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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 应用领域 | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 当前-供应 | 输出类型 | SIC | 锁相环 | 输入 | 输出 | 电路数量 | 其中 - 输入:输出 | 分数 - 输入:输出 | 频率 - 最大 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 除法器/乘法器 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 元件数量 | 每个要素的补充 | 当前-产出高、低 | 功能 | 标准 | 输入/输出数量 | 核心处理器 | 核心尺寸 | 速度 | 连接性 | 周边设备 | 程序内存大小 | 程序存储器类型 | EEPROM大小 | 内存大小 | 电压 - 电源 (Vcc/Vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 协议 | 数据速率 | 界面 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 触发类型 | 最大传播延迟@V、最大CL | 电流 - 静态 (Iq) | 访QQT | 电流 - 电源(最大) | 巴士定向 | 扩展型 | 最小标志支持 | 重传能力 | FWFT支持 | 输入电容 | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 | SIC |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY7C1021D-10ZSXA | 4.4800 | ![]() | 670 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1021 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 44-TSOP II | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 67 | 易挥发的 | 1兆比特 | 10纳秒 | 静态随机存储器 | 64K×16 | 平行线 | 10纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1021DV33-10ZSKI | 1.9100 | ![]() | 273 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH 不出行 | 2156-CY7C1021DV33-10ZSKI-428 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C65621-56LTXC | - | ![]() | 9092 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | EZ-USB HX2LP™ | 托盘 | 的积极 | 0℃~70℃ | 56-VFQFN 裸露焊盘 | CY7C65621 | - | 3.15V~3.45V | 56-QFN (8x8) | 下载 | 1 | 集线器控制器 | USB 2.0 | USB | USB | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C0830AV-133AC | 62.4000 | ![]() | 73 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 120-LQFP | CY7C0830 | SRAM - 双端口,同步 | 3.135V~3.465V | 120-TQFP (14x14) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133兆赫 | 易挥发的 | 1.152Mbit | 静态随机存储器 | 64K×18 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C27443-24PXI | - | ![]() | 3067 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®1 CY8C27xxx | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 通孔 | 28-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | CY8C27443 | 28-PDIP | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.31.0001 | 15 | 24 | M8C | 8号 | 24兆赫 | I²C、SPI、UART/USART | 上电复位、脉宽调制、看门狗定时器 | 16KB(16K x 8) | 闪光 | - | 256×8 | 3V~5.25V | 模数转换器4x14b;数模4x9b | 内部的 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1020B-12VC | 2.2700 | ![]() | 第254章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 44-BSOJ(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1020 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 44-SOJ | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 512Kbit | 12纳秒 | 静态随机存储器 | 32K×16 | 平行线 | 12纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8CTMA140-LQI-09 | 4.3200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 托盘 | 过时的 | 下载 | 不适用 | EAR99 | 8542.31.0001 | 70 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY74FCT16823ATPAC | 0.7800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 74FCT | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 56-TFSOP(0.240英寸,6.10毫米宽) | D型 | 74FCT16823 | 三态,非食品 | 4.5V~5.5V | 56-TSSOP | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 | 9 | 32毫安 | 标准 | 正边沿着 | 20ns@5V,300pF | 500微安 | 4.5pF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62148BLL-70SCT | 2.0100 | ![]() | 2334 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 32-SOIC(0.445英寸,11.30毫米宽) | CY62148 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 32-SOIC | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4兆比特 | 70纳秒 | 静态随机存储器 | 512K×8 | 平行线 | 70纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C263-35WM | 37.7900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55℃~125℃(TA) | CY7C263 | EPROM-分区 | 4.5V~5.5V | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 非活跃性 | 64Kbit | 35纳秒 | EPROM | 8K×8 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1021CV33-10ZXC | 1.7400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 包 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 44-TSOP(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY7C1021 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 173 | 易挥发的 | 1兆比特 | 10纳秒 | 静态随机存储器 | 64K×16 | 平行线 | 10纳秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY23FS04ZXI-4 | 7.8700 | ![]() | 200 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 故障安全™ | 管子 | 过时的 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 16-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | 扇出分配、多路复用器、零延迟缓冲 | CY23FS04 | 是,带旁路 | LVCMOS、LVTTL、晶体 | LVCMOS | 1 | 3:4 | 否/否 | 166.7兆赫 | 2.5V、3.3V | 16-TSSOP | - | 否/否 | 不适用 | 39 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1320BV18-200BZC | 33.5100 | ![]() | 第523章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1320 | SRAM-同步、DDR II | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (13x15) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | 200兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 静态随机存储器 | 512K×36 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMIC9827JTT | 3.1500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1313CV18-200BZXI | 31.9200 | ![]() | 246 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1313 | SRAM - 同步,QDR II | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (13x15) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 10 | 200兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 静态随机存储器 | 1M×18 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML02G200TFB000 | - | ![]() | 5955 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 汽车、AEC-Q100、ML-2 | 托盘 | SIC停产 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 48-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | S34ML02 | NAND-NAND | 2.7V~3.6V | 48-TSOP | - | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非活跃性 | 2Gbit | 闪光 | 256M×8 | 平行线 | 25纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FM24V10-GTR | 22.8700 | ![]() | 995 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | F-RAM™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | FM24V10 | FRAM(铁电RAM) | 2V~3.6V | 8-SOIC | 下载 | 22 | 3.4兆赫 | 非活跃性 | 1兆比特 | 130纳秒 | 铁电存储器 | 128K×8 | I²C | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1011CV33-12AC | 3.2200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 44-LQFP | CY7C1011 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 44-TQFP (10x10) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 2兆比特 | 12纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×16 | 平行线 | 12纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C4014LQI-422T | - | ![]() | 4023 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC® 4 CY8C4000 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 24-UFQFN 裸露焊盘 | CY8C4014 | 24-QFN (4x4) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 供应商未定义 | 2832-CY8C4014LQI-422TTR | 1 | 20 | ARM® Cortex®-M0 | 32位单核 | 16兆赫 | I²C | 欠压检测/复位、POR、PWM、WDT | 16KB(16K x 8) | 闪光 | - | 2K×8 | 1.71V~5.5V | 数模1x7b、1x8b | 内部的 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYM1846PM-15C | 133.3300 | ![]() | 第291章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 店铺 | 72-SIMM | CYM1846 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 72-SIMM | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8473.30.1140 | 1 | 易挥发的 | 16兆比特 | 15纳秒 | 静态随机存储器 | 512K×32 | 平行线 | 15纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CYV15G0103EQ-LXC | 31.7700 | ![]() | 88 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 视频 | 表面贴装 | 16-VQFN 裸露焊盘 | CYV15G0103 | 3.135V~3.465V | 16-QFN (4x4) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 5A991B1 | 8542.39.0001 | 10 | 串行 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C429-20JXC | 6.2400 | ![]() | 183 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CY7C | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 32-LCC(J导联) | 7C429 | 4.5V~5.5V | 32-PLCC (11.43x13.97) | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.32.0071 | 49 | 阿里 | 50兆赫 | 18K(2K×9) | 20纳秒 | 55毫安 | 单向 | 深度、宽度 | 不 | 是的 | 不 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C419-15VC | 1.5000 | ![]() | 650 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CY7C | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 28-BSOJ(0.300英寸,7.62毫米宽) | 7C419 | 未验证 | 4.5V~5.5V | 28-SOJ | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 同步化 | 40兆赫兹 | 256×9 | 15纳秒 | 65毫安 | 单向 | 深度、宽度 | 是的 | 不 | 不 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62167DV18LL-55BVI | 4.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-VFBGA | CY62167 | SRAM - 异步 | 1.65V~2.25V | 48-VFBGA (8x9.5) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 16兆比特 | 55纳秒 | 静态随机存储器 | 1M×16 | 平行线 | 55纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34MS02G104BHV010 | - | ![]() | 8902 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-1 | 托盘 | SIC停产 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 63-VFBGA | S34MS02 | NAND-NAND | 1.7V~1.95V | 63-BGA (11x9) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | 非活跃性 | 2Gbit | 45纳秒 | 闪光 | 128M×16 | 平行线 | 45纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1370BV25-150BGC | 40.8000 | ![]() | 115 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 119-BGA | CY7C1370 | SRAM-同步、SDR | 2.375V~2.625V | 119-PBGA (14x22) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 150兆赫 | 易挥发的 | 18兆比特 | 3.8纳秒 | 静态随机存储器 | 512K×36 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL512T11DHB020 | 2000年26月 | ![]() | 3799 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-T | 托盘 | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 64-LBGA | S29GL512 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 64-FBGA (9x9) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2832-S29GL512T11DHB020 | 1 | 非活跃性 | 512兆比特 | 110纳秒 | 闪光 | 64M×8 | 平行线 | 60纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C187-35VXC | 1.7300 | ![]() | 969 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 24-BSOJ(0.300英寸,7.62毫米宽) | CY7C187 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 24-SOJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 64Kbit | 35纳秒 | 静态随机存储器 | 64K×1 | 平行线 | 35纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS4935AA | - | ![]() | 5534 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2292ASI-020T | 3.6700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 时钟发生器 | 是的 | CMOS、晶体 | 互补金属O化物半导体 | 1 | 1:6 | 否/否 | - | 3V~3.6V、4.5V~5.5V | 16-SOIC | - | 是/否 | 2156-CY2292ASI-020T | 82 |

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