | 输入电容 | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 | SIC |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S34MS01G200TFB003 | - | ![]() | 3181 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车、AEC-Q100、MS-2 | 卷带式 (TR) | SIC停产 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 48-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | S34MS01 | NAND-NAND | 1.7V~1.95V | 48-TSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 非活跃性 | 1Gbit | 45纳秒 | 闪光 | 128M×8 | 平行线 | 45纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C4241-10AXC | 17.3300 | ![]() | 第559章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CY7C | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 32-TQFP | 7C4241 | 4.5V~5.5V | 32-TQFP (7x7) | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.32.0071 | 18 | 同步化 | 100兆赫兹 | 36K(4K x 9) | 8纳秒 | 35毫安 | 单向 | 深度、宽度 | 是的 | 不 | 不 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C0851V-133AC | 35.9700 | ![]() | 131 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 176-LQFP | CY7C0851 | SRAM - 双端口,同步 | 3.135V~3.465V | 176-TQFP (24x24) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133兆赫 | 易挥发的 | 2兆比特 | 静态随机存储器 | 64K×36 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT162823CTPACT | 0.4000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 74FCT | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 56-TFSOP(0.240英寸,6.10毫米宽) | D型 | 74FCT162823 | 三态,非食品 | 4.5V~5.5V | 56-TSSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | 2 | 9 | 24毫安,24毫安 | 主复位 | 正边沿着 | 6ns@5V,50pF | 500微安 | 4.5pF | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY15B128Q-SXA | - | ![]() | 3854 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | F-RAM™ | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | CY15B128 | FRAM(铁电RAM) | 2V~3.6V | 8-SOIC | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 1 | 40兆赫 | 非活跃性 | 128Kbit | 铁电存储器 | 16K×8 | SPI | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY10E484-4DC | 84.0000 | ![]() | 第271章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0°C ~ 75°C (TA) | 通孔 | 28-CDIP(0.400英寸,10.16毫米) | CY10E484 | SRAM - 异步 | 4.94V~5.46V | 28-CDIP | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 16Kbit | 4纳秒 | 静态随机存储器 | 4K×4 | 平行线 | 4纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7B991V-5JXC | 13.2800 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 机器人时钟™ | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 32-LCC(J导联) | 故障/驱动器 | CY7B991 | 三态 | 左心室TTL | 1 | 8:8 | 是/否 | 80兆赫 | 2.97V~3.63V | 32-PLCC (11.43x13.97) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 23 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1020CV33-12ZC | - | ![]() | 8874 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1020 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 512Kbit | 12纳秒 | 静态随机存储器 | 32K×16 | 平行线 | 12纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25FL116K0XMFA013 | 1.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车、AEC-Q100、FL1-K | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30毫米宽) | S25FL116 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2832-S25FL116K0XMFA013-TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | 108兆赫 | 非活跃性 | 16兆比特 | 闪光 | 2M×8 | SPI——四路I/O | 3毫秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1615KV18-300BZXI | 274.2700 | ![]() | 104 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1615 | SRAM - 同步,QDR II | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (15x17) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 供应商未定义 | 可根据要求提供REACH信息 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 300兆赫 | 易挥发的 | 144兆比特 | 静态随机存储器 | 4M×36 | 平行线 | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML16G202BHI000 | - | ![]() | 3046 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 63-VFBGA | S34ML16 | 附件 - NAND (SLC) | 2.7V~3.6V | 63-BGA (11x9) | 下载 | 不适用 | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 210 | 非活跃性 | 16Gbit | 25纳秒 | 闪光 | 2G×8 | 平行线 | 25纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1373B-83BZC | 33.3300 | ![]() | 92 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 诺BL™ | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1373 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.6V | 165-FBGA (13x15) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 83兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 6纳秒 | 静态随机存储器 | 1M×18 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1020BN-12VXC | 2.7400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 44-BSOJ(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1020 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 44-SOJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 110 | 易挥发的 | 512Kbit | 12纳秒 | 静态随机存储器 | 32K×16 | 平行线 | 12纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY27H010-45ZC | 2.1300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 32-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | CY27H010 | EPROM-分区 | 4.5V~5.5V | 32-TSOP I | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 非活跃性 | 1兆比特 | 45纳秒 | EPROM | 128K×8 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | W132-10BX | 1.9300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 传播意识™ | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 24-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | 零延迟故障 | 是的 | 钟 | LVCMOS、LVTTL | 1 | 2:11 | 否/否 | 140兆赫 | 2.97V~3.63V | 24-TSSOP | 下载 | 否/否 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C371IL-66AC | - | ![]() | 4300 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 超逻辑™ | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 44-LQFP | 未验证 | 44-TQFP (10x10) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 32 | 系统内部可重编程™ (ISR™) | 32 | 15纳秒 | 4.75V~5.25V | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1351B-100BGC | 4.3100 | ![]() | 第359章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 119-BGA | CY7C1351 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.465V | 119-PBGA (14x22) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100兆赫 | 易挥发的 | 4.5兆比特 | 8.5纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×36 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8CTMA340-48LQI-01T | 5.4900 | ![]() | 143 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 过时的 | 下载 | 不适用 | EAR99 | 8542.31.0001 | 55 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS5854ATT | - | ![]() | 2275 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29PL064J70BAI120 | 8.2700 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PL-J | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-VFBGA | S29PL064 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 48-FBGA (8.15x6.15) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 2832-S29PL064J70BAI120 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 61 | 非活跃性 | 64兆比特 | 70纳秒 | 闪光 | 4M×16 | 平行线 | 70纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL128S90DHI020 | 2.8400 | ![]() | 2329 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-S | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 64-LBGA | S29GL128 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 64-FBGA (9x9) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2832-S29GL128S90DHI020 | 1 | 非活跃性 | 128Mbit | 90纳秒 | 闪光 | 8M×16 | 平行线 | 60纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY22381SXC-177T | 2.5400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 74FCT162374ATPACT | 1.0500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 74FCT | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-TFSOP(0.240英寸,6.10毫米宽) | D型 | 74FCT162374 | 三态,非食品 | 4.5V~5.5V | 48-TSSOP | 下载 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 | 8 | 24毫安,24毫安 | 标准 | 正边沿着 | - | 500微安 | 4.5pF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2077FZZKP | 6.1400 | ![]() | 172 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-CY2077FZZKP | 49 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C433-65AC | 10.3700 | ![]() | 62 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CY7C | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 32-TQFP | 7C433 | 未验证 | 4.5V~5.5V | 32-TQFP (7x7) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 阿里 | 12.5兆赫 | 4K×9 | 65纳秒 | 35毫安 | 单向 | 深度、宽度 | 不 | 是的 | 不 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY25200-ZXC010A | 1.1100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 16-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | 扩频时钟发生器 | 是,带旁路 | 时钟、水晶 | 钟 | 1 | 1:6 | 否/否 | 200兆赫 | 2.375V~2.625V、3.135V~3.465V | 16-TSSOP | - | 是/否 | 2156-CY25200-ZXC010A | 270 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1049CV33-12ZXC | - | ![]() | 2825 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1049 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4兆比特 | 12纳秒 | 静态随机存储器 | 512K×8 | 平行线 | 12纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1314BV18-250BZC | 34.9600 | ![]() | 100 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1314 | SRAM - 同步,QDR II | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (13x15) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | 250兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 静态随机存储器 | 512K×36 | 平行线 | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY25404ZXI010KO | 8.3700 | ![]() | 第445章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 20-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | 扩频时钟发生器 | 是的 | 时钟、水晶 | 钟 | 1 | 1:9 | 否/否 | 166兆赫 | 2.25V~3.6V | 20-TSSOP | - | 是/否 | 2156-CY25404ZXI010KO | 36 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY29976AI | 7.8100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 52-LQFP | CY29976 | 是的 | CPU英特尔服务器 | 聚B二醇 | 钟 | 1 | 3:12 | 是/否 | 125兆赫 | 2.97V~3.63V | 52-TQFP (10x10) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | EAR99 | 8542.39.0001 | 39 | 未验证 |

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