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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 当前-供应 | 锁相环 | 输入 | 输出 | 电路数量 | 其中 - 输入:输出 | 分数 - 输入:输出 | 频率 - 最大 | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | 除法器/乘法器 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 功能 | 标准 | 协议 | 数据速率 | 界面 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QQT | 电流 - 电源(最大) | 巴士定向 | 扩展型 | 最小标志支持 | 重传能力 | FWFT支持 | 内存格式 | 记忆组织 | 内存接口 | 周期写入T - 字、页 | SIC |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY14V101LA-BA45XI | 16.3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 48-TFBGA | CY14V101 | NVSRAM(非易失性SRAM) | 2.7V~3.6V | 48-FBGA (6x10) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 24 | 非活跃性 | 1兆比特 | 45纳秒 | 非静态随机仓库 | 128K×8 | 平行线 | 45纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C4221-15AXC | 11.3500 | ![]() | 185 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CY7C | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃ | 表面贴装 | 32-TQFP | 7C4221 | 4.5V~5.5V | 32-TQFP (7x7) | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8542.32.0071 | 27号 | 同步化 | 66.7兆赫 | 9K(1K×9) | 10纳秒 | 35毫安 | 单向 | 深度、宽度 | 是的 | 不 | 不 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C09289V-12AC | 52.4000 | ![]() | 816 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 包 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C09289 | SRAM - 双端口,同步 | 3V~3.6V | 100-TQFP (14x14) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | 50兆赫 | 易挥发的 | 1兆比特 | 12纳秒 | 静态随机存储器 | 64K×16 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2DL814ZXIT | 5.7100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 康林™ | 大部分 | 过时的 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 16-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | 扇出混乱(分配) | CY2DL814 | LVDS、LVPECL、LVTTL | LVDS | 1 | 1:4 | 是/是 | 400兆赫 | 3.135V~3.465V | 16-TSSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 53 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C65210-24LTXI | 2.0000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 的积极 | -40℃~85℃ | 24-UFQFN 裸露焊盘 | CY7C65210 | 20毫安 | 1.71V~5.5V | 24-QFN (4x4) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2832-CY7C65210-24LTXI | 250 | 控制器 | USB 2.0 | USB | I²C | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2302SXC-1KA | 3.1700 | ![]() | 第455章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | 倍频器、零延迟故障 | 是的 | LVCMOS、LVTTL | LVCMOS | 1 | 1:2 | 否/否 | 133兆赫 | 3.135V~3.465V、4.5V~5.5V | 8-SOIC | - | 是/是 | 2156-CY2302SXC-1KA | 95 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S34MS02G200BHV003 | - | ![]() | 5031 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MS-2 | 卷带式 (TR) | SIC停产 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 63-VFBGA | S34MS02 | NAND-NAND | 1.7V~1.95V | 63-BGA (11x9) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 非活跃性 | 2Gbit | 45纳秒 | 闪光 | 256M×8 | 平行线 | 45纳秒 | |||||||||||||||||||||||||
| CY7C1470BV33-167AXI | 175.1700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 诺BL™ | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1470 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.6V | 100-TQFP (14x20) | 下载 | 1 | 167兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 3.4纳秒 | 静态随机存储器 | 2M×36 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C187-35VXC | 1.7300 | ![]() | 969 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 24-BSOJ(0.300英寸,7.62毫米宽) | CY7C187 | SRAM - 异步 | 4.5V~5.5V | 24-SOJ | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 64Kbit | 35纳秒 | 静态随机存储器 | 64K×1 | 平行线 | 35纳秒 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1512V18-167BZC | 161.7800 | ![]() | 83 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1512 | SRAM - 同步,QDR II | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (15x17) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 | 167兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 4M×18 | 平行线 | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY2DP818ZC-2T | 4.4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH旅行 | 2156-CY2DP818ZC-2T-428 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S70FL01GSDPMFV010 | 28.8600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FL-S | 托盘 | 的积极 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | S70FL01 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 16-SOIC | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 不适用 | 供应商未定义 | 2832-S70FL01GSDPMFV010 | 3A991B1A | 8542.32.0050 | 18 | 66兆赫 | 非活跃性 | 1Gbit | 闪光 | 128M×8 | SPI——四路I/O | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | S25FL132K0XBHI030 | 0.7400 | ![]() | 第676章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FL1-K | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 24-TBGA | S25FL132 | 或-NOR | 2.7V~3.6V | 24-BGA (6x8) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 1 | 108兆赫 | 非活跃性 | 32兆比特 | 闪光 | 4M×8 | SPI——四路I/O | 3毫秒 | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1523AV18-200BZC | 138.4600 | ![]() | 155 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1523 | SRAM-同步、DDR II | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (15x17) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 4M×18 | 平行线 | - | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1357C-100AXCT | 9.8900 | ![]() | 750 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 诺BL™ | 大部分 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1357 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.6V | 100-TQFP (14x20) | 下载 | 不适用 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 31 | 100兆赫 | 易挥发的 | 9兆比特 | 7.5纳秒 | 静态随机存储器 | 512K×18 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | S34ML04G200TFB000 | - | ![]() | 4765 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | ML-2 | 托盘 | SIC停产 | -40℃~105℃(TA) | 表面贴装 | 48-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) | S34ML04 | NAND-NAND | 2.7V~3.6V | 48-TSOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非活跃性 | 4G比特 | 闪光 | 512米×8 | 平行线 | 25纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C057V-15BBC | - | ![]() | 6372 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 172-LBGA | CY7C057 | SRAM - 双端口,异步 | 3V~3.6V | 172-FBGA (15x15) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 126 | 易挥发的 | 1.152Mbit | 15纳秒 | 静态随机存储器 | 32K×36 | 平行线 | 15纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1270KV18-400BZXI | 55.6400 | ![]() | 390 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C1270 | SRAM - 同步、DDR II+ | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (13x15) | 下载 | 6 | 400兆赫 | 易挥发的 | 36兆比特 | 静态随机存储器 | 1M×36 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STK11C68-5L55M | - | ![]() | 6545 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55℃~125℃(TA) | 表面贴装 | 28-LCC | STK11C68 | NVSRAM(非易失性SRAM) | 4.5V~5.5V | 28-LCC (13.97x8.89) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 68 | 非活跃性 | 64Kbit | 55纳秒 | 非静态随机仓库 | 8K×8 | 平行线 | 55纳秒 | 未验证 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62167EV18LL-558VXI | 10.6700 | ![]() | 650 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY22394FXI | 7.3400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 16-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | 时钟发生器,扇出分布 | CY22394 | 是,带旁路 | LVTTL、晶体 | CMOS、PECL | 1 | 1:5 | 否/是 | 166兆赫、375兆赫 | 3.135V~3.465V | 16-TSSOP | 下载 | 是/否 | 41 | 已验证 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C09199V-7AXC | 40.1500 | ![]() | 269 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C09199 | SRAM - 双端口,同步 | 3V~3.6V | 100-TQFP (14x14) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 8 | 83兆赫 | 易挥发的 | 1.152Mbit | 7.5纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×9 | 平行线 | - | 未验证 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | STK12C68-SF25 | 50.6700 | ![]() | 第748章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 28-SOIC(0.342英寸,8.69毫米宽) | STK12C68 | NVSRAM(非易失性SRAM) | 4.5V~5.5V | 28-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2832-STK12C68-SF25 | EAR99 | 8542.32.0041 | 10 | 非活跃性 | 64Kbit | 25纳秒 | 非静态随机仓库 | 8K×8 | 平行线 | 25纳秒 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1360A-200AC | 6.5900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 100-LQFP | CY7C1360 | SRAM-同步、SDR | 3.135V~3.6V | 100-TQFP (14x20) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200兆赫 | 易挥发的 | 9兆比特 | 3纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×36 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1018CV33-12VIT | 1.3400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 32-BSOJ(0.300英寸,7.62毫米宽) | CY7C1018 | SRAM - 异步 | 3V~3.6V | 32-SOJ | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 1兆比特 | 12纳秒 | 静态随机存储器 | 128K×8 | 平行线 | 12纳秒 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CY10E422-7DC | 7.9400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 通孔 | 24-CDIP(0.400英寸,10.16毫米) | CY10E422 | SRAM - 异步 | 4.94V~5.46V | 24-SBDIP | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 1Kbit | 7纳秒 | 静态随机存储器 | 256×4 | 平行线 | 7纳秒 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62138CV30LL-55BVIT | 1.3600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MoBL® | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 36-VFBGA | CY62138 | SRAM - 异步 | 2.7V~3.3V | 36-VFBGA (6x8) | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 易挥发的 | 2兆比特 | 55纳秒 | 静态随机存储器 | 256K×8 | 平行线 | 55纳秒 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CY27C256A-120WC | - | ![]() | 8477 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 通孔 | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) 窗口 | CY27C256 | EPROM-分区 | 4.5V~5.5V | 28-CerDip | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | EAR99 | 8542.32.0061 | 1 | 非活跃性 | 256Kbit | 120纳秒 | EPROM | 32K×8 | 平行线 | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C0850AV-167BBC | 137.2800 | ![]() | 第374章 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | 0℃~70℃(TA) | 表面贴装 | 172-LBGA | CY7C0850 | SRAM - 双端口 | 3.135V~3.465V | 172-FBGA (15x15) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 3(168小时) | REACH旅行 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167兆赫 | 易挥发的 | 1兆比特 | 4纳秒 | 静态随机存储器 | 32K×36 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C25632KV18-550BZXI | 355.5400 | ![]() | 157 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 85°C (TA) | 表面贴装 | 165-LBGA | CY7C25632 | SRAM - 同步,QDR II+ | 1.7V~1.9V | 165-FBGA (13x15) | 下载 | 1 | 550兆赫 | 易挥发的 | 72兆比特 | 静态随机存储器 | 4M×18 | 平行线 | - | 未验证 |

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