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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 电流 -供应 | sic可编程 | 电路数 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 逻辑类型 | 电流 -输出高,低,低 | 输入数量 | i/o的数量 | 核心处理器 | 核心大小 | 速度 | 连接性 | 外围设备 | 程序内存大小 | 程序内存类型 | EEPROM大小 | ram大小 | 电压 -电源( -vcc/vdd) | 数据转换器 | 振荡器类型 | 界面 | 时钟频率 | 接近检测 | 解决 | LED驾驶员通道 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | sic可编程 |
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![]() | CG8406AA | 1.0000 | ![]() | 6570 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | - | 不适用 | 135 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1423JV18-267BZXC | 59.0000 | ![]() | 458 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1423 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 267 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C74-40PC | - | ![]() | 6840 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | 7C74 | 未行业行业经验证 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1021BN-15ZXC | 2.0300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1021 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 148 | 易挥发的 | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 15ns | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PY7C1049CV33-15ZC | - | ![]() | 1562 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62256L-70NXCT | 0.9500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP7052BT | - | ![]() | 4326 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C2268XV18-600BZXC | 110.9200 | ![]() | 248 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C2268 | sram-同步,DDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 1 | 600 MHz | 易挥发的 | 36mbit | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY14B101L-SZ35XC | 18.0500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.295(7.50mm) | CY14B101 | NVSRAM(SRAM) | 2.7V〜3.6V | 32-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 17 | 非易失性 | 1Mbit | 35 ns | NVSRAM | 128K x 8 | 平行线 | 35ns | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S25FL128P0XNFI001 | 5.0600 | ![]() | 1870年 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | fl-p | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | S25FL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 8-wson(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 82 | 104 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | spi | 3ms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62127DV30LL-70ZIT | 0.9500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY7C1324H-133AXCKJ | 5.3500 | ![]() | 172 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1324 | sram-同步,sdr | 3.15v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 2Mbit | 6.5 ns | SRAM | 128K x 18 | 平行线 | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C20140-LDX2IT | - | ![]() | 5910 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | CapSense®Express™ | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 16-UFQFN | 按钮 | 1.5mA | 2.4V〜5.25V | 16 QFN (3x3) | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8542.31.0001 | 2,500 | 最多4 | i²c | 不 | - | 最多4 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C3445AXA-108 | 1.0000 | ![]() | 3424 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | PSOC®3CY8C34XX | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY8C3445 | 100-TQFP(14x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991A3 | 8542.31.0001 | 90 | 62 | 8051 | 8位 | 50MHz | EBI/EMI,I²C,LINBUS,SPI,UART/USART,USB | Capsense,DMA,LCD,POR,PWM,WDT | 32KB (32K x 8) | 闪光 | 1k x 8 | 4K x 8 | 1.71V〜5.5V | A/D 16x12b; D/A 2x8b | 内部的 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CS5156BT | - | ![]() | 5932 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY74FCT16501ETPVCT | 3.5400 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | 74fct | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 56-bessop(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 74FCT16501 | 18位 | 4.5V〜5.5V | 56-SSOP | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 通用总线收发器 | 32mA,64mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL128P10TFI010 | 7.4100 | ![]() | 157 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | gl-p | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | S29GL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 2832-S29GL128P10TFI010 | 1 | 非易失性 | 128mbit | 100 ns | 闪光 | 16m x 8 | 平行线 | 100ns | 经过验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62126DV30L-55ZIT | 1.1600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY62126 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 55ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62148EV30LL-45ZSXAT | 7.3100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) | CY62148 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 32-TSOP II | 下载 | 不适用 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 42 | 易挥发的 | 4Mbit | 45 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 45ns | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62256LL-70SNXI | - | ![]() | 4837 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | MOBL® | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | CY62256 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.32.0041 | 27 | 易挥发的 | 256kbit | 70 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 70NS | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1460AV33-250AXC | - | ![]() | 5612 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | NOBL™ | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | CY7C1460 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-TQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 250 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 2.6 ns | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL512T10DHI010 | - | ![]() | 9124 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | GL-T | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | S29GL512 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(9x9) | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2166-S29GL512T10DHI010-428 | 1 | 非易失性 | 512Mbit | 100 ns | 闪光 | 64m x 8 | 平行线 | 60ns | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CG6252AAT | - | ![]() | 2165 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C199CN-12VXAKJ | 3.3300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | CY7C199 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-soj | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 256kbit | 12 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 12ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1020CV33-10ZXC | - | ![]() | 1158 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | CY7C1020 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 29 | 易挥发的 | 512kbit | 10 ns | SRAM | 32k x 16 | 平行线 | 10NS | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||
S26KS512SDABHV030 | - | ![]() | 5804 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | HyperFlash™KS | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | S26KS512 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜1.95V | 24-fbga(6x8) | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 1 | 100 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 96 ns | 闪光 | 64m x 8 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1520V18-200BZCT | 161.7800 | ![]() | 58 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1520 | Sram-同步,DDR II | 1.7V〜1.9V | 165-fbga(15x17) | 下载 | 不适用 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 | 200 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1475BV25-133BGXI | 197.5100 | ![]() | 192 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | NOBL™ | 大部分 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 209-BGA | CY7C1475 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 209-fbga(14x22) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 1 | 133 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | 6.5 ns | SRAM | 1m x 72 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S6E2DH5G0AGV20000 | - | ![]() | 9918 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | FM4 S6E2DH | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 120-LQFP | S6E2DH5 | 120-LQFP(16x16) | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2166-S6E2DH5G0AGV20000-428 | 1 | 98 | ARM®Cortex®-M4F | 32位单核 | 160MHz | CANBUS,CSIO,EBI/EMI,I²C,LINBUS,SD,SPI,UART/USART,USB | DMA,I²S,LVD,POR,PWM,WDT | 384KB (384K x 8) | 闪光 | - | 36k x 8 | 2.7V〜3.6V | A/D 24x12b | 内部的 | 未行业行业经验证 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1170KV18-450BZXC | 41.2200 | ![]() | 591 | 0.00000000 | 赛普拉斯半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | CY7C1170 | sram-同步,DDR II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA(13x15) | 下载 | 8 | 450 MHz | 易挥发的 | 18mbit | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | 未行业行业经验证 |
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