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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 类型 基本产品编号 技术 当前-供应 锁相环 输入 输出 电路数量 其中 - 输入:输出 分数 - 输入:输出 频率 - 最大 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 除法器/乘法器 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 标准 协议 数据速率 界面 时钟频率 内存类型 内存大小 访QQT 电流 - 电源(最大) 巴士定向 扩展型 最小标志支持 重传能力 FWFT支持 内存格式 记忆组织 内存接口 周期写入T - 字、页 SIC
CY14V101LA-BA45XI Cypress Semiconductor Corp CY14V101LA-BA45XI 16.3800
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ECAD 1 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 48-TFBGA CY14V101 NVSRAM(非易失性SRAM) 2.7V~3.6V 48-FBGA (6x10) 下载 符合ROHS3标准 24 非活跃性 1兆比特 45纳秒 非静态随机仓库 128K×8 平行线 45纳秒 未验证
CY7C4221-15AXC Cypress Semiconductor Corp CY7C4221-15AXC 11.3500
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ECAD 185 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 CY7C 托盘 过时的 0℃~70℃ 表面贴装 32-TQFP 7C4221 4.5V~5.5V 32-TQFP (7x7) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8542.32.0071 27号 同步化 66.7兆赫 9K(1K×9) 10纳秒 35毫安 单向 深度、宽度 是的 未验证
CY7C09289V-12AC Cypress Semiconductor Corp CY7C09289V-12AC 52.4000
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ECAD 816 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 过时的 0℃~70℃(TA) 表面贴装 100-LQFP CY7C09289 SRAM - 双端口,同步 3V~3.6V 100-TQFP (14x14) 下载 不符合 RoHS 指令 3A991B2B 8542.32.0041 6 50兆赫 易挥发的 1兆比特 12纳秒 静态随机存储器 64K×16 平行线 - 未验证
CY2DL814ZXIT Cypress Semiconductor Corp CY2DL814ZXIT 5.7100
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ECAD 4 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 康林™ 大部分 过时的 -40℃~85℃ 表面贴装 16-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) 扇出混乱(分配) CY2DL814 LVDS、LVPECL、LVTTL LVDS 1 1:4 是/是 400兆赫 3.135V~3.465V 16-TSSOP 下载 符合ROHS3标准 53
CY7C65210-24LTXI Cypress Semiconductor Corp CY7C65210-24LTXI 2.0000
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ECAD 4 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 托盘 的积极 -40℃~85℃ 24-UFQFN 裸露焊盘 CY7C65210 20毫安 1.71V~5.5V 24-QFN (4x4) 下载 符合ROHS3标准 2832-CY7C65210-24LTXI 250 控制器 USB 2.0 USB I²C 未验证
CY2302SXC-1KA Cypress Semiconductor Corp CY2302SXC-1KA 3.1700
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ECAD 第455章 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 过时的 0℃~70℃(TA) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 倍频器、零延迟故障 是的 LVCMOS、LVTTL LVCMOS 1 1:2 否/否 133兆赫 3.135V~3.465V、4.5V~5.5V 8-SOIC - 是/是 2156-CY2302SXC-1KA 95
S34MS02G200BHV003 Cypress Semiconductor Corp S34MS02G200BHV003 -
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ECAD 5031 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 MS-2 卷带式 (TR) SIC停产 -40℃~105℃(TA) 表面贴装 63-VFBGA S34MS02 NAND-NAND 1.7V~1.95V 63-BGA (11x9) 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 3A991B1A 8542.32.0071 2,300 非活跃性 2Gbit 45纳秒 闪光 256M×8 平行线 45纳秒
CY7C1470BV33-167AXI Cypress Semiconductor Corp CY7C1470BV33-167AXI 175.1700
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ECAD 3 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 诺BL™ 大部分 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 100-LQFP CY7C1470 SRAM-同步、SDR 3.135V~3.6V 100-TQFP (14x20) 下载 1 167兆赫 易挥发的 72兆比特 3.4纳秒 静态随机存储器 2M×36 平行线 - 未验证
CY7C187-35VXC Cypress Semiconductor Corp CY7C187-35VXC 1.7300
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ECAD 969 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 的积极 0℃~70℃(TA) 表面贴装 24-BSOJ(0.300英寸,7.62毫米宽) CY7C187 SRAM - 异步 4.5V~5.5V 24-SOJ 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) 供应商未定义 EAR99 8542.32.0041 1 易挥发的 64Kbit 35纳秒 静态随机存储器 64K×1 平行线 35纳秒
CY7C1512V18-167BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C1512V18-167BZC 161.7800
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ECAD 83 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 托盘 过时的 0℃~70℃(TA) 表面贴装 165-LBGA CY7C1512 SRAM - 同步,QDR II 1.7V~1.9V 165-FBGA (15x17) 下载 不符合 RoHS 指令 3A991B2A 8542.32.0041 2 167兆赫 易挥发的 72兆比特 静态随机存储器 4M×18 平行线 - 未验证
CY2DP818ZC-2T Cypress Semiconductor Corp CY2DP818ZC-2T 4.4600
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ECAD 2 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH旅行 2156-CY2DP818ZC-2T-428 1
S70FL01GSDPMFV010 Cypress Semiconductor Corp S70FL01GSDPMFV010 28.8600
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ECAD 2 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 FL-S 托盘 的积极 -40℃~105℃(TA) 表面贴装 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) S70FL01 或-NOR 2.7V~3.6V 16-SOIC 下载 不符合 RoHS 指令 不适用 供应商未定义 2832-S70FL01GSDPMFV010 3A991B1A 8542.32.0050 18 66兆赫 非活跃性 1Gbit 闪光 128M×8 SPI——四路I/O - 未验证
S25FL132K0XBHI030 Cypress Semiconductor Corp S25FL132K0XBHI030 0.7400
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ECAD 第676章 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 FL1-K 托盘 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 24-TBGA S25FL132 或-NOR 2.7V~3.6V 24-BGA (6x8) 下载 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 1 108兆赫 非活跃性 32兆比特 闪光 4M×8 SPI——四路I/O 3毫秒 未验证
CY7C1523AV18-200BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C1523AV18-200BZC 138.4600
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ECAD 155 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 托盘 过时的 0℃~70℃(TA) 表面贴装 165-LBGA CY7C1523 SRAM-同步、DDR II 1.7V~1.9V 165-FBGA (15x17) 下载 不符合 RoHS 指令 3A991B2A 8542.32.0041 105 200兆赫 易挥发的 72兆比特 静态随机存储器 4M×18 平行线 - 未验证
CY7C1357C-100AXCT Cypress Semiconductor Corp CY7C1357C-100AXCT 9.8900
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ECAD 750 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 诺BL™ 大部分 过时的 0℃~70℃(TA) 表面贴装 100-LQFP CY7C1357 SRAM-同步、SDR 3.135V~3.6V 100-TQFP (14x20) 下载 不适用 3A991B2A 8542.32.0041 31 100兆赫 易挥发的 9兆比特 7.5纳秒 静态随机存储器 512K×18 平行线 - 未验证
S34ML04G200TFB000 Cypress Semiconductor Corp S34ML04G200TFB000 -
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ECAD 4765 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 ML-2 托盘 SIC停产 -40℃~105℃(TA) 表面贴装 48-TFSOP(0.724英寸,18.40毫米宽) S34ML04 NAND-NAND 2.7V~3.6V 48-TSOP 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 3A991B1A 8542.32.0071 96 非活跃性 4G比特 闪光 512米×8 平行线 25纳秒
CY7C057V-15BBC Cypress Semiconductor Corp CY7C057V-15BBC -
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ECAD 6372 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 托盘 过时的 0℃~70℃(TA) 表面贴装 172-LBGA CY7C057 SRAM - 双端口,异步 3V~3.6V 172-FBGA (15x15) 下载 不符合 RoHS 指令 3A991B2A 8542.32.0041 126 易挥发的 1.152Mbit 15纳秒 静态随机存储器 32K×36 平行线 15纳秒 未验证
CY7C1270KV18-400BZXI Cypress Semiconductor Corp CY7C1270KV18-400BZXI 55.6400
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ECAD 390 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 165-LBGA CY7C1270 SRAM - 同步、DDR II+ 1.7V~1.9V 165-FBGA (13x15) 下载 6 400兆赫 易挥发的 36兆比特 静态随机存储器 1M×36 平行线 - 未验证
STK11C68-5L55M Cypress Semiconductor Corp STK11C68-5L55M -
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ECAD 6545 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 管子 过时的 -55℃~125℃(TA) 表面贴装 28-LCC STK11C68 NVSRAM(非易失性SRAM) 4.5V~5.5V 28-LCC (13.97x8.89) 下载 不符合 RoHS 指令 3A001A2C 8542.32.0041 68 非活跃性 64Kbit 55纳秒 非静态随机仓库 8K×8 平行线 55纳秒 未验证
CY62167EV18LL-558VXI Cypress Semiconductor Corp CY62167EV18LL-558VXI 10.6700
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ECAD 650 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 * 大部分 的积极 - 不适用 3(168小时) 供应商未定义 3A991B2A 8542.32.0041 1
CY22394FXI Cypress Semiconductor Corp CY22394FXI 7.3400
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ECAD 3 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 16-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) 时钟发生器,扇出分布 CY22394 是,带旁路 LVTTL、晶体 CMOS、PECL 1 1:5 否/是 166兆赫、375兆赫 3.135V~3.465V 16-TSSOP 下载 是/否 41 已验证
CY7C09199V-7AXC Cypress Semiconductor Corp CY7C09199V-7AXC 40.1500
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ECAD 269 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 托盘 过时的 0℃~70℃(TA) 表面贴装 100-LQFP CY7C09199 SRAM - 双端口,同步 3V~3.6V 100-TQFP (14x14) 下载 符合ROHS3标准 3A991B2A 8542.32.0041 8 83兆赫 易挥发的 1.152Mbit 7.5纳秒 静态随机存储器 128K×9 平行线 - 未验证
STK12C68-SF25 Cypress Semiconductor Corp STK12C68-SF25 50.6700
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ECAD 第748章 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 管子 过时的 0℃~70℃(TA) 表面贴装 28-SOIC(0.342英寸,8.69毫米宽) STK12C68 NVSRAM(非易失性SRAM) 4.5V~5.5V 28-SOIC 下载 符合ROHS3标准 2832-STK12C68-SF25 EAR99 8542.32.0041 10 非活跃性 64Kbit 25纳秒 非静态随机仓库 8K×8 平行线 25纳秒
CY7C1360A-200AC Cypress Semiconductor Corp CY7C1360A-200AC 6.5900
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ECAD 1 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 的积极 0℃~70℃(TA) 表面贴装 100-LQFP CY7C1360 SRAM-同步、SDR 3.135V~3.6V 100-TQFP (14x20) 下载 不符合 RoHS 指令 3(168小时) REACH旅行 3A991B2A 8542.32.0041 1 200兆赫 易挥发的 9兆比特 3纳秒 静态随机存储器 256K×36 平行线 -
CY7C1018CV33-12VIT Cypress Semiconductor Corp CY7C1018CV33-12VIT 1.3400
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ECAD 10 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 32-BSOJ(0.300英寸,7.62毫米宽) CY7C1018 SRAM - 异步 3V~3.6V 32-SOJ 下载 不适用 3(168小时) 供应商未定义 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 易挥发的 1兆比特 12纳秒 静态随机存储器 128K×8 平行线 12纳秒
CY10E422-7DC Cypress Semiconductor Corp CY10E422-7DC 7.9400
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ECAD 15 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 的积极 0℃~70℃(TA) 通孔 24-CDIP(0.400英寸,10.16毫米) CY10E422 SRAM - 异步 4.94V~5.46V 24-SBDIP 下载 不适用 3(168小时) 供应商未定义 EAR99 8542.32.0041 1 易挥发的 1Kbit 7纳秒 静态随机存储器 256×4 平行线 7纳秒
CY62138CV30LL-55BVIT Cypress Semiconductor Corp CY62138CV30LL-55BVIT 1.3600
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ECAD 4 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 MoBL® 大部分 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 36-VFBGA CY62138 SRAM - 异步 2.7V~3.3V 36-VFBGA (6x8) 下载 不适用 3(168小时) 供应商未定义 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 易挥发的 2兆比特 55纳秒 静态随机存储器 256K×8 平行线 55纳秒
CY27C256A-120WC Cypress Semiconductor Corp CY27C256A-120WC -
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ECAD 8477 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 的积极 0℃~70℃(TA) 通孔 28-CDIP (0.600", 15.24mm) 窗口 CY27C256 EPROM-分区 4.5V~5.5V 28-CerDip 下载 不符合 RoHS 指令 3(168小时) REACH旅行 EAR99 8542.32.0061 1 非活跃性 256Kbit 120纳秒 EPROM 32K×8 平行线 -
CY7C0850AV-167BBC Cypress Semiconductor Corp CY7C0850AV-167BBC 137.2800
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ECAD 第374章 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 的积极 0℃~70℃(TA) 表面贴装 172-LBGA CY7C0850 SRAM - 双端口 3.135V~3.465V 172-FBGA (15x15) 下载 不符合 RoHS 指令 3(168小时) REACH旅行 3A991B2A 8542.32.0041 1 167兆赫 易挥发的 1兆比特 4纳秒 静态随机存储器 32K×36 平行线 -
CY7C25632KV18-550BZXI Cypress Semiconductor Corp CY7C25632KV18-550BZXI 355.5400
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ECAD 157 0.00000000 赛普拉斯半导体公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 85°C (TA) 表面贴装 165-LBGA CY7C25632 SRAM - 同步,QDR II+ 1.7V~1.9V 165-FBGA (13x15) 下载 1 550兆赫 易挥发的 72兆比特 静态随机存储器 4M×18 平行线 - 未验证
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